公开(公告)号：KR100768731B1

公开(公告)日：2007-10-19

申请号：KR1020060059135

申请日：2006-06-29

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 박경현 ,  김상훈

IPC: G10L15/22 ,  G10L15/26 ,  G06F17/21

Abstract: 본 발명은 음성대화인터페이스분야에 관한 것으로, 특히 대화흐름 제어를 위한 화행기반 VoiceXML(Voice Extensible Markup Language) 대화장치 및 방법에 관한 것으로, 입력되는 화자의 발성에 대한 대화내용에 따른 대화관리를 처리하는 대화 관리자와, DDML(Dialogue Description Markup Language)을 통한 대화내용에서 추출한 화행정보를 중심으로 상기 대화 관리자의 대화흐름을 제어하는 VoiceXML 모듈을 포함하여 구성되는데 있다.
DDML, VoiceXML,

公开(公告)号：KR1020070080815A

公开(公告)日：2007-08-13

申请号：KR1020060123403

申请日：2006-12-06

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 박승근 ,  박진아 ,  조평동 ,  김상훈

IPC: H04L27/20 ,  H04L27/18

CPC classification number: H04L27/2053

Abstract: An apparatus and a method for I/Q modulation are provided to reduce power consumption for obtaining SER(Symbol Error Rate) performance by deriving a high SER probability performance above 3dB in comparison with a conventional I/Q modulator. An apparatus for I/Q modulation includes an I/Q data generator(700), an oscillator(720), an I/Q sine wave signal generator(740), and a transmission signal generator(760). The I/Q data generator(700) generates I channel data and Q channel data by transforming a binary stream(S1) according to an I/Q modulation method. The oscillator(720) generates sine wave signals. The I/Q sine wave signal generator(740) generates a sine wave signal(S4) of an I channel and a sine wave signal(S5) of a Q channel by controlling a phase of the sine wave signals(S4,S5) based on the I and Q channel data. The transmitting signal generator(760) generates transmission signals(S7) for the I and Q channel data by reflecting the I and Q channel data respectively to I channel sine wave signal and the Q channel sine wave signal.

Abstract translation: 提供了一种用于I / Q调制的装置和方法，以便与传统的I / Q调制器相比，通过导出高于3dB的高SER概率性能来降低获得SER（符号错误率）性能的功耗。 用于I / Q调制的装置包括I / Q数据发生器（700），振荡器（720），I / Q正弦波信号发生器（740）和发送信号发生器（760）。 I / Q数据发生器（700）通过根据I / Q调制方法变换二进制流（S1）来产生I信道数据和Q信道数据。 振荡器（720）产生正弦波信号。 I / Q正弦波信号发生器（740）通过基于正弦波信号（S4，S5）的相位来产生I通道的正弦波信号（S4）和Q通道的正弦波信号（S5） 对I和Q通道数据。 发射信号发生器（760）通过将I和Q信道数据分别反映到I信道正弦波信号和Q信道正弦波信号来产生用于I和Q信道数据的发送信号（S7）。

公开(公告)号：KR100669241B1

公开(公告)日：2007-01-15

申请号：KR1020040106610

申请日：2004-12-15

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 오승신 ,  김종진 ,  최문옥 ,  이영직 ,  김상훈

IPC: G10L13/10

CPC classification number: G10L13/08 ,  G10L13/04

Abstract: 본 발명은 화행 정보를 이용한 대화체 음성합성 시스템 및 방법에 관한 것으로서, 대화 텍스트(dialog text)에서 대화의 맥락(context)에 따라 다른 억양이 구현될 필요가 있는 표현에 대해 두 대화자의 발화 문장으로부터 추출되는 화행(speech act) 정보를 이용하여 억양을 구분하는 태깅을 수행해 주고, 음성 합성시에는 그 태그에 맞는 억양을 갖는 음성 신호를 음성데이타베이스에서 추출하여 합성에 사용함으로써 대화의 흐름에 맞는 자연스럽고 다양한 억양을 구현함으로써, 대화의 상호작용(interaction)적인 측면을 좀더 실감나게 표현할 수 있어 대화음성의 자연성의 증진 효과를 기대할 수 있다.
대화체 음성합성시스템(Dialog-style Text-to-Speech system), 대화체 텍스트(dialog text), 음성 합성(speech synthesis), 맥락(context), 화행(speech act), 억양(intonation)

