公开(公告)号：WO2009120641A2

公开(公告)日：2009-10-01

申请号：PCT/US2009/037992

申请日：2009-03-23

Applicant: APPLIED MATERIALS, INC. ,  PAIK, Young, Jeen ,  BARRENTINE, Melvin ,  DESAI, Abhijit, Y. ,  NGUYEN, Hai ,  BHATNAGAR, Ashish ,  ALAGARSAMY, Rajkumar

Inventor： PAIK, Young, Jeen ,  BARRENTINE, Melvin ,  DESAI, Abhijit, Y. ,  NGUYEN, Hai ,  BHATNAGAR, Ashish ,  ALAGARSAMY, Rajkumar

IPC: H01L21/304

CPC classification number: H01L21/6838 ,  B24B37/30 ,  H01L21/0201 ,  H01L21/30625 ,  Y10T428/24355 ,  Y10T428/24612

Abstract: A method and apparatus for planarizing a substrate are provided. A substrate carrier head with an improved cover for holding the substrate securely is provided. The cover may have a bead that is larger than the recess into which it fits, such that the compression forms a conformal seal inside the recess. The bead may also be left uncoated to enhance adhesion of the bead to the surface of the groove. The surface of the cover may be roughened to reduce adhesion of the substrate to the cover without using a non-stick coating.

Abstract translation: 提供了一种用于平坦化基板的方法和装置。 提供了一种具有改进的用于固定基板的盖的基板载体头。 盖可以具有比其配合的凹部大的凸缘，使得压缩在凹部内形成共形密封。 胎圈也可以不涂覆以增强胎圈与沟槽表面的粘附。 盖的表面可以被粗糙化，以减少基材与盖的粘附，而不使用不粘涂层。

公开(公告)号：WO00021716A1

公开(公告)日：2000-04-20

申请号：PCT/JP1999/005600

申请日：1999-10-12

IPC: B24C11/00 ,  H01L21/304

CPC classification number: H01L21/0201 ,  B24C11/00 ,  B24C11/005

Abstract: A sandblasting agent which can prevent fouling by metal ions; and a method of sandblasting a silicon wafer with the agent. The method comprises using a sandblasting agent containing a chelating agent. The chelating agent is selected, for example, among the following (1) to (4) and salts of these. (1) Nitrilotriacetic acid (NTA); (2) Ethylenediaminetetraacetic acid (EDTA); (3) Diethylenediamine-N,N,N'',N''-pentaacetic acid (DTPA); (4) Cyclohexanediaminetetraacetic acid (CyDTA).

Abstract translation: 可防止金属离子污染的喷砂剂; 以及用该试剂喷砂硅晶片的方法。 该方法包括使用含有螯合剂的喷砂剂。 选择下述（1）〜（4）所示的螯合剂及其盐。 （1）硝基三乙酸（NTA）; （2）乙二胺四乙酸（EDTA）; （3）二乙二胺-N，N，N“，N” - 五乙酸（DTPA）; （4）环己烷二胺四乙酸（CyDTA）。

公开(公告)号：WO2014177716A1

公开(公告)日：2014-11-06

申请号：PCT/EP2014/059101

申请日：2014-05-05

Applicant: SILTECTRA GMBH

Inventor： LICHTENSTEIGER, Lukas

IPC: H01L21/304 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L21/6835 ,  B32B15/08 ,  B32B27/283 ,  B32B37/18 ,  B32B38/10 ,  B32B43/006 ,  B32B2311/00 ,  B32B2383/00 ,  B32B2457/14 ,  H01L21/02002 ,  H01L21/0201 ,  H01L21/304 ,  H01L2221/68345 ,  H01L2221/68381

