使用非易失性存储器阵列的深入学习神经网络分类器

    公开(公告)号:CN109196528A

    公开(公告)日:2019-01-11

    申请号:CN201780030390.9

    申请日:2017-05-12

    Abstract: 本发明公开了一种人工神经网络设备,该人工神经网络设备利用一个或多个非易失性存储器阵列作为突触。该突触被配置为接收输入并且从其生成输出。神经元被配置为接收输出。该突触包括多个存储器单元,其中存储器单元中的每个存储器单元包括:间隔开的源极区和漏极区,该源极区和漏极区在半导体基板中形成,其中沟道区在源极区和漏极区之间延伸;浮栅,该浮栅设置在沟道区的第一部分上方并且与其绝缘;和非浮栅,该非浮栅设置在沟道区的第二部分上方并且与其绝缘。多个存储器单元中的每个存储器单元被配置为存储权重值,该权重值与浮栅上的电子数量相对应。多个存储器单元被配置为将所述输入乘以所存储的权重值以生成输出。

    用于形成并维持高性能FRC的系统和方法

    公开(公告)号:CN107068204A

    公开(公告)日:2017-08-18

    申请号:CN201611253163.6

    申请日:2012-11-14

    Abstract: 本发明提供了便于形成和维持新颖高性能场反向配置(FRC)的系统和方法。用于高性能FRC(HPF)的FTC系统包括由两个直径对置的反向场θ箍缩形成部段和超过这些形成部段的两个偏滤器包围的中央约束容器以控制中性粒子密度和杂质污染。一种磁系统包括沿着FRC系统部件在轴向定位的一系列准直流线圈,在约束腔室与相邻形成部段之间的准直流镜线圈以及在形成部段与偏滤器之间的镜插塞。形成部段包括模块式脉冲功率形成系统,其允许FRC在现场形成并且然后加速并喷射(=静态形成)或者同时形成并加速(=动态形成)。FRC系统还包括中性原子束喷射器、球团喷射器、吸杂系统、轴向等离子体枪和通量表面偏压电极。

    基于等离子体激元纳米颗粒的比色应力记忆传感器

    公开(公告)号:CN106415196A

    公开(公告)日:2017-02-15

    申请号:CN201580029440.2

    申请日:2015-04-06

    Abstract: 公开了可记忆其已感受的应力的应力响应性比色膜的开发。该系统可使用与由周围聚合物基体的塑性形变所驱动的一维等离子体激元纳米颗粒链的拆散相关的等离子体激元移动。通过改变聚合物的塑性,该等离子体激元移动和比色变化可响应大范围的应力。压力指示膜可通过输出颜色信息用来捕获和记录两个接触表面或冲击表面之间的压力分布和大小。

Patent Agency Ranking