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公开(公告)号：CN102899630A
公开(公告)日：2013-01-30
申请号：CN201210268890.5
申请日：2012-07-30
Applicant: 日东电工株式会社
CPC classification number: C23C14/562 , Y10T428/31678
Abstract: 本发明提供双面真空成膜方法及利用该方法获得的层积体，该成膜方法能够通过利用简单的装置结构适当地实施加热处理等，有效地制造在双面实施了真空成膜的层积体。卷成卷筒状的长基体的第一面作为被成膜面，沿从第一辊室朝向第二辊室的第一方向从第一辊室输出卷筒状的长基体，使沿第一方向输出的基体脱气，在第二成膜室在基体第一面将第二膜材料成膜，在第二辊室将使第二膜材料成膜的基体卷绕成卷筒状，沿从第二辊室朝第一辊室的第二方向从第二辊室输出，在第一成膜室在第二膜材料上将第一膜材料成膜，在第一辊室将在第二膜材料上层积第一膜材料的基体卷绕成卷筒状，将与第一辊室卷绕的基体的第一面相反侧的第二面作为被成膜面，重复上述全部处理。
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公开(公告)号：CN102758189A
公开(公告)日：2012-10-31
申请号：CN201210130235.3
申请日：2012-04-28
Applicant: 日东电工株式会社
IPC: C23C14/56
CPC classification number: C23C14/568 , C23C14/086 , C23C14/562 , C23C28/32 , C23C28/321 , C23C28/345 , H01L21/67132 , H01L21/67173 , Y10T428/31678
Abstract: 本发明提供一种真空成膜方法及通过该方法得到的层叠体。通过该成膜方法，在卷对卷技术中能够进一步谋求提高作业效率或者进一步谋求改善其技术，该方法包括：在从第一辊室朝向第二辊室的第一方向上从第一辊室抽出第一基体的阶段；对第一基体进行脱气的阶段；在第二成膜室将第二膜材料成膜在第一基体上的阶段；通过在第二辊室卷绕第一基体而生成第一基体的阶段；进而在从第二辊室朝向第一辊室的第二方向上进行用于生产第二基体的同样的动作。在此，在生成成膜有第二膜材料的第一基体时，从第一成膜室去除第一成膜室的第一阴极电极，而且在生成成膜有第一膜材料的第二基体时，从第二成膜室去除第二成膜室的第二阴极电极。
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公开(公告)号：CN102298985A
公开(公告)日：2011-12-28
申请号：CN201110139234.0
申请日：2007-06-07
Applicant: 日东电工株式会社
CPC classification number: B32B7/02 , B32B5/16 , B32B7/12 , B32B2264/102 , B32B2307/202 , B32B2307/412 , B32B2307/536 , G06F3/0414 , Y10T428/24942 , Y10T428/256 , Y10T428/26 , Y10T428/265 , Y10T428/269
Abstract: 本发明提供一种透明导电性层叠体，是在透明的薄膜基材的一个面经由电介质薄膜设有透明的导电性薄膜、在透明的薄膜基材的另一个面经由透明的粘合剂层贴合有透明基体的透明导电性层叠体，其特征是，上述透明基体是至少将2张透明的基体薄膜经由透明的粘合剂层层叠的层叠透明基体；上述电介质薄膜由第一透明电介质薄膜和第二透明电介质薄膜形成，所述第一透明电介质薄膜由相对折射率为1.6～1.9的SiOx膜(x为1.5以上且小于2)制成，所述第二透明电介质薄膜由SiO2膜制成。所述透明导电性层叠体的表面压力耐久性出色。
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公开(公告)号：CN101622680B
公开(公告)日：2011-12-14
申请号：CN200880006601.6
申请日：2008-02-28
Applicant: 日东电工株式会社
CPC classification number: G06F3/0414 , B32B7/06 , B32B7/12 , B32B25/08 , B32B25/12 , B32B25/14 , B32B27/08 , B32B27/20 , B32B27/281 , B32B27/283 , B32B27/285 , B32B27/286 , B32B27/30 , B32B27/32 , B32B27/322 , B32B27/34 , B32B27/36 , B32B27/365 , B32B27/38 , B32B27/40 , B32B2255/10 , B32B2255/205 , B32B2262/101 , B32B2264/101 , B32B2264/105 , B32B2307/202 , B32B2307/306 , B32B2307/4026 , B32B2307/412 , B32B2307/54 , B32B2307/702 , B32B2307/712 , B32B2307/728 , B32B2307/748 , B32B2457/00 , Y10T428/14 , Y10T428/1476
