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公开(公告)号：CN105593395B
公开(公告)日：2018-04-27
申请号：CN201480054423.X
申请日：2014-10-10
Applicant: 日东电工株式会社
CPC classification number: C23C14/3407 , C23C14/3464 , C23C14/562
Abstract: 在溅射装置的靶材更换、阴极清扫过程中，能够两个人以上同时进行作业，无需高处作业且以靶材朝上的状态更换靶材。使阴极台车(19)移动而将靶材(17)和阴极(18)取出到真空槽(11)外。使阴极旋转机构(24)工作而以使靶材(17)朝上的方式使靶材(17)和阴极(18)旋转。使阴极滑动机构(25)工作而使高处的靶材(17)和阴极(18)向低处移动。将旧的靶材(17)从阴极(18)拆下来，并且将新的靶材(17)安装到阴极(18)。使靶材(17)和阴极(18)返回到原来的高度。使靶材(17)和阴极(18)沿着原来的方向返回。使靶材(17)和阴极(18)返回到真空槽(11)内。
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公开(公告)号：CN102899630A
公开(公告)日：2013-01-30
申请号：CN201210268890.5
申请日：2012-07-30
Applicant: 日东电工株式会社
CPC classification number: C23C14/562 , Y10T428/31678
Abstract: 本发明提供双面真空成膜方法及利用该方法获得的层积体，该成膜方法能够通过利用简单的装置结构适当地实施加热处理等，有效地制造在双面实施了真空成膜的层积体。卷成卷筒状的长基体的第一面作为被成膜面，沿从第一辊室朝向第二辊室的第一方向从第一辊室输出卷筒状的长基体，使沿第一方向输出的基体脱气，在第二成膜室在基体第一面将第二膜材料成膜，在第二辊室将使第二膜材料成膜的基体卷绕成卷筒状，沿从第二辊室朝第一辊室的第二方向从第二辊室输出，在第一成膜室在第二膜材料上将第一膜材料成膜，在第一辊室将在第二膜材料上层积第一膜材料的基体卷绕成卷筒状，将与第一辊室卷绕的基体的第一面相反侧的第二面作为被成膜面，重复上述全部处理。
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公开(公告)号：CN102758189A
公开(公告)日：2012-10-31
申请号：CN201210130235.3
申请日：2012-04-28
Applicant: 日东电工株式会社
IPC: C23C14/56
CPC classification number: C23C14/568 , C23C14/086 , C23C14/562 , C23C28/32 , C23C28/321 , C23C28/345 , H01L21/67132 , H01L21/67173 , Y10T428/31678
Abstract: 本发明提供一种真空成膜方法及通过该方法得到的层叠体。通过该成膜方法，在卷对卷技术中能够进一步谋求提高作业效率或者进一步谋求改善其技术，该方法包括：在从第一辊室朝向第二辊室的第一方向上从第一辊室抽出第一基体的阶段；对第一基体进行脱气的阶段；在第二成膜室将第二膜材料成膜在第一基体上的阶段；通过在第二辊室卷绕第一基体而生成第一基体的阶段；进而在从第二辊室朝向第一辊室的第二方向上进行用于生产第二基体的同样的动作。在此，在生成成膜有第二膜材料的第一基体时，从第一成膜室去除第一成膜室的第一阴极电极，而且在生成成膜有第一膜材料的第二基体时，从第二成膜室去除第二成膜室的第二阴极电极。
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公开(公告)号：CN104294223B
公开(公告)日：2018-07-20
申请号：CN201410339809.7
申请日：2014-07-16
Applicant: 日东电工株式会社
IPC: C23C14/34
CPC classification number: H01J37/32733 , H01J37/32715 , H01J37/32724 , H01J37/3277 , H01J37/34 , H01J2237/332
Abstract: 本申请的发明提供一种溅射装置，为了不使自成膜辊脱离而输送到下游侧输送辊的长条膜基材因急剧的冷却而发生变形，该溅射装置构成为包括真空室(14)、成膜辊(18)、靶材(20)、气体供给机构(24)、3根驱动辊(下游侧输送辊)(26(1)、26(2))、26(3))、以及用于将各驱动辊(26(1)、26(2)、26(3))的温度维持在80℃以下且比真空室(14)内的最低温度高的范围内的大致恒定温度的3个温度调节机构(30(1)、30(2)、30(3))。
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公开(公告)号：CN105593402A
公开(公告)日：2016-05-18
申请号：CN201480054037.0
申请日：2014-10-10
Applicant: 日东电工株式会社
IPC: C23C14/50
CPC classification number: H01J37/3277 , C23C14/34 , C23C14/562 , C23C14/566 , H01J37/3417
Abstract: 对于用于在膜上连续地形成薄膜的溅射装置而言，在更换膜卷时，不将成膜室向大气开放，而且不使真空泵停止。供给侧膜卷室(11)具有供给侧真空泵(17)和供给侧主阀(34)。收纳侧膜卷室(13)具有收纳侧真空泵(28)和收纳侧主阀(35)。在供给侧膜卷室(11)和成膜室(12)之间设置有供给侧加载互锁阀(30)。在收纳侧膜卷室(13)和成膜室(12)之间设置有收纳侧加载互锁阀(31)。在更换供给侧膜卷(36)之际，将供给侧主阀(34)和供给侧加载互锁阀(30)关闭。在更换收纳侧膜卷(37)之际，将收纳侧主阀(35)和收纳侧加载互锁阀(31)关闭。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104294226A
