公开(公告)号：CN1906724B

公开(公告)日：2010-05-05

申请号：CN200580001426.8

申请日：2005-06-03

Applicant: 韩国电子通信研究院

Inventor： 宋润镐 ,  李镇浩 ,  姜光镛

IPC: H01J1/30

CPC classification number: H01J3/021 ,  B82Y10/00 ,  H01J29/467 ,  H01J29/481 ,  H01J2201/30469

Abstract: 提供了一种场致发射器件以及利用该器件的场致发射显示装置。所述场致发射器件包括：阴极部分，所述阴极部分含有基板、形成在所述基板上的阴极电极以及连接到所述阴极电极的场致发射体；形成在所述场致发射体周围的阴极部分上并包围所述场致发射体的场致发射抑制栅极部分；以及场致发射诱发栅极部分，所述场致发射诱发栅极部分含有具有至少一个穿透孔的金属网和形成在所述金属网的至少一部分上的介电层，其中所述场致发射抑制栅极部分抑制电子从所述场致发射体发射，并且所述场致发射诱发栅极部分诱发电子从所述场致发射体发射。根据这种结构，能够显著改善场致发射器件的传统问题，包括栅极漏电流、由阳极电压引起的电子发射和电子束发散。

公开(公告)号：CN100533644C

公开(公告)日：2009-08-26

申请号：CN200610081022.0

申请日：2006-05-19

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 李相辰

IPC: H01J29/02 ,  H01J1/30 ,  H01J1/46 ,  H01J31/12 ,  H01J9/02

CPC classification number: H01J3/021 ,  H01J29/467 ,  H01J31/127 ,  H01J63/02 ,  H01J2329/4613

Abstract: 一种电子发射装置包括：基板、在该基板上沿该基板的一个方向形成的阴电极、横跨阴电极并插入绝缘层的栅电极、在该栅电极和绝缘层上形成的开口、以及位于阴电极上的各开口内的电子发射区。每个栅电极包括主体、围绕各电子发射区并从该主体以一定距离隔开的隔离部分、以及互连至少其中一个隔离部分和该主体的连接器。该连接器被选择性地去除，以使得至少其中一个隔离部分与主体电绝缘，从而提高每个像素的发光均匀度。

公开(公告)号：CN101013642A

公开(公告)日：2007-08-08

申请号：CN200610143365.5

申请日：2006-11-06

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 崔濬熙 ,  姜昊锡 ,  白瓉郁 ,  金河钟

IPC: H01J9/02 ,  H01J9/00 ,  H01J31/12

CPC classification number: H01J9/025 ,  H01J3/021

Abstract: 本发明提供制造场发射装置(FED)的方法，其中光掩模构图工艺的数目低并且FED的制造产率能够提高。该方法包括：在基板上顺序形成阴极层、第一绝缘层、以及栅极电极层；在栅极电极层上形成保护层以覆盖栅极电极层的顶面；通过蚀刻保护层和栅极电极层的预定部分暴露第一绝缘层的部分以形成在至少一行内的多个第一开口孔；形成第二绝缘层、聚焦电极层、光致抗蚀剂层；通过构图光致抗蚀剂层及使用光致抗蚀剂层作为蚀刻掩模暴露第二绝缘层的部分以形成分别对应于第一开口孔的行的第二开口孔；通过从第二绝缘层的暴露表面蚀刻到第一绝缘层的底表面形成暴露阴极层的部分的发射器孔；去除光致抗蚀剂层；及在阴极层的暴露表面上形成电子发射发射器。

公开(公告)号：CN1909142A

公开(公告)日：2007-02-07

申请号：CN200610108357.7

申请日：2006-08-02

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 酒井忠司 ,  小野富男 ,  佐久间尚志 ,  吉田博昭 ,  铃木真理子

IPC: H01J1/00 ,  H01J1/30 ,  H01J1/34

CPC classification number: H01J21/04 ,  H01J3/021

Abstract: 本发明提供一种电子发射装置，其可稳定地发射电子，并且尽管施加低电压，也能实现电子的高输出。该电子发射装置具有：构成放电单元的一面的室内阴极；与室内阴极相对配置的金刚石隔壁；通过被配置在室内阴极与金刚石隔壁的第1面之间而形成密封空间的绝缘体；被封入密封空间内惰性气体；被配置成隔着真空，与金刚石隔壁的第1面的反对面、即第2面相对配置的放电阳极；第1电源在室内阴极与金刚石隔壁之间，把金刚石隔壁作为阳极侧来施加电压的第1电源；和在金刚石隔壁与放电阳极之间，把放电阳极作为阳极侧来施加电压的第2电源。

公开(公告)号：CN1299311C

公开(公告)日：2007-02-07

申请号：CN02811770.0

申请日：2002-06-10

Applicant: 惠普公司

Inventor： 陈之章 ,  R·L·恩克 ,  S·拉马穆尔蒂 ,  Q·刘

IPC: H01J3/02 ,  H01J1/312

CPC classification number: H01J3/02 ,  B82Y10/00 ,  H01J1/30 ,  H01J1/312 ,  H01J3/021 ,  H01J9/022 ,  H01J2237/1205

