公开(公告)号：KR100416266B1

公开(公告)日：2004-01-24

申请号：KR1020010080358

申请日：2001-12-18

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이은성 ,  이문철 ,  김현옥

IPC: B81C1/00

CPC classification number: B81B3/0078 ,  B81B2203/0307 ,  B81C2201/0109

Abstract: A fabrication method for a MEMS structure, the MEMS structure including a fixing portion fixed to the substrate and a floating portion floating above the substrate. A sacrificial layer deposited on the substrate is patterned to have a groove forming a space surrounding the area corresponding to the area in which the fixing portion is to be formed. If the MEMS structure is deposited on the sacrificial layer, a sidewall is formed inside the space and the fixing portion and the floating portion are formed on the sacrificial layer. If the sacrificial layer is removed using an etchant, the sacrificial layer at the bottom of the fixing portion is protected from the etchant by the sidewall and accordingly, the sacrificial layer except the area surrounded by the sidewall is removed. Therefore, only the sacrificial layer under the floating portion is removed. Because the connecting portion is fabricated to have the same thickness as the fixing portion and the floating portion, a strong/durable MEMS structure is provided. Additionally, the boundary between the fixing portion and the floating portion can be precisely determined, and adjustment of the length of the floating portion can be precisely controlled.

Abstract translation: 一种用于MEMS结构的制造方法，所述MEMS结构包括固定到所述衬底的固定部分和浮动在所述衬底上方的漂浮部分。 沉积在衬底上的牺牲层被图案化以具有凹槽，该凹槽形成围绕对应于待形成固定部分的区域的区域的空间。 如果MEMS结构沉积在牺牲层上，则在该空间内形成侧壁，并且在牺牲层上形成固定部分和浮置部分。 如果使用蚀刻剂去除牺牲层，则通过侧壁保护固定部分底部的牺牲层免受蚀刻剂影响，并且因此除了由侧壁围绕的区域之外的牺牲层被去除。 因此，仅浮动部分下的牺牲层被去除。 因为连接部分被制造成具有与固定部分和浮动部分相同的厚度，所以提供了坚固/耐用的MEMS结构。 另外，可以精确地确定固定部分和浮动部分之间的边界，并且可以精确地控制浮动部分的长度的调整。 ＆lt;图像＆GT;

公开(公告)号：KR1020030049992A

公开(公告)日：2003-06-25

申请号：KR1020010080358

申请日：2001-12-18

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이은성 ,  이문철 ,  김현옥

IPC: B81C1/00

CPC classification number: B81B3/0078 ,  B81B2203/0307 ,  B81C2201/0109

Abstract: PURPOSE: A MEMS structure having a blocked-sacrificial layer support and a manufacturing method thereof are provided to allow the MEMS structure to be easily connected to other electric circuits by securely connecting a fixing part fixed to a substrate to a lifting part, which is lifted from the substrate. CONSTITUTION: A sacrificial layer is deposited on a substrate(410). The sacrificial layer is patterned so as to form a space surrounding at least some part of a predetermined region corresponding to a region, in which a fixing part(431) is formed. Then, a MEMS structure layer is deposited on the sacrificial layer, thereby forming a sidewall(435) in the space and forming the fixing part(431) and a lifting part(433) on the sacrificial layer. After that the sacrificial layer is removed by using an etchant. The etchant supplied into some part of the sacrificial layer is shielded by the sidewall so that the sacrificial layer except for a part surrounded by the sidewall(435) is removed.

Abstract translation: 目的：提供具有阻挡牺牲层支撑的MEMS结构及其制造方法，以通过将固定在基板上的固定部牢固地连接到提升部分上而使MEMS结构容易地连接到其它电路 从底物。 构成：牺牲层沉积在衬底（410）上。 牺牲层被图案化以形成围绕与形成固定部分（431）的区域相对应的预定区域的至少一部分的空间。 然后，在牺牲层上沉积MEMS结构层，从而在该空间中形成侧壁（435），并在牺牲层上形成固定部分（431）和提升部分（433）。 之后，通过使用蚀刻剂去除牺牲层。 提供给牺牲层的一部分的蚀刻剂被侧壁屏蔽，使得除了被侧壁（435）包围的部分之外的牺牲层被去除。