Abstract: 本发明提供一种加工性良好的透明导电性膜及其制造方法。本发明的透明导电性膜是带有粘合剂层的透明导电性膜，其特征为，具有在透明塑料膜基材的一面设有无定形透明导电性薄膜的无定形透明导电性层叠体，以及在所述透明塑料膜基材的另一面隔着粘合剂层设置的至少具有薄膜基材的脱模膜，且所述脱模膜的厚度比所述无定形透明导电性层叠体的厚度厚，所述无定形透明导电性层叠体的MD方向的热收缩率与所述脱模膜的MD方向的热收缩率的差值为-0.3～0.45％。
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公开(公告)号：CN102184754A
公开(公告)日：2011-09-14
申请号：CN201110043079.2
申请日：2008-01-18
Applicant: 日东电工株式会社
CPC classification number: G06F3/044 , G06F3/04886 , H01H2201/028 , H01H2209/082 , H01H2219/012 , H01H2229/016 , H01H2239/006 , Y10T428/24612 , Y10T428/24802
Abstract: 本发明提供一种透明导电体层已被图案化而且外观良好的透明导电性薄膜。该透明导电性薄膜是在透明的薄膜基材的单面或两面上，经由两层底涂层地具有透明导电体层的透明导电性薄膜，所述透明导电性薄膜的特征在于，所述透明导电体层被图案化，且在不具有所述透明导电体层的非图案部具有至少一层底涂层，经由两层底涂层设置已被图案化的透明导电体层，从透明的薄膜基材开始第一层的底涂层的折射率n为1.5～1.7，从透明的薄膜基材开始第二层的底涂层的折射率n为1.4～1.5。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101127254B
公开(公告)日：2011-08-31
申请号：CN200610112190.1
申请日：2006-08-17
Applicant: 日东电工株式会社
CPC classification number: B32B27/36 , B32B3/085 , B32B7/12 , B32B27/06 , B32B27/08 , B32B27/302 , B32B27/32 , B32B27/34 , B32B27/365 , B32B2255/10 , B32B2255/20 , B32B2255/26 , B32B2255/28 , B32B2307/202 , B32B2307/412 , B32B2307/536 , B32B2307/584 , B32B2457/20 , B32B2457/208 , Y10S428/917 , Y10T428/24942 , Y10T428/26 , Y10T428/265
Abstract: 本发明的透明导电性层叠体的特征在于，它具有透明的膜基材、在所述透明膜基材的一面用干法工艺设置的厚度为1～30nm而相对折射率为1.6～1.9的SiOX膜(x大于等于1.5而小于2)、在所述SiOX膜上设置的厚度为10～50nm的SiO2膜以及在所述SiO2膜上设置的厚度为20～35nm的透明导电性薄膜。
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公开(公告)号：CN102097160A
公开(公告)日：2011-06-15
申请号：CN201110043080.5
申请日：2008-01-18
Applicant: 日东电工株式会社
CPC classification number: G06F3/044 , G06F3/04886 , H01H2201/028 , H01H2209/082 , H01H2219/012 , H01H2229/016 , H01H2239/006 , Y10T428/24612 , Y10T428/24802
Abstract: 本发明提供一种透明导电性薄膜的制造方法，其中透明导电性薄膜是在透明的薄膜基材的单面或两面上，经由至少一层底涂层地具有透明导电体层，并且所述透明导电体层被图案化，且在不具有所述透明导电体层的非图案部具有所述至少一层底涂层的透明导电性薄膜，所述透明导电性薄膜的制造方法的特征在于，在透明的薄膜基材的单面或两面上，形成至少一层底涂层的工序；在所述底涂层上利用溅射法形成透明导电体层的工序；将所述透明导电体层蚀刻并图案化的工序；以及将已被图案化的所述透明导电体层退火处理并使其结晶化的工序。