Abstract: 一种用于产生电子透镜(28)的方法，包括在电子发射器(60)的发射器表面(36)上施加一聚合物层(12)，然后固化所述聚合物层(12)以减少挥发物含量的步骤。

公开(公告)号：CN1293591C

公开(公告)日：2007-01-03

申请号：CN03122423.7

申请日：2003-04-25

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 井东崇志 ,  山内真英 ,  藤井宏治

IPC: H01J29/48 ,  H01J1/30

CPC classification number: H01J29/481 ,  H01J3/021 ,  H01J29/467

Abstract: 本发明的课题是一种显像管器件，它包括备有阴极、周边聚焦电极及加速电极的冷阴极电子枪，上述阴极用绝缘层连接发射极电极和栅电极，其中，使栅电极、周边聚焦电极、加速电极各自与发射极电极的电位差分别为60V、0V、4.6kV。

公开(公告)号：CN1258204C

公开(公告)日：2006-05-31

申请号：CN02115227.6

申请日：2002-05-16

Applicant: 中山大学

Inventor： 许宁生 ,  陈军 ,  邓少芝 ,  佘峻聪

IPC: H01J29/48

CPC classification number: H01J3/021 ,  H01J3/029 ,  H01J29/481

Abstract: 本发明公开了一种冷阴极电子枪。其在底座上固定有一冷阴极材料做成的冷阴极，在冷阴极的正上方有一网状栅极，在网状栅极的正上方有一圆孔状的聚焦极，上述电极均通过支架相互绝缘地固定在底座上。聚焦极的正上方还可以设置一网状屏蔽极，屏蔽极通过屏蔽极支架固定在底座上。屏蔽极的采用主要看应用的场合，在像素管这种比较小的器件之中需要，在冷光源的应用中可以不用。本发明所述的冷阴极电子枪结构简单，性能优良，主要应用于电子源、冷阴极电光源和像素管，也可以应用于其他具有同类要求的场合。

公开(公告)号：CN1776878A

公开(公告)日：2006-05-24

申请号：CN200510113264.9

申请日：2005-08-30

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 李天珪 ,  崔龙洙 ,  李炳坤 ,  李相祚

IPC: H01J29/02 ,  H01J29/04 ,  H01J1/30 ,  H01J9/02 ,  H01J31/12

CPC classification number: H01J29/481 ,  H01J3/021 ,  H01J9/148 ,  H01J29/467 ,  H01J31/127

Abstract: 本发明涉及一种电子发射装置，其在不增大用于产生电子发射的驱动电压的情况下增加电子的发射量。所述电子发射装置包括衬底、形成在该衬底上的第一电极、电连接到第一电极的电子发射区、以及与第一电极在不同平面上的第二和第三电极。第二和第三电极接收相同的电压，并形成用于从电子发射区发射电子的电场。第四电极可以位于基本上与第一电极相同的平面，并接收与第二和第三电极相同的电压。

公开(公告)号：CN1728321A

公开(公告)日：2006-02-01

申请号：CN200510088149.0

申请日：2005-07-29

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 柳敬善 ,  黄成渊

IPC: H01J9/02 ,  H01J1/30 ,  H01J29/02

CPC classification number: H01J9/025 ,  H01J3/021 ,  H01J29/481

Abstract: 在一种制造电子发射器件的方法中，在衬底上首先形成阴极。在衬底的整个表面上形成绝缘层使得该绝缘层覆盖所述阴极。所述绝缘层被湿法刻蚀两次或更多次，使得在该绝缘层上形成每个都具有大于1的高宽比的孔。在所述绝缘层上形成栅极。在所述绝缘层的孔内的阴极上形成电子发射区。使用具有同样尺寸孔的剥蚀掩模图样实施各个刻蚀，使得造成底切。

公开(公告)号：CN1725418A

公开(公告)日：2006-01-25

申请号：CN200510081370.3

申请日：2005-06-28

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 黄成渊

IPC: H01J3/02 ,  H01J29/02 ,  H01J9/02 ,  H01J31/12

CPC classification number: H01J3/021 ,  H01J29/467 ,  H01J31/127

Abstract: 本发明公开了一种电子发射装置及其制备方法。该电子发射装置包括：形成于基板上的电子发射区；多个驱动电极，用于控制从电子发射区的电子发射；聚焦电极，设置于与任何一个驱动电极所在的同一平面上并与驱动电极间隔开预定距离。聚焦电极的部分具有比驱动电极要大的厚度。设置于同一平面的聚焦电极和驱动电极是用彼此平行前行的直线部分和多个从直线部分相对延伸的延伸部分形成，并且聚焦电极的延伸部分和驱动电极的延伸部分在基板的一方向上交替重复。