公开(公告)日：2015-01-21
申请号：CN201410345609.2
申请日：2014-07-18
Applicant: 日东电工株式会社
CPC classification number: H01J37/32733 , H01J37/3277 , H01J37/34 , C23C14/562 , C23C14/34
Abstract: 本发明提供一种溅射装置。在本发明的溅射装置(10)中，长条膜(17)被凹面导辊(14)引导。对于长条膜(17)从凹面导辊(14)受到的压力，越靠近端部，压力越强，越靠近中央，压力越弱。因此，长条膜(17)实质上被凹面导辊(14)的端部支承。在长条膜(17)上产生了的褶皱(20)即使通过凹面导辊(14)，也保持褶皱(20)的状态，而不会变化为折痕。
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公开(公告)号：CN102899628A
公开(公告)日：2013-01-30
申请号：CN201210266812.1
申请日：2012-07-30
Applicant: 日东电工株式会社
IPC: C23C14/56
CPC classification number: C23C14/562 , Y10T428/31678
Abstract: 提供双面真空成膜方法及利用该方法获得的层积体，通过利用简单的装置结构适当地实施加热处理等，有效地制造在双面实施了真空成膜的层积体。将卷成卷筒状的长基体沿从第一辊室朝向第二辊室的第一方向从第一辊室输出，对输出的基体脱气，在第一成膜室，在第一面将第一膜材料成膜，将第一膜材料成膜的基体沿从第二辊室朝向第一辊室的第二方向向第二成膜室引导，在第二成膜室，在沿第二方向引导过程中的基体的、与第一面相反一侧的第二面上将第二膜材料成膜，在设置于第一辊室与第二辊室之间的第三辊室，将在第一面使第一膜材料成膜且在第二面使第二膜材料成膜的基体卷绕成卷筒状，沿第一方向从第一辊室输出在第三辊室卷绕的基体，重复上述全部处理。
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公开(公告)号：CN102758189B
公开(公告)日：2017-07-25
申请号：CN201210130235.3
申请日：2012-04-28
Applicant: 日东电工株式会社
IPC: C23C14/56
CPC classification number: C23C14/568 , C23C14/086 , C23C14/562 , C23C28/32 , C23C28/321 , C23C28/345 , H01L21/67132 , H01L21/67173 , Y10T428/31678
Abstract: 本发明提供一种真空成膜方法及通过该方法得到的层叠体。通过该成膜方法，在卷对卷技术中能够进一步谋求提高作业效率或者进一步谋求改善其技术，该方法包括：在从第一辊室朝向第二辊室的第一方向上从第一辊室抽出第一基体的阶段；对第一基体进行脱气的阶段；在第二成膜室将第二膜材料成膜在第一基体上的阶段；通过在第二辊室卷绕第一基体而生成第一基体的阶段；进而在从第二辊室朝向第一辊室的第二方向上进行用于生产第二基体的同样的动作。在此，在生成成膜有第二膜材料的第一基体时，从第一成膜室去除第一成膜室的第一阴极电极，而且在生成成膜有第一膜材料的第二基体时，从第二成膜室去除第二成膜室的第二阴极电极。
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公开(公告)号：CN102899629B
公开(公告)日：2017-05-03
申请号：CN201210267243.2
申请日：2012-07-30
Applicant: 日东电工株式会社
CPC classification number: C23C16/44 , C23C14/021 , C23C14/562 , C23C16/06 , C23C16/56 , Y10T428/31678
Abstract: 本发明提供一种双面真空成膜方法及利用该方法获得的层积体，该成膜方法能够通过利用简单的装置结构适当地实施加热处理等，有效地制造在双面实施了真空成膜的层积体。将卷绕成卷筒状的长基体的第一面作为被成膜面而沿第一辊室朝向第二辊室的方向从第一辊室输出，对输出的基体进行脱气，在第一成膜室，在脱气的基体的第一面成膜第一膜材料，在第二成膜室，在第一膜材料上成膜第二膜材料，在第二辊室将层积有膜材料的基体卷绕成卷筒状，将与第一面相反一侧的第二面作为被成膜面而沿方向从第一辊室输出卷绕的基体，重复进行上述所有的处理。
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公开(公告)号：CN102899630B
公开(公告)日：2017-03-01
申请号：CN201210268890.5
申请日：2012-07-30
Applicant: 日东电工株式会社
CPC classification number: C23C14/562 , Y10T428/31678
Abstract: 本发明提供双面真空成膜方法及利用该方法获得的层积体，该成膜方法能够通过利用简单的装置结构适当地实施加热处理等，有效地制造在双面实施了真空成膜的层积体。卷成卷筒状的长基体的第一面作为被成膜面，沿从第一辊室朝向第二辊室的第一方向从第一辊室输出卷筒状的长基体，使沿第一方向输出的基体脱气，在第二成膜室在基体第一面将第二膜材料成膜，在第二辊室将使第二膜材料成膜的基体卷绕成卷筒状，沿从第二辊室朝第一辊室的第二方向从第二辊室输出，在第一成膜室在第二膜材料上将第一膜材料成膜，在第一辊室将在第二膜材料上层积第一膜材料的基体卷绕成卷筒状，将与第一辊室卷绕的基体的第一面相反侧的第二面作为被成膜面，重复上述全部处理。
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