具有兩種調製模式的發射器及其工作方法 LINEAR AND NON-LINEAR DUAL MODE TRANSMITTER
    142.
    发明专利
    具有兩種調製模式的發射器及其工作方法 LINEAR AND NON-LINEAR DUAL MODE TRANSMITTER 失效
    具有两种调制模式的发射器及其工作方法 LINEAR AND NON-LINEAR DUAL MODE TRANSMITTER

    公开(公告)号:TWI332753B

    公开(公告)日:2010-11-01

    申请号:TW095109869

    申请日:2006-03-22

    Inventor: 潘蒙安

    IPC: H03G H04B

    Abstract: 本發明涉及一種發射器,該發射器包括雙模調變器以及連接到該雙模調變器的放大器。在調變器的第一調變模式下,雙模調變器執行線性調變方案以產生可變包絡調變信號。在調變器的第二調變模式下,雙模調變器執行非線性調變方案以產生恒定包絡調變信號。在第一調變模式下,將該放大器作為線性放大器加偏壓,在第二調變模式下,作為非線性放大器加偏壓。雙模調變器和放大器之間的前饋連接用於指示調變模式的變化以調整放大器的偏壓。增加恒定包絡調變信號的功率,以在調變器的第一和第二模式下都能保持恒定的放大器工作點。

    Abstract in simplified Chinese: 本发明涉及一种发射器,该发射器包括双模调制器以及连接到该双模调制器的放大器。在调制器的第一调制模式下,双模调制器运行线性调制方案以产生可变包络调制信号。在调制器的第二调制模式下,双模调制器运行非线性调制方案以产生恒定包络调制信号。在第一调制模式下,将该放大器作为线性放大器加偏压,在第二调制模式下,作为非线性放大器加偏压。双模调制器和放大器之间的前馈连接用于指示调制模式的变化以调整放大器的偏压。增加恒定包络调制信号的功率,以在调制器的第一和第二模式下都能保持恒定的放大器工作点。

    整合有功率偵測電路之無線輸出晶片及相關製造方法 WIRELESS OUTPUT CHIP AND RELATED PRODUCING METHOD WITH POWER DETECTOR
    143.
    发明专利
    整合有功率偵測電路之無線輸出晶片及相關製造方法 WIRELESS OUTPUT CHIP AND RELATED PRODUCING METHOD WITH POWER DETECTOR 审中-公开
    集成有功率侦测电路之无线输出芯片及相关制造方法 WIRELESS OUTPUT CHIP AND RELATED PRODUCING METHOD WITH POWER DETECTOR

    公开(公告)号:TW200522335A

    公开(公告)日:2005-07-01

    申请号:TW092135562

    申请日:2003-12-16

    IPC: H01L

    Abstract: 本發明提供一種整合有功率偵測電路之無線射頻輸出晶片及相關製造方法。該晶片中係以雙載子–金氧半製程來整合製造出一射頻功率放大電路及一功率偵測電路,以偵測該功率放大電路輸出訊號之功率大小。該功率放大電路係以雙載子–金氧半製程中製造雙載子電晶體的流程來形成,而該功率偵測電路係以雙載子–金氧半製程中製造金氧半電晶體之流程來形成一受控電流源、一參考電流源及由電容形成之充電單元,以實現功率偵測的功能。這樣一來,就能以低成本的雙載子–金氧半製程將功率放大電路及功率偵測電路整合製造於同一輸出晶片中。

    Abstract in simplified Chinese: 本发明提供一种集成有功率侦测电路之无线射频输出芯片及相关制造方法。该芯片中系以双载子–金氧半制程来集成制造出一射频功率放大电路及一功率侦测电路,以侦测该功率放大电路输出信号之功率大小。该功率放大电路系以双载子–金氧半制程中制造双载子晶体管的流程来形成,而该功率侦测电路系以双载子–金氧半制程中制造金氧半晶体管之流程来形成一受控电流源、一参考电流源及由电容形成之充电单元,以实现功率侦测的功能。这样一来,就能以低成本的双载子–金氧半制程将功率放大电路及功率侦测电路集成制造于同一输出芯片中。

