EUV 리소그래피에서 사용하기 위한 미러 기판용의 티타늄 도핑 실리카 유리로 이루어진 블랭크 및 그 제조 방법
    141.
    发明授权
    EUV 리소그래피에서 사용하기 위한 미러 기판용의 티타늄 도핑 실리카 유리로 이루어진 블랭크 및 그 제조 방법 有权
    用于EUV光刻的用于镜面基板的钛掺杂石英玻璃制成的坯体及其制造方法

    公开(公告)号:KR101715481B1

    公开(公告)日:2017-03-22

    申请号:KR1020150091230

    申请日:2015-06-26

    Abstract: EUV 리소그래피에서사용하기위한미러기판용의티타늄도핑실리카유리로이루어진블랭크및 그제조방법 EUV 리소그래피에서사용하기위한미러기판용의티타늄도핑실리카유리로이루어진블랭크에서, 광학적으로사용되는영역(CA)이관례대로(normally) 정의된다. CA 내에서, 열팽창계수(coefficient of thermal expansion; CTE)는블랭크의두께에걸쳐평균된 2차원 dCTE 분포프로파일을구비하는데, 이경우 CTE 최대값과 CTE 최소값사이의차이로서정의되는최대불균질성(dCTE)은 5 ppb/K 미만이다. 높은 CTE 불균질성값은티타늄이산화물농도의개별적으로적응된위치의존적조정을통해방지되는것이알려져있다. 비교적높은절대 CTE 불균질성값은사용동안발생하는조사(irradiation) 프로파일이원 대칭을나타내는경우에만수용될수 있다. 이로부터시작하여, 티타늄이산화물농도의개별적으로적응되는위치의존적인조정없이도비원형조사프로파일과함께사용하기위해설계되고적합된티타늄도핑실리카유리로만들어진블랭크를제조하기위해, 본발명에따르면, dCTE가적어도 0.5 ppb/K이고, CA가영역의도심을갖는비원형영역을형성하는것이제안되는데, dCTE 분포프로파일은회전대칭이아니며, 단위길이에대해정규화되고영역의도심을통해연장하는직선프로파일섹션이 0.5×dCTE미만의밴드폭)을갖는곡선밴드를형성하는곡선의 dCTE 패밀리를산출하도록, CA에걸쳐정의된다.

    Abstract translation: 在由在空白使用的镜基板和制造该EUV光刻由在EUV光刻使用的镜基板的钛掺杂的二氧化硅玻璃的方法的一个玻璃的掺杂钛的氧化硅坯料,光学区域(CA)它被用于传送病人 通常定义。 在CA,热膨胀系数(热膨胀系数; CTE)的系数是最大凹凸(dCTE),其被定义为到提供二维dCTE分布轮廓平均在坯料的厚度,在这种情况下的差热膨胀系数的最大值和CTE最小值 5 ppb / K。 众所周知,通过单独调整氧化物浓度的位置相关调整,钛可以防止高CTE异质性值。 相对高的绝对CTE不均匀性值可以仅当在使用过程中发生的显示圆对称的照射(照射)简档被容纳。 由此出发,钛是由钛合金掺杂的二氧化硅玻璃的设计和适合于与比圆形照射轮廓使用而无需分别定位适于氧化物浓度依赖性调整的坯件的制造中,根据本发明,dCTE 本直的轮廓部上延伸至少0.5 ppb的/ K,并且haneungeot形成具有CA gayoung站的基座现在的非圆形区域不应该,dCTE分布曲线的中心不是旋转对称的,并归一化到单位长度区域 dCTE以产生一个家庭,形成具有小于0.5×dCTE的带宽的弯曲带曲线)时,在所述限定的CA.

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