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公开(公告)号：CN100405545C
公开(公告)日：2008-07-23
申请号：CN200480015512.X
申请日：2004-05-31
Applicant: 三垦电气株式会社
IPC: H01L21/20 , H01L21/331 , H01L29/737 , H01L29/739 , H01L29/78 , H01L33/00
Abstract: 为了形成氮化物类半导体元件而准备掺杂p型杂质且具有充分的导电性的p型硅衬底(1)。通过在硅衬底(1)上依次外延生长由AlN构成的第一缓冲层(11)、由n-InGaN构成第二缓冲层(12)、由n-GaN构成的n型氮化物半导体层(13)、活性层(14)以及由p-GaN构成的p型氮化物半导体层(15)时的加热处理，使第一层(11)的Al、第二层12的Ga和In扩散到p型硅衬底(1)，在p型硅衬底(1)和缓冲层(11)之间形成合金层(2)。Al、Ga、In也扩散到与合金层(2)相邻的p型硅衬底(1)内部，但Al、Ga、In对硅而言作为p型杂质起作用且由于硅衬底(1)为p型，在硅衬底(1)中不形成pn结。结果，氮化物类半导体元件的驱动电压变低。
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公开(公告)号：CN100557836C
公开(公告)日：2009-11-04
申请号：CN200710168199.9
申请日：2007-11-28
Applicant: 三垦电气株式会社
IPC: H01L33/00
Abstract: 本发明涉及一种半导体发光器件及其制造方法，该半导体发光器件包括具有两个主表面的衬底；和由化合物半导体材料制成的有源层形成部，该有源层形成部形成在所述主表面中的一个主表面上并且包括有源层。从所述有源层形成部的上表面形成穿过有源层的多个孔；在所述有源层和所述衬底之间提供对应于各个孔的多个中空部；和在平面视图上，各中空部的面积大于对应的孔的面积，并且铺展在所述有源层形成部的下表面上，从而暴露出在平面视图上覆盖所述中空部的所述有源层形成部的下表面的部分。
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公开(公告)号：CN100428509C
公开(公告)日：2008-10-22
申请号：CN200510112829.1
申请日：2005-10-14
Applicant: 三垦电气株式会社
IPC: H01L33/00
Abstract: 提供可提高与p型GaN系化合物半导体接触的电极的各项特性的半导体发光元件及其制造方法。在与同MQW发光层(13)接触的p型GaN系化合物半导体(14)的主面(14a)对置的主面(14b)的表面，形成有由至少包含Ni的p型GaN系化合物半导体构成的第一区域(15)。在第一区域(15)的表面，形成有由Ni及Al所组成的合金来构成的电极(16)。在电极(16)上，形成有由Al或Au构成的外部连接用垫片电极(17)。
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公开(公告)号：CN101197410A
公开(公告)日：2008-06-11
申请号：CN200710168199.9
申请日：2007-11-28
Applicant: 三垦电气株式会社
IPC: H01L33/00
Abstract: 本发明涉及一种半导体发光器件及其制造方法，该半导体发光器件包括具有两个主表面的衬底；和由化合物半导体材料制成的有源层形成部，该有源层形成部形成在所述主表面中的一个主表面上并且包括有源层。从所述有源层形成部的上表面形成穿过有源层的多个孔；在所述有源层和所述衬底之间提供对应于各个孔的多个中空部；和在平面视图上，各中空部的面积大于对应的孔的面积，并且铺展在所述有源层形成部的下表面上，从而暴露出在平面视图上覆盖所述中空部的所述有源层形成部的下表面的部分。
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公开(公告)号：CN1799123A
公开(公告)日：2006-07-05
申请号：CN200480015512.X
申请日：2004-05-31
Applicant: 三垦电气株式会社
IPC: H01L21/20 , H01L21/331 , H01L29/737 , H01L29/739 , H01L29/78 , H01L33/00
