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1.发明专利
公开(公告)号：KR102229318B1
公开(公告)日：2021-03-19
申请号：KR1020190011362A
申请日：2019-01-29
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: C01B32/168 , B01J23/745
CPC classification number: C01B32/168 , B01J23/745
Abstract: 본 발명은 상기와 같은 문제점을 포함하여 여러 문제점들을 해결하기 위한 것으로, 탄소나노튜브의 내부에 포함된 촉매금속입자를 산화열처리로 산화시킴으로써 탄소나노튜브를 화학적으로 안정화 시키는 방법의 제공을 목적으로 한다. 상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 일 관점에 따르면, 촉매금속을 포함하는 탄소나노튜브를 준비하는 단계; 및 상기 탄소나노튜브를 열처리하여 상기 촉매금속을 산화시키는 단계;를 포함한다.
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公开(公告)号：KR102229318B1
公开(公告)日：2021-03-19
申请号：KR1020190011362
申请日：2019-01-29
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: C01B32/168 , B01J23/745
Abstract: 본발명은상기와같은문제점을포함하여여러문제점들을해결하기위한것으로, 탄소나노튜브의내부에포함된촉매금속입자를산화열처리로산화시킴으로써탄소나노튜브를화학적으로안정화시키는방법의제공을목적으로한다. 상기목적을달성하기위한본 발명의일 관점에따르면, 촉매금속을포함하는탄소나노튜브를준비하는단계; 및상기탄소나노튜브를열처리하여상기촉매금속을산화시키는단계;를포함한다.
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公开(公告)号：KR101913675B1
公开(公告)日：2018-11-01
申请号：KR1020160105722
申请日：2016-08-19
Applicant: 한국과학기술연구원
Abstract: 본발명은자유막으로존재하는그라핀소재가 1 원자층의두께, 2 원자층의두께를가지는지여부를검증하는방법으로서, 상기자유막으로존재하는그라핀소재의라만분석에의한라만스펙트럼의저에너지영역(50~300 cm)에서나타나는픽 중에서, 118 cm또는 119 cm에서픽이나타나는경우상기자유막으로존재하는그라핀소재는 2 원자층의두께를가지는그라핀소재이고, 175 cm에서픽이나타나는경우상기자유막으로존재하는그라핀소재는 1 원자층의두께를가지는그라핀소재인것으로판단하는, 그라핀소재의검증방법을제공한다.
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公开(公告)号：KR1020170045969A
公开(公告)日：2017-04-28
申请号：KR1020150146138
申请日：2015-10-20
Applicant: 한국과학기술연구원
Abstract: 본발명은나노그물구조 AA' 흑연의제조방법에관한것으로서, 더욱구체적으로는나노리본상흑연(graphite)과나노분말상그라핀(graphene)을혼합하는혼합단계; 나노리본상흑연및 나노분말상그라핀의혼합시료를열처리하는열처리단계;를통해나노리본상흑연의분자수준에서 3차원나노그물구조(nanonet structure)를갖는탄소구조체를제조함으로써, 원자수준 3차원그물구조에기인하여최고의경도를갖는다이아몬드와같이경도가우수하면서동시에인성까지우수하며, 미세구조상 0.5 내지 10 nm 크기의기공을가질수 있고, 입자, 2차원, 3차원형상으로제조될수 있어, 유연전극소재, 이차전지의전극소재, 고비강도재료, 우주항공용복합재의기초소재및 그밖의기능성소재로널리활용될수 있다.