    초광대역 전송 시스템의 수신신호 전력 제어 방법
    146.
    发明授权
    초광대역 전송 시스템의 수신신호 전력 제어 방법 失效
    超宽带传输系统接收信号功率控制方法

    公开(公告)号:KR100519806B1

    公开(公告)日:2005-10-11

    申请号:KR1020030069490

    申请日:2003-10-07

    Abstract: 1. 청구범위에 기재된 발명이 속한 기술분야
    본 발명은, 본 발명은 초광대역 전송 시스템의 수신신호 전력 제어 방법과 상기 방법을 실현시키기 위한 프로그램을 기록한 컴퓨터로 읽을 수 있는 기록매체에 관한 것임.
    2. 발명이 해결하려고 하는 기술적 과제
    본 발명은, 본 발명은 상기한 바와 같은 문제점을 해결하기 위하여 제안된 것으로, 서로 다른 주파수 대역을 사용함으로써 생기는 수신신호의 전력차를 수신부에 있는 VGA 앞단에서 미리 처리함으로써, VGA의 역할을 간소화하여 초기 수렴속도를 빠르게 하기 위한 초광대역 전송 시스템의 수신신호 전력 제어 방법을 제공하는데 그 목적이 있음.
    3. 발명의 해결방법의 요지
    본 발명은, 다중 주파수 대역을 사용하는 전송 시스템에서 전압 이득 증폭기(VGA) 앞단에 배치된 전-이득 제어부(PGC)를 구비하여, 상기 PGC가 수신되는 신호의 주파수 대역에 따른 전력의 차이를 보상하기 위한 초광대역 전송 시스템의 수신신호 전력 제어 방법에 있어서, 상기 전송 시스템의 송신부에서 사용한 다중 주파수 대역을 감지하는 제 1단계; 다중 주파수 대역 사용에 따른 수신신호 세기의 차이의 전력 이득값을 결정하는 제 2단계; 및 상기 수신신호 세기의 차이의 전력 이득값에 따라 수신신호 전력의 보상을 수행하는 제 3단계를 포함함.
    4. 발명의 중요한 용도
    본 발명은 초광대역(UWB) 전송 시스템에 이용됨.

    고주파전력증폭장치 및 무선통신기
    149.
    发明公开
    고주파전력증폭장치 및 무선통신기 无效
    高频功率放大器和无线通信设备

    公开(公告)号:KR1020020025718A

    公开(公告)日:2002-04-04

    申请号:KR1020010058955

    申请日:2001-09-24

    Abstract: PURPOSE: A high frequency power amplifier and wireless communication apparatus is provided to reduce the number of parts and to adjust a bias resistance ratio in accordance with a variation of a threshold voltage of a transistor. CONSTITUTION: A high frequency power amplifier includes a plurality of amplification system. Each amplification system further includes an input terminal to which a signal amplified is supplied, an output terminal, a bias terminal, a plurality of amplification stages sequentially connected between above input terminal and above output terminal, and a bias circuit which is connected to the bias terminal and each amplification stage respectively to apply bias potential to the amplification stages. The amplification stages include a control terminal for receiving an input signal and bias potential supplied to the stages, and a first terminal to send out an output signal. A first and a second amplification stage of each amplification system are formed in a signal semiconductor chip in a monolithic manner. A portion of the bias resistor constituting the bias circuit of the first and second amplification stages is formed in above semiconductor chip in a monolithic manner.

    Abstract translation: 目的:提供高频功率放大器和无线通信装置,以减少部件数量,并根据晶体管的阈值电压的变化来调整偏置电阻比。 构成:高频功率放大器包括多个放大系统。 每个放大系统还包括一个被提供信号放大的输入端子,一个输出端子,一个偏置端子,顺序地连接在上述输入端子和上述输出端子之间的多个放大级,以及一个与该偏置电压相连的偏置电路 末端和每个扩增级分别向扩增级施加偏置电位。 放大级包括用于接收输入信号和提供给级的偏置电位的控制端子以及发送输出信号的第一端子。 以单片方式在信号半导体芯片中形成每个放大系统的第一和第二放大级。 构成第一和第二放大级的偏置电路的偏置电阻的一部分以单片方式形成在上述半导体芯片中。

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