公开(公告)号：KR100655491B1

公开(公告)日：2006-12-11

申请号：KR1020040109126

申请日：2004-12-21

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 김상훈 ,  이영직

IPC: G10L15/01 ,  G10L15/28

CPC classification number: G10L15/08

Abstract: 본 발명은 음성인식 시스템에서의 2단계 발화 검증 방법 및 장치에 관한 것으로, 특히 음성인식의 탐색 모듈(Search)에서 출력되는 값을 주로 이용하여 검증하는 발화검증 1단계와 인식엔진의 각 모듈(End-point detection, Speech verification, Noise reduction, Search, Utterance verification, 기타 metadata)로부터 출력되는 유효한 값을 최대한 활용하여 카트(CART)로 검증하는 발화검증 2단계로 나누어 이루어진 것을 특징으로 하며, 이러한 본 발명은 인식수행 단계별 출력되는 중간결과값 및 메타데이터를 최대한 많이 활용하고, 이러한 이질적인 특징을 수용할 수 있도록 카트(CART) 패턴분류 방법으로 재차 검증해 줌으로써, 발화검증의 신뢰도를 향상시켜 사용자에게 보다 더 질높은 음성인식 서비스를 제공해 준다는 뛰어난 효과가 있다.
음성인식 시스템, 음성 발화분석, SVM 패턴분류, CART 패턴분류,

Abstract translation: 本发明涉及一种用于在语音识别系统中验证两步语音的方法和设备，更具体地说，涉及一种语音识别验证方法，该方法包括使用从语音识别的搜索模块输出的值进行验证的第一步骤， （CART）利用来自多个微处理器（例如微处理器，微处理器，微处理器，微处理器，微处理器等）的有效值输出。 尽可能利用中间结果和元数据进行识别阶段的输出，并且通过给它再次验证购物车（CART）的模式分类方法来适应这些不同的功能，提高了点火的证明比用户更好的质量的可靠性 它具有提供高语音识别服务的卓越效果。

公开(公告)号：KR100644814B1

公开(公告)日：2006-11-14

申请号：KR1020050106584

申请日：2005-11-08

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 오승신 ,  김상훈 ,  이영직

IPC: G10L13/033 ,  G10L13/10

Abstract: A device and a method for synthesizing voices are provided to realize various styles of voices with a voice database of a singular radio performer, thereby vividly expressing conversation voices. Levels of intimacy are defined(S10). Voices recording text constructed corresponding to each intimacy level are stored(S20). At least one of a sentence final intonation contour pattern, an intonation pattern of a primary intonation phrase in a sentence, and a pitch mean value of a sentence of each voice data is statistically modeled to extract a metrical characteristic according to each intimacy(S30). Rhythm models by intimacy levels are generated based on the extracted metrical characteristic(S40).

Abstract translation: 提供了一种用于合成语音的设备和方法，以利用单一无线电演员的语音数据库来实现各种类型的语音，由此生动地表达会话语音。 亲密度水平被定义（S10）。 存储对应于每个亲密度等级构造的记录文本的声音（S20）。 的至少一个的句末语调轮廓图案的，伯语调短语的句子中的一个语调模式，以及基音意味着每个语音数据的一个句子的值统计学建模根据每个亲密提取韵律特性（S30） 。 基于提取的度量特性生成亲密度级别的节奏模型（S40）。