Abstract translation: 本发明的银纳米网状结构AA“涉及石墨的制造方法，更具体地euroneun混合混合的纳米带状石墨（石墨）和纳米石墨烯的粉末（石墨烯）的步骤; 纳米带状的石墨和纳米粉末的石墨烯热处理步骤热处理的混合样品;通过经由原子水平三维网制备具有三维纳米网状结构（纳米网结构）在石墨的纳米带分子水平的碳结构体 可以在精细结构中具有尺寸为0.5至10nm的孔并且以颗粒，二维或三维形状制造， ，二次电池用电极材料，高强度材料，航空复合材料的基础材料以及其他功能材料。
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公开(公告)号：KR101312104B1
公开(公告)日：2013-09-25
申请号：KR1020110046946
申请日：2011-05-18
Applicant: 한국과학기술연구원
Inventor： 이재갑
CPC classification number: B32B9/00 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01B32/19 , C01B32/194 , C01B32/20 , Y10T428/2918
Abstract: 본 발명은 탄소재료의 제조방법에 관한 것으로서, 더욱 구체적으로, 그라핀 나노분말을 열처리하여 나노 리본상의 흑연 (이하, '그라핀 제어 나노 흑연')을 제조하는 방법과 이를 통하여 제조된 그라핀 제어 나노 흑연에 관한 것으로서, 본 발명의 그라핀 제어 나노 흑연의 제조방법은, 결정성 흑연을 분해하여 그라핀 분말을 준비하는 단계 및 상기 그라핀 분말을 열처리하여 그라핀 제어 나노 흑연을 제조하는 단계를 포함하는 것이고, 본 발명의 그라핀 제어 나노 흑연은 상기 방법으로 제조된 그라핀 제어 나노 흑연이다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR101019029B1
公开(公告)日：2011-03-04
申请号：KR1020080080167
申请日：2008-08-14
Applicant: 한국과학기술연구원
CPC classification number: C30B29/02 , B82Y15/00 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01B32/188 , C23C16/01 , C23C16/26 , C30B25/02 , C30B29/04 , Y10S977/742 , Y10T428/30
Abstract: 본 발명은 모재와 그라핀이 화학적으로 결합된 그라핀 하이브리드 물질 및 화학기상증착(CVD)법을 이용하여 상기 그라핀 하이브리드 물질을 제조하는 방법에 관한 것으로서, 표면에 단절된 격자 면을 갖는 모재와, 상기 모재 표면의 단절된 격자 면을 따라 에피택셜 성장된 그라핀을 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 그라핀 하이브리드 물질을 제공한다. 본 발명에 의하면 그라핀을 직경 8 인치 이상의 대면적으로 제조할 수도 있다.
본 발명에 따른 그라핀 하이브리드 물질은 체내 이식형 바이오칩, 차세대 반도체 소자, 전자 에미터 등과 같은 탄소나노튜브의 응용 분야에 사용될 수 있다. 본 발명의 그라핀은 나노 사이즈보다 작은 분자 수준으로 제어될 수 있으므로, 탄소나노튜브보다 더 뛰어난 특성을 발휘한다. 또한, 그라핀 간 거리가 흑연의 것보다 10∼20% 큰 특성을 이용하면, 그라핀은 다양한 GIC (Graphite Intercalation Compound) 신물질 개발에 응용될 수 있다.
그라핀, 탄소, 분자, 나노, CVD 합성, 다이아몬드, 하이브리드 물질-
公开(公告)号：KR1020090124341A
公开(公告)日：2009-12-03
申请号：KR1020080050480
申请日：2008-05-29
Applicant: 한국과학기술연구원
CPC classification number: B01J3/006 , B01J19/088 , B01J2219/0809 , B01J2219/0879 , B01J2219/0894 , C01B32/20 , C01B32/25 , C01B32/28 , C30B29/04 , C30B33/02 , Y10T428/30 , B32B19/00 , B32B19/04
Abstract: PURPOSE: An AA stacked graphene-diamond hybrid material and a manufacturing method thereof are provided to form the AA stacked grapheme having good property on a diamond substrate with a simple process by changing the diamond surface to graphene. CONSTITUTION: An AA stacked graphene-diamond hybrid material is formed by including AA stacked graphene changed to the constant thickness by alternating disappearance of a partition surface and a diamond base material. A hydrogen atom is combined on a severed diamond lattice in which the graphene and diamond are not combined between the AA stacked grapheme and the changed diamond base material. The diamond base material is powder, a membrane or a sheet form.
Abstract translation: 目的：提供一种AA堆叠的石墨烯 - 金刚石混合材料及其制造方法，通过将金刚石表面改变为石墨烯，通过简单的工艺在金刚石基底上形成具有良好性能的AA堆叠图形。 构成：AA层叠的石墨烯 - 金刚石混合材料通过包括通过分隔表面和金刚石基底材料的交替消失将AA叠层石墨烯包括在恒定厚度上而形成。 氢原子组合在切割的金刚石晶格上，其中石墨烯和金刚石不在AA堆叠的图形和改变的金刚石基材之间组合。 金刚石基材是粉末，膜或片形式。
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公开(公告)号：KR1020090017454A
公开(公告)日：2009-02-18
申请号：KR1020080080167
申请日：2008-08-14
Applicant: 한국과학기술연구원
CPC classification number: C30B29/02 , B82Y15/00 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01B32/188 , C23C16/01 , C23C16/26 , C30B25/02 , C30B29/04 , Y10S977/742 , Y10T428/30
Abstract: A grapheme hybrid material in which grapheme is epitaxially grown to form a predetermined angle to the surface of a matrix using chemical vapor deposition is provided, a method for preparing the same is provided, a method of preparing grapheme to a large diameter of 8 inches or more is provided, and a method of obtaining a grapheme/matrix hybrid material and a carbon nanomaterial/diamond film hybrid material at the same time and obtaining a CVD diamond film and grapheme successively is provided. A grapheme hybrid material comprises: a matrix having a cut lattice plane on the surface thereof; and grapheme epitaxially grown along the cut lattice plane of the matrix surface. A method for preparing a grapheme hybrid material comprises epitaxially growing the graphene along the cut lattice plane of the matrix surface while forming a predetermined angle to the matrix by a chemical vapor deposition method of contacting reaction gas comprising hydrogen and carbon components with a matrix having a cut lattice plane on the surface thereof such that graphene is capable of being epitaxially grown on the cut lattice plane.