公开(公告)号：NO20020675A

公开(公告)日：2002-04-11

申请号：NO20020675

申请日：2002-02-11

Applicant: ADC TELECOMMUNICATIONS INC

Inventor： ZHANG NAN

IPC: G02B26/02 ,  B81B3/00 ,  B81C1/00 ,  G02B6/35 ,  H02N1/00 ,  G02B

CPC classification number: G02B6/357 ,  B81B2201/033 ,  B81B2201/045 ,  B81C1/00182 ,  B81C2201/0109 ,  B81C2203/0136 ,  G02B6/3514 ,  G02B6/3518 ,  G02B6/3544 ,  G02B6/3584 ,  H02N1/008

公开(公告)号：JP2017519646A

公开(公告)日：2017-07-20

申请号：JP2016573545

申请日：2014-06-16

Applicant: エプコス アクチエンゲゼルシャフトEpcos Ag ,  エプコス アクチエンゲゼルシャフトEpcos Ag

Inventor： グドルン ヘン， ,  グドルン ヘン， ,  マルセル ギーセン， ,  マルセル ギーセン， ,  デッカー， アルノルダス デン ,  デッカー， アルノルダス デン ,  ジャン−ルイ ポーニン， ,  ジャン−ルイ ポーニン， ,  ダミエン サン−パトリス， ,  ダミエン サン−パトリス， ,  ブルーノ レイ， ,  ブルーノ レイ，

IPC: B81B7/02 ,  B81C1/00 ,  H01L23/02

CPC classification number: B81C1/00293 ,  B81B7/0041 ,  B81B2203/0315 ,  B81C2201/0109 ,  B81C2201/013 ,  B81C2201/0176 ,  B81C2203/0136 ,  B81C2203/0145

Abstract: 本発明は、マイクロエレクトロニクスパッケージ(1)に関し、当該マイクロエレクトロニクスパッケージは、少なくとも1つの第1の開口部(3)を有し、かつ1つの第1のキャビティ(4)を画定する1つのマイクロエレクトロニクスパターン(2)と、少なくとも1つの第2の開口部(10)を有し、かつ当該第1のキャビティ(4)に接続される第2のキャビティ(11)を画定する1つのキャッピング層(9)とを備え、ここで当該キャッピング層(9)は、当該第2の開口部(10)が当該第1の開口部(3)の上方に配設されるように、当該マイクロエレクトロニクスパターン(2)の上方に配設されており、そして当該第2の開口部(10)を覆う1つのシーリング層(13)を備え、これにより当該第1のキャビティ(11)および当該第2のキャビティ(4)がシーリングされる。さらに、本発明はこのマイクロエレクトロニクスパッケージ(1)を製造する方法に関する。【選択図】図1

公开(公告)号：JP6066947B2

公开(公告)日：2017-01-25

申请号：JP2014047620

申请日：2014-03-11

Applicant: シーゲイト テクノロジー エルエルシー ,  Seagate Technology LLC

Inventor： ウェイ・ティエン ,  ベンカテスワラ・ラオ・イントゥリ ,  ダグ・リン ,  フアチン・イン ,  ジャオミン・チュ

IPC: G11B5/31

CPC classification number: G11B5/3176 ,  G11B5/1278 ,  G11B5/187 ,  G11B5/232 ,  G11B5/235 ,  G11B5/3109 ,  G11B5/3116 ,  G11B5/3143 ,  G11B5/3163 ,  B81C1/00611 ,  B81C2201/0109 ,  C09K13/00 ,  C23F4/00 ,  G03F7/0041

公开(公告)号：JP5864612B2

公开(公告)日：2016-02-17

申请号：JP2013549897

申请日：2012-01-24

Applicant: メムススター リミテッド

Inventor： オハラ,アンソニー

IPC: H01L21/302 ,  B81C1/00 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/30604 ,  B81C1/00595 ,  H01L21/31116 ,  B81C2201/0109 ,  B81C2201/0132

公开(公告)号：JP2014504805A

公开(公告)日：2014-02-24

申请号：JP2013549897

申请日：2012-01-24

Applicant: メムススター リミテッド

Inventor： オハラ，アンソニー

IPC: H01L21/3065 ,  B81C1/00 ,  H01L21/302

CPC classification number: H01L21/30604 ,  B81C1/00595 ,  B81C2201/0109 ,  B81C2201/0132 ,  H01L21/31116