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公开(公告)号：CN101063922B
公开(公告)日：2010-05-26
申请号：CN200710097120.8
申请日：2007-04-17
Applicant: 日东电工株式会社
IPC: G06F3/045
CPC classification number: G06F3/045 , H01H13/704 , H01H2201/00 , H01H2201/016 , H01H2227/002 , H01H2227/004 , H01H2227/006 , H01H2227/008 , H01H2227/01 , H01H2227/03 , H01H2227/034 , Y10T428/24355 , Y10T428/24372
Abstract: 本发明提供一种使用在薄膜基材上设置有导电性薄膜的面板的触摸面板，所述导电性薄膜的耐久性优良，所述触摸面板具有第一面板和第二面板，所述第一面板具有透明的第一薄膜基材和设在该第一薄膜基材的单面的透明的第一导电性薄膜；所述第二面板具有透明的第二薄膜基材和设在该第二薄膜基材的单面的透明的第二导电性薄膜，第一面板和第二面板通过隔离件对置配置以使第一导电性薄膜和第二导电性薄膜对置，其特征在于，第一导电性薄膜的表面硬度为1GPa以上，弹性模量为5GPa以上，第二导电性薄膜的表面的中心线平均粗糙度(Ra)为0.3～1.0nm，并且，第二导电性薄膜的表面的中心线平均粗糙度(Ra)的值比第一导电性薄膜的表面的中心线平均粗糙度(Ra)的值小。
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公开(公告)号：CN101622680A
公开(公告)日：2010-01-06
申请号：CN200880006601.6
申请日：2008-02-28
Applicant: 日东电工株式会社
CPC classification number: G06F3/0414 , B32B7/06 , B32B7/12 , B32B25/08 , B32B25/12 , B32B25/14 , B32B27/08 , B32B27/20 , B32B27/281 , B32B27/283 , B32B27/285 , B32B27/286 , B32B27/30 , B32B27/32 , B32B27/322 , B32B27/34 , B32B27/36 , B32B27/365 , B32B27/38 , B32B27/40 , B32B2255/10 , B32B2255/205 , B32B2262/101 , B32B2264/101 , B32B2264/105 , B32B2307/202 , B32B2307/306 , B32B2307/4026 , B32B2307/412 , B32B2307/54 , B32B2307/702 , B32B2307/712 , B32B2307/728 , B32B2307/748 , B32B2457/00 , Y10T428/14 , Y10T428/1476
Abstract: 本发明提供一种加工性良好的透明导电性膜及其制造方法。本发明的透明导电性膜是带有粘合剂层的透明导电性膜，其特征为，具有在透明塑料膜基材的一面设有无定形透明导电性薄膜的无定形透明导电性层叠体，以及在所述透明塑料膜基材的另一面隔着粘合剂层设置的至少具有薄膜基材的脱模膜，且所述脱模膜的厚度比所述无定形透明导电性层叠体的厚度厚，所述无定形透明导电性层叠体的MD方向的热收缩率与所述脱模膜的MD方向的热收缩率的差值为-0.3～0.45％。
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公开(公告)号：CN101417517A
公开(公告)日：2009-04-29
申请号：CN200810170074.4
申请日：2008-10-22
Applicant: 日东电工株式会社
IPC: B32B7/02 , B32B9/00 , B32B33/00 , B32B7/12 , G06F3/045 , H01B5/14 , C23C14/34 , B05D7/00 , B05D3/00
CPC classification number: C08J7/045 , G02F1/13338 , G02F2001/133331 , G02F2202/022 , G02F2202/09 , G02F2202/16 , G06F3/045 , Y10T428/265
Abstract: 本发明提供一种透明导电性薄膜，其具有笔输入耐久性及高温高湿可靠性优良的透明导电体层。在透明的薄膜基材的单面隔着至少一层底涂层而具有透明导电体层，其特征在于，所述透明导电体层的厚度d为15～35nm，平均表面粗糙度为0.37～1nm。
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