Abstract translation: 提供了一种使用化学气相沉积外延生长以形成与基体表面成预定角度的图形化的混合材料，提供了一种制备方法，该方法用于制备8英寸的大直径或 提供了更多的方法，并且提供了一种同时获得图形/矩阵混合材料和碳纳米材料/金刚石膜混合材料并连续获得CVD金刚石膜和图形的方法。 一种图形混合材料包括：在其表面上具有切割晶格面的矩阵; 以及沿矩阵表面的切割晶格面外延生长的图形。 一种制备字母杂化材料的方法包括沿着矩阵表面的切割晶格面外延生长石墨烯，同时通过化学气相沉积方法与基体形成预定的角度，该方法使含有氢和碳组分的反应气体与具有 在其表面上切割晶格面，使得石墨烯能够在切割的晶格面上外延生长。
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公开(公告)号：KR100717132B1
公开(公告)日：2007-05-11
申请号：KR1020050104587
申请日：2005-11-02
Applicant: 한국과학기술연구원
Abstract: 본 발명은 중공형 다이아몬드 쉘이 고분자 수지 등의 모재에 충전된 복합재에 관한 것이다. 반도체 소자의 핵심 소재 중의 하나인 열계면물질(thermal interface material: TIM)의 충전재로서 수 내지 수 십 마이크로미터 크기의 중공형 다이아몬드 쉘 입자를 사용하여 기존 재료의 한계를 뛰어 넘는 고성능 열계면물질 복합재를 제공한다. 이 복합재는 플립 칩(Flip chip) 등의 언더필(underfill) 또는 밀봉(encapsulation) 충전물질로 사용될 수 있으며, 우주선 등의 경량 고강도 재료로 사용될 수 있다.
반도체, 열계면물질, 복합재, 충전재, 다이아몬드 쉘, CVD 다이아몬드, 다공성, 마이크로, 나노, 열방산Abstract translation: 本发明涉及在基材如聚合物树脂中填充有中空金刚石壳的复合材料。 作为半导体器件的核心材料之一的热界面材料（TIM）的填料，使用几微米至几十微米的空心金刚石壳颗粒来形成高性能热界面材料 提供。 这种复合材料可以用作倒装芯片或封装填充材料，例如倒装芯片，并且可以用作诸如太空飞船的轻质高强度材料。
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公开(公告)号：KR1020020023503A
公开(公告)日：2002-03-29
申请号：KR1020000055798
申请日：2000-09-22
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01L21/304
Abstract: PURPOSE: A polishing apparatus for a high-hardness wafer is provided to extend a lifetime of a surface plate and to improve polishing efficiency, by changing the structure of the surface plate and by using a simple power transmission structure to prevent the surface plate from being partly worn away. CONSTITUTION: The high-hardness wafer is polished by friction with the surface plate(1) rotating with respect to a rotation axis(3) connected to a motor(2). The surface plate is so formed to protrude that a polishing part(1') in direct contact with the high-hardness wafer has a width not greater than the diameter of the high-hardness wafer. A wafer rotating apparatus rotates at least one high-hardness wafer over the polishing part. A wafer pressuring apparatus pressures the high-hardness wafer to be closely adhered to the polishing part.
Abstract translation: 目的：提供一种用于高硬度晶片的抛光装置，通过改变表面板的结构和简单的动力传递结构来延长表面板的寿命并提高抛光效率，以防止表面板 部分磨损。 构成：通过与连接到电动机（2）的旋转轴（3）旋转的表面板（1）的摩擦磨擦高硬度晶片。 该表面板被形成为凸出，使得与高硬度晶片直接接触的抛光部分（1'）的宽度不大于高硬度晶片的直径。 晶片旋转装置使抛光部上的至少一个高硬度晶片旋转。 晶片加压装置对高硬度晶片进行压力以紧密地附着于抛光部分。
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