Abstract: Die Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zur Herstellung von Festkörperschichten, insbesondere zur Verwendung als Wafer, mit den folgenden Schritten: Bereitstellen eines Werkstücks (4) zum Ablösen der Festkörperschichten, wobei das Werkstück (4) zumindest eine exponierte Oberfläche aufweist, Erzeugen und/oder Bereitstellen einer Trägereinheit zum Aufnehmen mindestens einer Festkörperschicht, wobei die Trägereinheit mehrschichtig aufgebaut wird, wobei die Trägereinheit eine Stabilisierungsschicht (1) aufweist und die Stabilisierungsschicht (1) zumindest abschnittsweise durch eine Aufnahmeschicht (2) überlagert wird, wobei die Aufnahmeschicht (2) zum Halten der Festkörperschicht ausgebildet wird, und wobei die Stabilisierungsschicht (1) zumindest abschnittsweise derart ausgebildet wird, dass sie einen E-Modul aufweist, der größer ist als der E-Modul der Aufnahmeschicht (2), Verbinden der Aufnahmeschicht (2) mit der exponierten Oberfläche des Werkstücks (4) unter Bildung einer Kompositstruktur, Beaufschlagen der Kompositstruktur mit einem inneren und/oder äußeren Spannungsfeld in der Art, dass die Festkörperschicht entlang einer sich innerhalb des Werkstücks (4) erstreckenden Ebene von dem Werkstück (4) abgelöst wird.

Abstract translation: 本发明涉及一种用于固体层，特别是用作晶片的制备方法，其包括以下步骤：提供工件（4）以分离固体层，其中所述工件（4）具有至少一个暴露的表面，产生和/或 用于接收至少一个固体层，其中所述载体部分是一种多层结构，其中所述支撑单元包括一个稳定层（1）提供一个载体单元和稳定层（1）至少在由保持层（2）的部分重叠，其中，用于保持所述记录层（2） 所述固体层上形成，并且其中，所述稳定层（1）被至少部分地形成，使得其具有的弹性模量，其比所述记录层（2）的电子模块越大，记录层（2）与暴露的表面连接 Bildu下工件（4）的 纳克的复合结构，使具有内部和/或外部应力场的复合结构，沿着延伸的所述工件（4）的平面中的工件（4）的内部的固体层被分离的方式。

公开(公告)号：WO2014089437A1

公开(公告)日：2014-06-12

申请号：PCT/US2013/073585

申请日：2013-12-06

Applicant: GRAPHENE FRONTIERS, LLC

Inventor： WILLNER, Bruce, Ira

IPC: B44C3/08 ,  B28B19/00

CPC classification number: B32B37/24 ,  B32B38/08 ,  B32B38/10 ,  B32B2037/243 ,  B32B2037/246 ,  C01B32/184 ,  C01B32/194 ,  H01L21/0201 ,  H01L21/67092 ,  H01L21/67132

Abstract: A method is disclosed which includes: forming at least one layer of material on at least part of a surface of a first substrate, wherein a first surface of the at least one layer of material is in contact with the first substrate thereby defining an interface; attaching a second substrate to a second surface of the at least one layer of material; forming bubbles at the interface; and applying mechanical force; whereby the second substrate and the at least one layer of material are jointly separated from the first substrate. Related arrangements are also described.

Abstract translation: 公开了一种方法，其包括：在第一衬底的表面的至少一部分上形成至少一层材料，其中所述至少一层材料的第一表面与所述第一衬底接触，从而限定界面; 将第二衬底附接到所述至少一层材料的第二表面; 在界面处形成气泡; 并施加机械力; 由此所述第二基板和所述至少一个材料层与所述第一基板共同分离。 还描述了相关的布置。

公开(公告)号：WO2012147279A1

公开(公告)日：2012-11-01

申请号：PCT/JP2012/002304

申请日：2012-04-03

Applicant: 信越半導体株式会社 ,  佐藤 三千登

Inventor： 佐藤　三千登

IPC: H01L21/304

CPC classification number: H01L29/34 ,  H01L21/0201 ,  H01L21/02024

Abstract: 　本発明は、研磨時に外周にダレが形成された半導体ウェーハであって、前記半導体ウェーハの中心と外周ダレ開始位置の間における前記半導体ウェーハの厚み方向の変位量が１００ｎｍ以下で、前記半導体ウェーハの中心が凸の形状であり、前記半導体ウェーハの外周ダレ量が１００ｎｍ以下であり、かつ、前記外周ダレ開始位置が前記半導体ウェーハの外周端から２０ｍｍ以上中心側又はＥＳＦＱＲの測定対象となる前記半導体ウェーハの外周部よりも中心側であることを特徴とする半導体ウェーハを提供する。これにより、同一の加工条件で、ＳＦＱＲ、ＥＳＦＱＲ、ＺＤＤ、ＲＯＡ、ＧＢＩＲ、ＳＢＩＲなどの複数のフラットネス指標を同時に満たすことができる半導体ウェーハ及びその製造方法を提供することを目的とする。