Abstract: エッチングガス、すなわちフッ化水素（ＨＦ）蒸気を使用することによって、微小電気機械素子（ＭＥＭＳ）などの微細構造の犠牲二酸化ケイ素（ＳｉＯ
２ ）部分は、ＭＥＭＳの他の部分、特に窒化ケイ素（Ｓｉ
３ Ｎ
４ ）の部分に対して高い選択性を有するようにエッチングが実施される。 これは、ＨＦ蒸気内の一フッ化反応種（Ｆ
− およびＨＦ）に対する二フッ化反応種（ＨＦ
２
− およびＨ
２ Ｆ
２ ）の比率を増加させるのに適した第２の非エッチングガスを加えることによって実現する。 第２の非エッチングガスは水素化合物ガスを含みうる。 ＨＦ蒸気内の一フッ化反応種（Ｆ
− およびＨＦ）に対する二フッ化反応種（ＨＦ
２
− およびＨ
２ Ｆ
２ ）の比率は、エッチング動作温度を２０℃以下に設定することによっても増加させることができる。
【選択図】図２

Abstract translation: 通过使用蚀刻剂气体，即氟化氢（HF）蒸气在诸如微电子机械结构（MEMS）的微结构中蚀刻牺牲二氧化硅（SiO 2）部分，对MEMS内的其它部分具有更高的选择性， 特别是氮化硅（Si 3 N 4）的一部分。 这通过添加适合于增加HF蒸气中二氟化物反应性物质（HF 2和H 2 F 2）与单氟化物反应性物质（F-和HF）的比例的二次非蚀刻剂气体来实现。 次级非蚀刻剂气体可以包括氢化合物气体。 通过将蚀刻操作温度设定为20℃或更低，也可以增加氟化氢反应物质（HF 2 - 和H 2 F 2）与HF蒸气中的单氟化物反应性物质（F-和HF）的比例。

公开(公告)号：JP2011525861A

公开(公告)日：2011-09-29

申请号：JP2011512625

申请日：2009-06-03

Applicant: クォルコム・メムズ・テクノロジーズ・インコーポレーテッド

Inventor： ウォン・スク・チュン ,  ジェイムズ・ランドルフ・ウェブスター ,  シャオミン・ヤン ,  タン・ギア・ツ

IPC: B81C1/00 ,  G02B26/02

CPC classification number: B81B3/0008 ,  B81B2201/042 ,  B81C2201/0107 ,  B81C2201/0109 ,  B81C2201/115 ,  G02B26/001 ,  Y10T428/24917

Abstract: Methods of fabricating an electromechanical systems device that mitigate permanent adhesion, or stiction, of the moveable components of the device are provided. The methods provide an amorphous silicon sacrificial layer with improved and reproducible surface roughness. The amorphous silicon sacrificial layers further exhibit excellent adhesion to common materials used in electromechanical systems devices.

公开(公告)号：JP2010509081A

公开(公告)日：2010-03-25

申请号：JP2009536205

申请日：2007-11-09

Applicant: エージェンシー フォー サイエンス, テクノロジー アンド リサーチAgency For Science,Technology And Research

Inventor： ビィクネシュ エス／オー サームガナサン， ,  スドヒランヤン トリパシー，

IPC: B81B3/00 ,  B81C1/00 ,  H01L21/302 ,  H01L33/32

CPC classification number: B81C1/00484 ,  B81C2201/0109 ,  B81C2201/0132 ,  B81C2201/017

Abstract: A micromechanical structure and a method of fabricating a micromechanical structure are provided. The micromechanical structure comprises a silicon (Si) based substrate; a micromechanical element formed directly on the substrate; and an undercut formed underneath a released portion of the micromechanical element; wherein the undercut is in the form of a recess formed in the Si based substrate.

公开(公告)号：JP4431502B2

公开(公告)日：2010-03-17

申请号：JP2004564805

申请日：2003-10-23

Applicant: フリースケール セミコンダクター インコーポレイテッド

Inventor： ゴゴイ、ビシュヌ

IPC: B81C1/00 ,  B81B3/00 ,  H01L21/00 ,  H01L21/02 ,  H01L21/20 ,  H01L21/36 ,  H01L27/12

CPC classification number: B81B3/001 ,  B81C2201/0109 ,  B81C2201/0177