Abstract: 为了形成氮化物类半导体元件而准备掺杂p型杂质且具有充分的导电性的p型硅衬底(1)。通过在硅衬底(1)上依次外延生长由AlN构成的第一缓冲层(11)、由n－InGaN构成第二缓冲层(12)、由n－GaN构成的n型氮化物半导体层(13)、活性层(14)以及由p－GaN构成的p型氮化物半导体层(15)时的加热处理，使第一层(11)的Al、第二层12的Ga和In扩散到p型硅衬底(1)，在p型硅衬底(1)和缓冲层(11)之间形成合金层(2)。Al、Ga、In也扩散到与合金层(2)相邻的p型硅衬底(1)内部，但Al、Ga、In对硅而言作为p型杂质起作用且由于硅衬底(1)为p型，在硅衬底(1)中不形成pn结。结果，氮化物类半导体元件的驱动电压变低。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1763984A
公开(公告)日：2006-04-26
申请号：CN200510112829.1
申请日：2005-10-14
Applicant: 三垦电气株式会社
IPC: H01L33/00
Abstract: 提供可提高与p型GaN系化合物半导体接触的电极的各项特性的半导体发光元件及其制造方法。在与同MQW发光层(13)接触的p型GaN系化合物半导体(14)的主面(14a)对置的主面(14b)的表面，形成有由至少包含Ni的p型GaN系化合物半导体构成的第一区域(15)。在第一区域(15)的表面，形成有由Ni及Al所组成的合金来构成的电极(16)。在电极(16)上，形成有由Al或Au构成的外部连接用垫片电极(17)。
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公开(公告)号：CN100468766C
公开(公告)日：2009-03-11
申请号：CN200480024805.4
申请日：2004-09-22
Applicant: 三垦电气株式会社
Abstract: 准备了掺杂p型杂质而且具有充分导电性的p型硅基板(1)。在基板(1)上依次外延生长由n型AlInGaN构成的缓冲区(3)、由n型GaN构成的n型氮化物半导体层(13)、有源层(14)及由p型GaN构成的p型氮化物半导体层(15)。通过p型硅基板(1)与由n型AlGaInN构成的n型缓冲区(3)的异质结中的界面能级，提高硅基板(1)的载流子向n型缓冲区(3)的输运效率，降低发光二极管的驱动电压。
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公开(公告)号：CN1846310A
公开(公告)日：2006-10-11
申请号：CN200480024913.1
申请日：2004-09-22
Applicant: 三垦电气株式会社
CPC classification number: H01L29/267 , H01L21/02381 , H01L21/02458 , H01L21/02507 , H01L21/0254 , H01L21/02576 , H01L21/02579 , H01L21/0262 , H01L29/2003 , H01L33/007
Abstract: 准备掺杂p型杂质的、并且具有充分导电性的p型硅衬底1。在硅衬底1上依次外延生长由n型AlGaInN构成的缓冲区域3、由n型GaN构成的n型氮化物半导体层13、活性层14、以及由p型GaN构成的p型氮化物半导体层15。缓冲区域3的Ga等3族元素Ga向p型硅衬底1扩散，形成电阻低的p型扩散区域1a。此外，在p型硅衬底1和由n型AlGaInN构成的n型缓冲区域3的异质结部分形成有助于p型硅衬底1的载流子的输送的界面能级。通过该界面能级，可提高硅衬底1向n型缓冲区3输送载流子的效率，使发光二极管的驱动电压降低。
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公开(公告)号：CN1846310B
公开(公告)日：2011-03-09
申请号：CN200480024913.1
申请日：2004-09-22
Applicant: 三垦电气株式会社
CPC classification number: H01L29/267 , H01L21/02381 , H01L21/02458 , H01L21/02507 , H01L21/0254 , H01L21/02576 , H01L21/02579 , H01L21/0262 , H01L29/2003 , H01L33/007
Abstract: 准备掺杂p型杂质的、并且具有充分导电性的p型硅衬底1。在硅衬底1上依次外延生长由n型AlGaInN构成的缓冲区域3、由n型GaN构成的n型氮化物半导体层13、活性层14、以及由p型GaN构成的p型氮化物半导体层15。缓冲区域3的Ga等3族元素Ga向p型硅衬底1扩散，形成电阻低的p型扩散区域1a。此外，在p型硅衬底1和由n型AlGaInN构成的n型缓冲区域3的异质结部分形成有助于p型硅衬底1的载流子的输送的界面能级。通过该界面能级，可提高硅衬底1向n型缓冲区3输送载流子的效率，使发光二极管的驱动电压降低。
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