Abstract translation: 本发明提供一种半导体晶片，其中在抛光期间在外周形成下垂，其特征在于，半导体晶片在半导体晶片的中心与起始位置之间的厚度方向上的位移量 的外周下垂等于或小于100nm; 半导体晶片的中心具有凸形轮廓; 半导体晶片的外周下垂量等于或小于100nm; 并且外周下垂的起始位置距离半导体晶片的外周边缘的中心进一步朝向中心还要比要被测量的ESFQR的半导体晶片的外圆周部分的中心更远。 本发明的目的是提供：使用相同的加工条件可以同时满足诸如SFQR，ESFQR，ZDD，ROA，GBIR和SBIR的多个平坦度指标的半导体晶片; 以及半导体晶片的制造方法。

公开(公告)号：WO2011112963A2

公开(公告)日：2011-09-15

申请号：PCT/US2011028144

申请日：2011-03-11

Applicant: SINMAT INC ,  UNIV FLORIDA ,  SINGH RAJIV K ,  ARJUNAN ARUL CHAKKARAVARTHI ,  SINGH DEEPIKA

Inventor： SINGH RAJIV K ,  ARJUNAN ARUL CHAKKARAVARTHI ,  SINGH DEEPIKA

IPC: H01L21/20

CPC classification number: H01L21/0201 ,  C30B25/186 ,  C30B29/36 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/02439 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02521 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/02647 ,  H01L21/30608 ,  H01L21/30617 ,  H01L21/30625 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/2003

Abstract: An epitaxial article (100) includes an epitaxial substrate (120) providing a substrate surface (103) having a substrate surface composition including crystalline defect or amorphous regions (111) and crystalline non-defect regions (112). The crystalline defect or amorphous regions are recessed from the substrate surface by surface recess regions, where a capping material (108) fills the surface recess regions to provide capped defects 113(a) that extend from a top of the defect regions to the substrate surface. The capping material is compositionally different from the substrate surface composition. An epitaxial layer (115) over the substrate surface provides an average crystalline defect density in at least one area having a size = 0.5 µm2 that is = two times lower than an average crystalline defect density in that area at or below the substrate surface.

Abstract translation: 外延制品（100）包括外延衬底（120），其提供具有包括晶体缺陷或非晶区域（111）和晶体非缺陷区域（112）的衬底表面组成的衬底表面（103）。 晶体缺陷或非晶区域从表面凹陷区域从基板表面凹陷，其中封盖材料（108）填充表面凹陷区域以提供从缺陷区域的顶部延伸到基板表面的封盖缺陷113（a） 。 封盖材料在组成上不同于基材表面组合物。 在衬底表面上方的外延层（115）在尺寸=0.5μm2的至少一个区域中提供平均晶体缺陷密度，其比基底表面处或下方的该区域的平均结晶缺陷密度低两倍。

公开(公告)号：WO2011096417A1

公开(公告)日：2011-08-11

申请号：PCT/JP2011/052107

申请日：2011-02-02

Applicant: 国立大学法人東北大学 ,  大見 忠弘 ,  寺本 章伸 ,  諏訪 智之

Inventor： 大見　忠弘 ,  寺本　章伸 ,  諏訪　智之

IPC: H01L21/02 ,  C30B29/06 ,  C30B33/02 ,  H01L21/324 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L21/0201 ,  C30B29/06 ,  C30B33/02 ,  H01L21/324 ,  H01L21/67126 ,  H01L21/67757 ,  H01L29/34 ,  H01L29/66568 ,  H01L29/78

Abstract: 　表面に原子一層のステップで段状とされた複数のテラスが形成されているシリコンウェーハにおいて、スリップラインが存在しない。

Abstract translation: 公开了一种硅晶片，其中在具有由单原子层形成的台阶的表面上形成多个梯田。 晶片没有滑线。

公开(公告)号：WO2011031123A2

公开(公告)日：2011-03-17

申请号：PCT/KR2010/006281

申请日：2010-09-14

Applicant: 주식회사 동진쎄미켐 ,  노효정 ,  주동규 ,  김현진 ,  김덕배

Inventor： 노효정 ,  주동규 ,  김현진 ,  김덕배

IPC: G03F7/09

CPC classification number: G03F7/091 ,  B05D3/02 ,  C07D251/06 ,  C08F283/00 ,  C08G75/00 ,  C08K5/0025 ,  C08K5/42 ,  C09D5/006 ,  G03F7/168 ,  H01L21/0201 ,  H01L21/0271 ,  H01L21/4757 ,  H01L31/02168 ,  H01L2924/0705 ,  H01L2924/364 ,  C08L81/00

