公开(公告)号：KR1019970011033A

公开(公告)日：1997-03-27

申请号：KR1019950023803

申请日：1995-08-02

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 이재갑 ,  백영준 ,  은광용

IPC: C30B31/06

Abstract: 본 발명은 열 플라즈마를 형성하는 직류 방전 플라즈마 화학 증착법(DC PACVD)을 이용하여 다이아몬드 후막 합성시에 메탄 조성 및 증착 온도를 변화시킴으로써 집합 조직(texture)을 조절하여 다이아몬드 표면 조도를 회소화하고 양질의 다이몬드를 고속으로 합성하는 방법에 관한 것이다.

公开(公告)号：KR100105943B1

公开(公告)日：1996-10-10

申请号：KR1019930029674

申请日：1993-12-24

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 백영준 ,  은광용

IPC: C01B31/06

公开(公告)号：KR1019960010085B1

公开(公告)日：1996-07-25

申请号：KR1019930029674

申请日：1993-12-24

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 백영준 ,  은광용

IPC: C01B31/06

Abstract: The CVD(chemical vapor deposition) for diamond synthesis contains the filament supported by fixing to both ends of the upper part of the substrate supporter in a vacuum chamber. The filament is double line filament made by processing spiral coil with several single lines and composed of tungsten. The filament is protected from transformation as it is made of double line.

Abstract translation: 用于金刚石合成的CVD（化学气相沉积）包含通过在真空室中固定到基板支撑件的上部的两端而支撑的长丝。 灯丝是通过加工具有几根单线并由钨组成的螺旋线圈制成的双线灯丝。 灯丝由双线制成，防止转变。

公开(公告)号：KR1019960005506B1

公开(公告)日：1996-04-25

申请号：KR1019920022104

申请日：1992-11-23

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 백영준 ,  은광용

IPC: C01B31/06

Abstract: The process of growing diamond crystal using vapor synthesis is performed in such a manner that the degree of adsorption on the phases (111) and (100) forming the diamond crystal is changed by increasing the content of oxygen, to control the texture direction from through to in succession.

Abstract translation: 使用气相合成来生长金刚石晶体的方法是这样一种方式：通过增加氧含量来改变形成金刚石晶体的相（111）和（100）上的吸附程度， 100>至<1110>至<111>。

公开(公告)号：KR1019950017735A

公开(公告)日：1995-07-20

申请号：KR1019930032330

申请日：1993-12-31

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 백영준 ,  이재갑 ,  은광용

IPC: C01B31/06

Abstract: 본 발명은 직류전원 플라즈마 화학증착법을 이용한 다이아몬드막의 고속, 대면적 합성방법에 관한 것이다. 본 발명은 다이아몬드의 고속합성을 위하여 직류전원 플라즈마 화학증착법을 이용하고 대면적합성을 위해 여러개의 음극을 독립적인 직류준원과 연결한 다음극에 의해 양전극 사이에 커다란 크기의 플라즈마를 안정하게 발생 유지시키는데 기술적 특징이 있다. 본 발명에 의한 다이아몬드의 합성시에는 합성속도는 단음극 사용시와 같은 정도의 수십㎛/h의 높은 속도를 얻을 수 있고, 합성면적은 음극의 갯수를 증가시켜 쉽게 증가시킬 수 있어 다이아몬드의 중요한 응용분야인 고열전도성 기판재의 합성이나 적외선투과창등의 다이아몬드 후막합성에 유용하게 이용될 수 있다.

公开(公告)号：KR1019950017733A

公开(公告)日：1995-07-20

申请号：KR1019930029674

申请日：1993-12-24

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 백영준 ,  은광용

IPC: C01B31/06

Abstract: 본 발명은 다이아몬드 합성용 고온 필라멘트 화학중착장치의 필라멘트에 관한 것이다. 본 발명의 필라멘트는 여러가닥의 텅스텐선을 꼬아 이를 나선형태의 코일로 가공하여 이루어지며, 이와갈은 복선은 필라멘트는 양단부가 전극에 고정되도록 설치된다. 본 발명의 필라멘트는 탄화시 길이방향으로 수축이 일어남에 따라 필라멘트의 변형이나 자중에 의한 처짐이 방지되어 필라멘트가 안정화됨에 따라 장시간에 걸쳐 다이아몬드의 합성이 가능하다.