公开(公告)号：KR1020060067714A

公开(公告)日：2006-06-20

申请号：KR1020040106607

申请日：2004-12-15

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 전형배 ,  김상훈

IPC: G10L15/02

Abstract: 본 발명은 적응 반음소 모델을 이용한 음성인식 서비스 방법에 관한 것으로, 특히 음향 모델과 반음소 모델을 훈련하는 제 100 단계(S100); 유사한 서비스 환경에서 음성 신호를 수집하는 제 200 단계(S200); 개발용 및 훈련용 음성 신호 집합으로 훈련된 반음소 모델을 사용하여 반음소 모델을 적응시키는 제 300 단계(S300); 적응된 반음소 모델을 사용하여 실제 음성인식 서비스를 수행하는 제 400 단계(S400); 실제 음성인식 서비스를 통해 사용된 음성신호를 수집하는 제 500 단계(S500); 상기 실제 서비스 음성신호 집합을 사용하여 반음소 모델을 적응시키는 제 600 단계(S600); 및 새로운 실제 서비스 환경에 적응된 반음소 모델을 사용하여 실제 음성인식 서비스를 수행하는 제 700 단계(S700)로 이루어진 것을 특징으로 하며, 이러한 본 발명은 발화검증의 성능이 향상시키고, 음성인식 시스템의 출력 결과에 대한 신뢰도를 향상시키는 뛰어난 효과가 있다.
음성인식 시스템, 발화검증, 적응 반음소 모델, 로그-유사도 비율,

公开(公告)号：KR1020060062884A

公开(公告)日：2006-06-12

申请号：KR1020040101879

申请日：2004-12-06

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 이수종 ,  박문환 ,  김상훈 ,  이영직 ,  김응규

IPC: G10L15/20

Abstract: 본 발명은 잡음환경하의 음성인식엔진 평가 시스템 및 자동화 방법에 관한 것으로서, 클라이언트 단말을 통해 잡음과 대상어휘 음성을 조합하여 출력시키는 단계와, 상기 조합된 데이터를 입력받은 서버에서 잡음을 제거하고 음성인식 처리를 수행하여 상기 대상어휘를 출력시키는 단계로 진행하여, 다양한 잡음의 조합, 잡음의 크기, 반복을 설정한 후 음성과 결합시켜 테스트할 수 있기 때문에, 잡음의 종류와 크기에 따라 음성인식에 얼마나 많은 영향을 미치는 지를 실시간으로 확인할 수 있다.
다중잡음, 음성결합, 음성인식엔진, 분석자동화

公开(公告)号：KR1020060062099A

公开(公告)日：2006-06-12

申请号：KR1020040100826

申请日：2004-12-03

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 배현철 ,  이승윤 ,  김상훈 ,  강진영

IPC: H01L27/06

CPC classification number: H01L21/8249

Abstract: 본 발명은 실리콘 게르마늄(SiGe) 바이시모스(Bipolar CMOS; BiCMOS) 소자의 제조 방법을 개시한다. 니켈 실리사이드 공정을 적용함으로써 이종접합 바이폴라 트랜지스터(HBT)의 고주파 특성이 향상되고, CMOS 소자의 선폭 감소에 따른 급격한 접촉저항의 증가가 방지되어 고주파 및 아날로그 특성이 우수한 이종접합 바이폴라 트랜지스터(HBT)를 CMOS 소자와 같이 집적할 수 있으며, 소오스 및 드레인이 니켈(Ni) 실리사이드층을 통해 외부의 배선과 연결되기 때문에 접촉저항이 감소되어 저전압 및 저전력의 동작이 가능해지고, 저전압의 아날로그 회로 동작에서 넓은 동작영역을 확보할 수 있다.
BiCMOS, HBT, CMOS, 니켈, 실리사이드, 에피층, 접촉저항

公开(公告)号：KR1020040043899A

公开(公告)日：2004-05-27

申请号：KR1020020072346

申请日：2002-11-20

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 이승윤 ,  박찬우 ,  김상훈 ,  심규환 ,  강진영

IPC: H01L27/06

Abstract: PURPOSE: A silicon-germanium BICMOS using a selective epitaxial growth method is provided to reduce base resistance and contact resistance by forming a base and a base electrode as a silicon-germanium layer and a silicon layer, respectively. CONSTITUTION: A collector(27), a collector connector(28), an n-well(29), and a p-well(30) are formed on a semiconductor substrate(200) including an isolation layer(201). A first oxide layer is formed on the semiconductor substrate. A PMOS transistor and an NMOS transistor are formed on the n-well and the p-well, respectively. The first oxide layer is removed from the collector. A base is formed by depositing selectively an epitaxial layer including germanium on the collector. A second oxide layer is formed on an entire surface of the semiconductor substrate. A base electrode(41a) is formed by forming and patterning a conductive layer. A third oxide layer is formed on the entire surface of the semiconductor substrate. A part of the base is exposed by patterning sequentially the third oxide layer, the base electrode, and the pad oxide layer. A sidewall-insulating layer(44) is formed on a sidewall of the patterned third oxide layer, the patterned base electrode, and the patterned pad oxide layer. An emitter electrode(45) is formed on a predetermined region of the base by forming and patterning a conductive layer thereon.