Abstract: 고온(25℃ 이상)에서의 안정성 및 에칭률(etch rate)이 우수하고, 고굴절률을 갖는 유기 반사방지막 형성용 이소시아누레이트 화합물 및 이를 포함하는 조성물이 개시된다. 상기 유기 반사방지막 형성용 이소시아누레이트 화합물은, 청구항 1의 화학식 1로 표시된다. 상기 화학식 1에서, R은 각각 독립적으로, 수소 또는 메틸기이고, R 1 은, 각각 독립적으로, 0 내지 6의 헤테로 원자를 포함하는 탄소수 1 내지 15의 사슬형 또는 고리형의 포화 또는 불포화 탄화수소이고, R 2 는 각각 독립적으로, 0 내지 15의 헤테로 원자를 포함하는 탄소수 1 내지 15 사슬형 또는 고리형의 포화 또는 불포화 탄화수소이다.

Abstract translation: 公开了一种在高温（25℃以上）下具有优异的稳定性和蚀刻速率且具有高折射率的异氰脲酸酯化合物和含有该异氰脲酸酯化合物的组合物 。 用于形成有机抗反射膜的异氰脲酸酯化合物由权利要求1的式（1）表示。 其中R独立地为氢或甲基，并且R 1独立地为具有1至15个碳原子且含有0至6个杂原子的链或环状烃基 并且R 2各自独立地为具有1至15个碳原子且含有0至15的杂原子的饱和或不饱和烃链，或环状饱和或不饱和烃。

公开(公告)号：US20230360978A1

公开(公告)日：2023-11-09

申请号：US17735293

申请日：2022-05-03

Applicant: NANYA TECHNOLOGY CORPORATION

Inventor： TZU-CHING TSAI

IPC: H01L21/66 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L22/26 ,  H01L22/12 ,  H01L22/14 ,  H01L21/0201 ,  G06N20/20

Abstract: The present application discloses a method for controlling an implanting tool. The method includes executing a first implantation recipe on a current wafer; generating a first set of data of the current wafer by a first measurement module; analyzing the first set of data by an artificial intelligence module coupled to the first measurement module; generating, by the artificial intelligence module, a second implantation recipe and applying the second implantation recipe to the implantation tool when the first set of data is not within a predetermined range; and executing the second implantation recipe on a next wafer.

公开(公告)号：US10024809B2

公开(公告)日：2018-07-17

申请号：US14806632

申请日：2015-07-22

Applicant: SIXPOINT MATERIALS, INC. ,  SEOUL SEMICONDUCTOR CO., LTD.

Inventor： Tadao Hashimoto

IPC: G01N23/207 ,  C01B21/06 ,  H01L21/306 ,  H01L21/02 ,  H01L29/04 ,  C30B29/40 ,  C30B33/00 ,  B24B37/04 ,  H01L21/66 ,  H01L29/20 ,  H01L21/78 ,  C30B33/06 ,  C30B7/10

CPC classification number: G01N23/207 ,  B24B37/044 ,  C01B21/0632 ,  C01P2002/74 ,  C30B7/105 ,  C30B29/403 ,  C30B29/406 ,  C30B33/00 ,  C30B33/06 ,  H01L21/0201 ,  H01L21/30625 ,  H01L21/78 ,  H01L22/12 ,  H01L29/045 ,  H01L29/2003 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: The invention provides, in one instance, a group III nitride wafer sliced from a group III nitride ingot, polished to remove the surface damage layer and tested with x-ray diffraction. The x-ray incident beam is irradiated at an angle less than 15 degree and diffraction peak intensity is evaluated. The group III nitride wafer passing this test has sufficient surface quality for device fabrication. The invention also provides, in one instance, a method of producing group III nitride wafer by slicing a group III nitride ingot, polishing at least one surface of the wafer, and testing the surface quality with x-ray diffraction having an incident beam angle less than 15 degree to the surface. The invention also provides, in an instance, a test method for testing the surface quality of group III nitride wafers using x-ray diffraction having an incident beam angle less than 15 degree to the surface.