公开(公告)号：KR100702531B1

公开(公告)日：2007-04-02

申请号：KR1020060025126

申请日：2006-03-20

Applicant: 전자부품연구원

Inventor： 이국녕 ,  성우경 ,  정석원 ,  김원효 ,  신규식

IPC: H01L29/775 ,  B82Y40/00 ,  B82Y10/00

Abstract: 본 발명의 나노와이어 소자는 제1실리콘 기판에서 트랜스퍼를 위해 릴리즈된 나노와이어, 제2기판의 상부에 트랜스퍼된 상기 나노와이어, 상기 나노와이어와 전기적으로 연결된 전극 및 나노와이어소자, 상기 전극의 상부에 형성되어 분석 대상물에 노출되는 것을 방지하는 절연층, 상기 나노와이어의 표면에 형성된 산화막, 상기 산화막의 표면에 유기 실란기로 이루어진 유기 실란층 및 상기 유기 실란층 상부에 형성되어 분석 대상물에 감응하는 수용기를 포함한다.
따라서, 본 발명은 나노와이어 릴리즈 과정에서 발생되는 스트레스 영향을 최소화하여 나노와이어 트랜스퍼 시 나노와이어의 소실 및 위치변화를 방지할 수 있어 나노와이어 소자의 양산성을 향상시킬 수 있으며, 나노와이어 소자 제조에서 필수적인 나노와이어 배열 및 정렬을 용이하게 하는 이점이 있다. 이로 인하여 본 발명은 향후, 나노와이어 바이오센서뿐 아니라, 나노와이어 FET, 플렉시블 디스플레이 등의 분야에 용이하게 적용 가능한 이점이 있다.
나노와이어 소자, 점착제 패턴, 나노와이어 릴리즈, 나노와이어 트랜스퍼.

Abstract translation: 在纳米线的顶部上的本发明的纳米线器件中，纳米线，电极和纳米线器件的第二上部，连接到所述纳米线和释放，用于从第一硅衬底转移衬底电传输电极 形成的形成有绝缘层，所述氧化物膜，所述有机硅烷层上和所述由形成所述纳米线，以防止暴露于分析物的表面上的氧化有机硅烷基团的表面的至受体分析物敏感的有机硅烷层上方 它包括。

公开(公告)号：KR1020070028198A

公开(公告)日：2007-03-12

申请号：KR1020050083448

申请日：2005-09-07

Applicant: 전자부품연구원 ,  경기도

Inventor： 정석원 ,  이대성 ,  성우경 ,  조남규 ,  김원효 ,  황학인

IPC: H01L23/48

CPC classification number: H01L2224/81 ,  H01L24/27 ,  H01L21/47573 ,  H01L21/7806 ,  H01L23/481 ,  H01L24/28

Abstract: A wafer level package and its manufacturing method are provided to increase wall illumination and to have a vertical shape of a hole by manufacturing a through-hole using photoresist. A pillar is formed on an upper substrate(300). A seed layer is deposited on a lower substrate(310). A photoresist(320) is applied to the seed layer. An MEMS(Micro Electrical Mechanical System) structure(350) is mounted on the photoresist. A junction unit(340) couples the upper substrate to the lower substrate. The upper substrate and the lower substrate is one of glass, ceramic, and silicon. The photoresist includes a pillar(330) on an upper portion thereof. Plural through holes are formed on the photoresist. A metal line is formed in a through-hole(360).

Abstract translation: 提供晶片级封装及其制造方法以通过使用光致抗蚀剂制造通孔来增加壁照明并且具有孔的垂直形状。 在上基板（300）上形成有支柱。 种子层沉积在下基板（310）上。 将光致抗蚀剂（320）施加到种子层。 MEMS（微机电系统）结构（350）安装在光致抗蚀剂上。 接合单元（340）将上基板耦合到下基板。 上基板和下基板是玻璃，陶瓷和硅之一。 光致抗蚀剂包括在其上部的支柱（330）。 在光致抗蚀剂上形成多个通孔。 金属线形成在通孔（360）中。