Abstract translation: 目的：提供使用选择性外延生长方法的硅锗BICMOS，通过分别形成作为硅 - 锗层和硅层的基极和基极来降低基极电阻和接触电阻。 构成：在包括隔离层（201）的半导体衬底（200）上形成有集电体（27），集电极连接器（28），n阱（29）和p阱（30）。 第一氧化物层形成在半导体衬底上。 分别在n阱和p阱上形成PMOS晶体管和NMOS晶体管。 将第一氧化物层从集电体上除去。 通过在收集器上选择性地沉积包括锗的外延层来形成基底。 第二氧化物层形成在半导体衬底的整个表面上。 通过形成导电层形成图案来形成基极（41a）。 在半导体衬底的整个表面上形成第三氧化物层。 通过依次构图第三氧化物层，基底电极和衬垫氧化物层来曝光基底的一部分。 侧壁绝缘层（44）形成在图案化的第三氧化物层，图案化基极和图案化衬垫氧化物层的侧壁上。 通过在其上形成和图案化导电层，在基底的预定区域上形成发射电极（45）。

公开(公告)号：KR100400078B1

公开(公告)日：2003-09-29

申请号：KR1020010050743

申请日：2001-08-22

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 박찬우 ,  이승윤 ,  김상훈 ,  심규환 ,  강진영

IPC: H01L29/737

Abstract: PURPOSE: A method for fabricating a hetero-junction dipole transistor is provided to reduce base parasitic resistance and parasitic capacitance between a base and a collector by forming a thick silicon base electrode layer without a damage of a base epitaxial layer. CONSTITUTION: A base epitaxial layer(310) is grown on a substrate(300). A nitride layer(312) is deposited on the base epitaxial layer(310). The first aperture is formed by patterning the nitride layer(312). An emitter electrode(314) is formed by depositing and patterning polysilicon on the substrate(300). An oxide layer(316) is formed on a sidewall and an upper wall of the emitter electrode(314). The nitride layer(312) is etched by using the oxide layer(316) as an etch mask. A base electrode(318) is formed by depositing polysilicon(318) and patterning the polysilicon(318) and the base epitaxial layer(310). The second aperture is formed by etching the polysilicon(318) and the oxide layer(316). An emitter contact window, a base contact window, and a collector contact window are formed by depositing and patterning an insulating layer(324) on the substrate(300). An emitter terminal(328), a base terminal(326), and a collector terminal(330) are formed by depositing and patterning metal on the substrate(300).

Abstract translation: 目的：提供一种制造异质结双极晶体管的方法，通过在不损坏基极外延层的情况下形成厚的硅基电极层来降低基极与集电极之间的基极寄生电阻和寄生电容。 构成：在衬底（300）上生长基极外延层（310）。 氮化物层（312）沉积在基极外延层（310）上。 第一孔径通过图案化氮化物层（312）形成。 发射极（314）通过在衬底（300）上沉积并构图多晶硅而形成。 氧化物层（316）形成在发射极电极（314）的侧壁和上壁上。 通过使用氧化物层（316）作为蚀刻掩模来蚀刻氮化物层（312）。 通过沉积多晶硅（318）并图案化多晶硅（318）和基极外延层（310）来形成基极（318）。 通过蚀刻多晶硅（318）和氧化物层（316）形成第二孔。 通过在衬底（300）上沉积并图案化绝缘层（324）来形成发射极接触窗口，基极接触窗口和集电极接触窗口。 通过在衬底（300）上沉积并图案化金属来形成发射极端子（328），基极端子（326）和集电极端子（330）。