公开(公告)号：CN101964343A

公开(公告)日：2011-02-02

申请号：CN201010236329.X

申请日：2010-07-21

Applicant: 三垦电气株式会社

Inventor： 大森宽将

IPC: H01L27/04 ,  H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L21/77 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/66712 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0634 ,  H01L29/0638 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/7811

Abstract: 本发明提供一种能够提高耐压并简化制造工序的半导体装置。半导体装置(1)具有形成有半导体元件(6)的元件区域(2)和形成于元件区域(2)外周的外周区域(3)。半导体装置(1)具有：n-型漂移区域(12)，其形成于元件区域(2)和外周区域(3)；多个p-型柱状区域(13)，其形成于元件区域(2)的n-型漂移区域(12)；多个p-型柱状耐压提高区域(23n)，其形成于外周区域(3)的n-型漂移区域(12)；以及多个电场缓和区域(24n)，其形成于p-型柱状区域(23n)的上部，电场缓和区域(24n)与相邻的电场缓和区域(24n)之间的间隔(Sn)在外周区域(3)的内侧和外侧不同。

公开(公告)号：CN101420180B

公开(公告)日：2010-12-29

申请号：CN200810172923.X

申请日：2005-11-21

Applicant: 三垦电气株式会社

Inventor： 臼井浩 ,  山田智康 ,  岛田雅章

IPC: H02M3/28

CPC classification number: H02M3/33507

Abstract: 本发明涉及一种开关电源器件。根据电阻器(41)和光电耦合器的光接收元件(42)之间的节点处的目标电压(Vm)设置N沟道MOS晶体管(33)的导通持续时间。比较器(44)比较目标电压(Vm)与可变电阻器(38)和电阻器(45)之间的节点处的参考电压(Vb)。根据比较器(44)的输出信号将正常模式和低频操作模式从一种切换到另一种。当来自电源(30)的输入电压为高时可变电阻器(38)的电阻变低。因此，甚至当输入电压为高时，在正常模式和低频操作模式之间转换时N沟道MOS晶体管(33)的导通持续时间变短。这减小了低频操作模式下的开关能量，由此抑制噪声。

公开(公告)号：CN101908595A

公开(公告)日：2010-12-08

申请号：CN201010145057.2

申请日：2010-03-26

Applicant: 三垦电气株式会社

Inventor： 松尾哲二

IPC: H01L33/48 ,  H01L33/52 ,  H01S5/00 ,  H01S5/02

CPC classification number: H01L24/97 ,  H01L2224/24 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/181 ,  H01L2224/82 ,  H01L2224/85 ,  H01L2224/83 ,  H01L2924/00012

Abstract: 本发明提供一种能够实现小型化的发光装置及其制造方法。发光装置(1)具备：具有导电性的第一基板(11)和第二基板(12)；配设在它们之间的绝缘体(41)；配设在第一基板(11)的第一主面(11A)上的半导体发光功能层(2)；以及覆盖半导体发光功能层(2)的透明性密封体(7)。半导体发光功能层(2)的第一主电极(21)与第一基板(11)电连接，第二主电极(23)与第二基板(12)电连接。对第一基板(11)的第二主面(11B)和第二基板(12)的第四主面(12B)进行背面研磨处理，从而实现薄型化。

公开(公告)号：CN101278468B

公开(公告)日：2010-09-29

申请号：CN200680036762.0

申请日：2006-10-03

Applicant: 三垦电气株式会社

Inventor： 京野羊一

IPC: H02M3/28

CPC classification number: H02M3/33561 ,  Y02B70/1433 ,  Y10T307/406

Abstract: 一种多输出开关电源装置，包括：第一和第二开关元件Q1和Q2、与Q1或Q2并联连接的并且具有串联连接的第一电流谐振电容和变压器的初级线圈的第一串联谐振电路、用于整流并且平滑由变压器的次级线圈生成的电压的第一整流-平滑电路、与次级线圈并联连接的并且具有串联连接的第二电流谐振电容和第二谐振电抗器的第二串联谐振电路、用于整流并且平滑第二串联谐振电路的电压的第二整流-平滑电路、以及用于根据从第一和第二整流-平滑电路中的其中一个获得的电压来确定Q1的打开时间，根据从第一和第二整流-平滑电路中的另一个获得的电压来确定Q2的打开时间，并且交替地打开/关闭Q1和Q2的控制电路。

公开(公告)号：CN101821931A

公开(公告)日：2010-09-01

申请号：CN200880111475.0

申请日：2008-12-09

Applicant: 三垦电气株式会社

Inventor： 鹤谷守

IPC: H02M3/28

CPC classification number: H02M3/33507 ,  H02M3/33569 ,  H02M3/337 ,  Y02B70/1433

Abstract: 本发明提供一种DC/DC转换器。它是并列连接三台具有120度的相位差的半桥型电流共振DC/DC转换器，并使其以比共振频率高的工作频率工作的DC/DC转换器，三台半桥型电流共振DC/DC转换器分别具备：具有一次线圈和二次线圈以及三次线圈的变压器；在直流电源的两端串联连接第一开关元件和第二开关元件的串联电路；在第一开关元件或第一开关元件的两端串联连接共振电抗器和变压器的一次线圈以及共振电容器的串联电路；以及对在二次线圈中产生的电压进行整流然后输出给平滑电容器的整流电路。并且环状地连接了三次线圈中的各个三次线圈以及电抗器。

