公开(公告)号：TWM256569U

公开(公告)日：2005-02-01

申请号：TW092221729

申请日：2003-12-10

Applicant: 宏連國際科技股份有限公司

Inventor： 連世雄

IPC: G11C

CPC classification number: H05K1/142 ,  H05K2201/09172 ,  H05K2201/09181 ,  H05K2201/09963 ,  H05K2201/10159 ,  H05K2201/209

Abstract: 本創作係提供一種記憶體模組，係包括：複數個具有導電片及組裝於該等基板上的記憶體晶片，以及可提供與該等基板電訊連接的U形框架，其中每一片基板之下緣設有插接部，而該U形框架的水平邊的內緣係設有收容槽，可提供與該插接部的插接，而將該等基板連接定位於該U形框架上，藉如是構造使得記憶體模組可簡化及縮短維修之過程及時間，進而達到降低整體維修成本之效果。

Abstract in simplified Chinese: 本创作系提供一种内存模块，系包括：复数个具有导电片及组装于该等基板上的内存芯片，以及可提供与该等基板电讯连接的U形框架，其中每一片基板之下缘设有插接部，而该U形框架的水平边的内缘系设有收容槽，可提供与该插接部的插接，而将该等基板连接定位于该U形框架上，藉如是构造使得内存模块可简化及缩短维修之过程及时间，进而达到降低整体维修成本之效果。

公开(公告)号：TW200735300A

公开(公告)日：2007-09-16

申请号：TW095149534

申请日：2006-12-28

Applicant: 桑迪士克股份有限公司 SANDISK CORPORATION

Inventor： 邱錦泰 CHIU, CHIN-TIEN ,  奇門 育 YU, CHEEMEN ,  漢 塔奇爾 TAKIAR, HEM ,  錢杰章 CHIEN, JACK CHANG ,  蔡明洲 TSAI, MENG-JU

IPC: H01L

CPC classification number: H01L23/49805 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L24/97 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/105 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/97 ,  H01L2225/06562 ,  H01L2225/1005 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01087 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1433 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/30107 ,  H05K1/142 ,  H05K3/0052 ,  H05K3/3442 ,  H05K3/403 ,  H05K2201/09963 ,  H05K2201/1053 ,  H05K2201/10727 ,  H01L2224/85 ,  H01L2224/83 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

Abstract: 本發明揭示一種電子組件,其包括以並排組態焊接在一起的複數個半導體封裝。於一基板面板上成批地處理該等封裝。該面板包括鑽透該面板且隨後以諸如銅或金之金屬加以填充的複數個穿透孔。此等經填充之穿透孔係沿著相鄰封裝之間的切割線置放,因此在分割之後,該等經填充之穿透孔係經切割並於該等經分割之封裝的側邊緣處曝露該等經填充之穿透孔的一部分。該等經填充之穿透孔之此等曝露部分會形成垂直表面黏著技術(SMT)墊。在分割該等半導體封裝並於該等側邊緣界定該等表面黏著技術墊之後,使用表面黏著技術將一第一半導體封裝之表面黏著技術墊焊接至一第二半導體封裝之各自表面黏著技術墊,以將該兩個封裝並排地結構上電耦合在一起。

Abstract in simplified Chinese: 本发明揭示一种电子组件,其包括以并排组态焊接在一起的复数个半导体封装。于一基板皮肤上成批地处理该等封装。该皮肤包括钻透该皮肤且随后以诸如铜或金之金属加以填充的复数个穿透孔。此等经填充之穿透孔系沿着相邻封装之间的切割线置放,因此在分割之后,该等经填充之穿透孔系经切割并于该等经分割之封装的侧边缘处曝露该等经填充之穿透孔的一部分。该等经填充之穿透孔之此等曝露部分会形成垂直表面黏着技术(SMT)垫。在分割该等半导体封装并于该等侧边缘界定该等表面黏着技术垫之后,使用表面黏着技术将一第一半导体封装之表面黏着技术垫焊接至一第二半导体封装之各自表面黏着技术垫,以将该两个封装并排地结构上电耦合在一起。

公开(公告)号：TW223732B

公开(公告)日：1994-05-11

申请号：TW082105719

申请日：1993-07-19

Applicant: 馬丁.馬利達股份有限公司

Inventor： 約翰.瓦佛德 ,  瑞奇.D.亞金斯

IPC: H05K ,  H01Q

CPC classification number: G03F7/24 ,  B23K26/032 ,  B23K26/066 ,  H01Q1/425 ,  H01Q15/0013 ,  H05K3/0017 ,  H05K3/027 ,  H05K3/061 ,  H05K2201/09018 ,  H05K2201/09963 ,  H05K2203/056 ,  H05K2203/107 ,  Y10S430/146

Abstract: 在一用於製造一印刷電路板於一雙周線或如一圓頂防護罩之半球形基底上之方法中，一凝聚性光源被用以形成一預定樣式之多個元件於該基底之表面上。該基底包含一底層及一金屬層。該樣式之至少一第一元件係利用該凝聚性光源而燒蝕該元件於一阻抗覆蓋物內或燒蝕該元件於該金屬層內。此凝聚性光源最好包括一激元雷射。此基底接著便相對於該凝聚性光源自移動直到該頂定樣式之所有元件皆已形成佈滿基底之整個表面。當此樣式已燒蝕於一阻抗物質內時，利用一酸蝕技術自基底上移除部分金屬層。

Abstract in simplified Chinese: 在一用于制造一印刷电路板于一双周线或如一圆顶防护罩之半球形基底上之方法中，一凝聚性光源被用以形成一预定样式之多个组件于该基底之表面上。该基底包含一底层及一金属层。该样式之至少一第一组件系利用该凝聚性光源而烧蚀该组件于一阻抗覆盖物内或烧蚀该组件于该金属层内。此凝聚性光源最好包括一激元激光。此基底接着便相对于该凝聚性光源自移动直到该顶定样式之所有组件皆已形成布满基底之整个表面。当此样式已烧蚀于一阻抗物质内时，利用一酸蚀技术自基底上移除部分金属层。