公开(公告)号：KR100563478B1

公开(公告)日：2006-03-27

申请号：KR1020040037196

申请日：2004-05-25

Applicant: 전자부품연구원

Inventor： 김원효 ,  성우경 ,  박준식 ,  김건년 ,  박광범 ,  신규식 ,  문찬우

IPC: H01L41/08 ,  B81B7/02 ,  B25J7/00

Abstract: 본 발명은 압전 구동 마이크로 그리퍼의 제조방법에 관한 것으로, 보다 자세하게는 압전 구동 방식의 액츄에이터에 의한 그리핑 방식을 제안하여 저전압 구동과 그리핑의 힘을 크게 낼 수 있고, 그리핑 범위를 조절할 수 있는 그리퍼에 관한 것이다.
본 발명의 압전 구동 마이크로 그리퍼의 제조방법은 실리콘 웨이퍼를 이용하는 압전 구동 마이크로 그리퍼의 제조방법에 있어서, 실리콘 하부면을 에칭하고 실리콘 산화막과 폴리 실리콘을 차례로 증착하는 단계; 상기 증착된 폴리 실리콘 상에 질화 실리콘을 증착 및 패터닝하고 그리핑 구동 변위 센싱 및 제어를 위한 변위센서를 만드는 단계; 상기 폴리 실리콘 상부에 하부전극을 형성하는 단계; 상기 하부전극 상부에 압전 물질을 증착 및 패터닝하여 압전 액츄에이터를 형성하는 단계; 상기 압전 액츄에이터 상부에 상부전극을 형성하는 단계 및 상기 폴리 실리콘과 실리콘 산화막의 일부를 제거하는 단계로 이루어짐에 기술적 특징이 있다.
따라서, 본 발명의 압전 구동 마이크로 그리퍼의 제조방법은 압전 박막에 전압을 인가하여 길이 방향으로 수축시켜 압전 박막이 입힌 쪽으로 휘게 함으로써 물체를 잡거나 놓을 수 있고, 외팔 집게형과 양팔 집게형의 두 가지 형태로 제작이 가능한 장점이 있고, 그리핑 범위를 자유로이 조절할 수 있으며, 에너지 소비를 줄일 수 있는 효과가 있다.
그리퍼, 압전, 변위센서

公开(公告)号：KR100493203B1

公开(公告)日：2005-06-02

申请号：KR1020030037078

申请日：2003-06-10

Applicant: 전자부품연구원

Inventor： 성우경 ,  김원효

IPC: H01L21/66

Abstract: 본 발명은 나노 리소그래피용 병렬 프로브 제조 방법에 관한 것으로, 내부에 전도성 금속이 채워진 비아홀 그룹들을 제 1 웨이퍼를 관통하여 일정간격으로 형성하는 단계와; 상기 제 1 웨이퍼의 비아홀 그룹들 각각의 사이에 위치하는 영역에 탐침을 갖는 캔틸레버를 형성하여 어레이시키고, 상기 각각의 캔틸레버를 구동시키는 신호선을 상기 비아홀 그룹들의 전도성 금속과 전기적으로 연결하는 단계와; 상기 각각의 캔틸레버들을 구동시키기 위한 CMOS 회로부들을 제 2 웨이퍼에 형성하는 단계와; 상기 제 2 웨이퍼의 CMOS 회로부들의 신호선과 상기 비아홀 그룹들의 전도성 금속이 전기적으로 연결되도록, 상기 제 2 웨이퍼 상부에 상기 제 1 웨이퍼를 본딩 또는 언더필(Underfill)하는 단계를 포함하여 구성된다.
따라서, 본 발명은 CMOS 회로가 집적화된 기판과 병렬프로브 어레이가 형성된 기판을 전기적으로 접착시켜, 종래 기술보다 제한된 면적에 많은 개수의 프로브를 형성할 수 있는 효과가 있다.
더불어, 많은 개수의 프로브가 어레이되어, 나노리소그래피의 시간 효율 및 생산성 향상에 크게 기여할 수 있는 효과가 있다.
또한, 각각의 캔틸레버의 변위센서와 압전 엑츄에이터를 각각 구동할 수 있는 CMOS 회로부가 인터커넥션 되어 있으므로, 각각의 프로브(탐침)를 독립적으로 구동 및 제어 할 수 있는 효과가 있다.