公开(公告)号：CN101796888A

公开(公告)日：2010-08-04

申请号：CN200880105253.8

申请日：2008-09-10

Applicant: 三垦电气株式会社

Inventor： 足利亨 ,  木村研吾

IPC: H05B41/282 ,  H02M7/5387

CPC classification number: H05B41/2827 ,  H02M7/48

Abstract: 本发明公开了一种交流电源装置，其具有：第一交流电压产生电路，具有第一开关单元且通过第一开关单元的接通/关断来从第一直流电源的直流电压产生正负非对称波形的第一交流电压，并将第一交流电压输出到负载的一端；第二交流电压产生电路，具有第二开关单元且通过第二开关单元的接通/关断来从第一直流电源的直流电压或第二直流电源的直流电压产生相对于第一交流电压具有180度相位差的正负非对称波形的第二交流电压，并将第二交流电压输出到负载的另一端；使得第一开关单元接通/关断，并且以相对于第一开关单元的接通/关断具有180度相位差地接通/关断第二开关单元的控制电路；其中，负载的两端电压是正负对称波形的交流电压。

公开(公告)号：CN101777825A

公开(公告)日：2010-07-14

申请号：CN201010139858.8

申请日：2006-12-15

Applicant: 三垦电气株式会社

Inventor： 臼井浩 ,  京野羊一

IPC: H02M1/34 ,  H02H7/10 ,  H02H5/04 ,  H02M3/00

CPC classification number: H02M3/33523 ,  H02M1/32

Abstract: 本发明的电源装置，不采用专用的感温元件，而采用肖特基势垒二极管(SBD)进行过热保护。该过热保护电路在直流电源装置(1A)中，使由与整流二极管(D51A)热耦合的肖特基势垒二极管(SBD)(D51B)的温度引起的反向漏电流(Ir)流入到输出电压检测电路(10A)内的光耦合器(PC1)。由此，当肖特基势垒二极管(SBD)(D51B)的反向漏电流(Ir)增大时(整流二极管(D51A)的温度由于过载而上升时)，使输出电压检测电路(10A)的反馈信号增大，使输出电压降低，从而进行直流电源装置(1A)的过热保护。

公开(公告)号：CN101604910A

公开(公告)日：2009-12-16

申请号：CN200910141647.5

申请日：2009-05-25

Applicant: 三垦电气株式会社

Inventor： 竹内岁郎

IPC: H02M1/42 ,  H02M7/02

CPC classification number: H02M1/4225 ,  H02M2001/007 ,  Y02B70/126 ,  Y02P80/112

Abstract: 一种功率因数校正电路，用于通过开关元件Q1的接通/关断操作，对AC电源Vin的AC输入电压的整流后的整流电压执行升压和功率因数校正，并且向利用由第一脉冲信号驱动的DC－DC变换器提供升压后的输出电压。该功率因数校正电路包括延迟电路，用于接收具有对应于所述DC－DC变换器的输出电压的脉冲宽度的第一脉冲信号，响应于第一脉冲信号的接通脉冲而生成具有对应于整流后的电压的脉冲宽度的延迟脉冲信号，并且将第一脉冲信号和延迟脉冲信号合成为第二脉冲信号。该功率因数校正电路还包括驱动器，用于根据第二脉冲信号来驱动开关元件。

公开(公告)号：CN101604687A

公开(公告)日：2009-12-16

申请号：CN200910140808.9

申请日：2009-05-12

Applicant: 三垦电气株式会社

Inventor： 星野匡纪 ,  佐野武志 ,  山下丰美 ,  铃木伸幸

IPC: H01L25/075 ,  H01L33/00 ,  H01L23/13 ,  H01L23/31 ,  H01L23/18

CPC classification number: H01L33/508 ,  H01L24/45 ,  H01L25/0753 ,  H01L33/56 ,  H01L33/642 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45164 ,  H01L2224/45173 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

Abstract: 本发明提供一种提高从发光色不同的发光元件发出的光的混色性，并能发出亮度及色度高的白色光的半导体发光装置。在半导体发光装置(1)中，具备：具有光射出方向(Ae)开口的凹槽(21R、22R)的封装基体(2)；配置在凹槽(21R)的底部，且发光色彼此不同的多个发光元件(3)；在凹槽(21R)内覆盖多个发光元件(3)而配置，且含有荧光体的第一透光性树脂(61)；以及在凹槽(22R)内配置在第一透光性树脂(61)上，且与第一透光性树脂(61)比较荧光体的含有量少，而且具有比第一透光性树脂(61)的膜厚厚的膜厚的第二透光性树脂(62)。

公开(公告)号：CN100557836C

公开(公告)日：2009-11-04

申请号：CN200710168199.9

申请日：2007-11-28

Applicant: 三垦电气株式会社

Inventor： 田嶋未来雄 ,  多田善纪

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/20 ,  H01L27/15 ,  H01L33/22 ,  H01L33/44

Abstract: 本发明涉及一种半导体发光器件及其制造方法，该半导体发光器件包括具有两个主表面的衬底；和由化合物半导体材料制成的有源层形成部，该有源层形成部形成在所述主表面中的一个主表面上并且包括有源层。从所述有源层形成部的上表面形成穿过有源层的多个孔；在所述有源层和所述衬底之间提供对应于各个孔的多个中空部；和在平面视图上，各中空部的面积大于对应的孔的面积，并且铺展在所述有源层形成部的下表面上，从而暴露出在平面视图上覆盖所述中空部的所述有源层形成部的下表面的部分。