公开(公告)号：TWI484306B

公开(公告)日：2015-05-11

申请号：TW100143201

申请日：2011-11-24

Applicant: ASML荷蘭公司 ,  ASML NETHERLANDS B. V.

Inventor： 費爾莫默朗 約翰內斯 佩特魯斯 馬丁努斯 伯納德斯 ,  VERMEULEN, JOHANNES PETRUS MARTINUS BERNARDUS ,  德 葛路特 安東尼司 法蘭西斯科司 喬漢尼司 ,  DE GROOT, ANTONIUS FRANCISCUS JOHANNES ,  凱迪 李歐朵魯斯 佩特魯斯 瑪麗亞 ,  CADEE, THEODORUS PETRUS MARIA ,  丹 波依 傑若恩 ,  DE BOEIJ, JEROEN

IPC: G03F7/20

CPC classification number: G03F7/70758 ,  G03F7/70691

公开(公告)号：TW201515520A

公开(公告)日：2015-04-16

申请号：TW103128168

申请日：2014-08-15

Applicant: ASML荷蘭公司 ,  ASML NETHERLANDS B. V.

Inventor： 諾德曼 奧斯卡 法蘭西斯 喬瑟夫 ,  NOORDMAN, OSCAR FRANCISCUS JOZEPHUS ,  俄林斯 馬可斯 法蘭西斯 安東尼奧斯 ,  EURLINGS, MARKUS FRANCISCUS ANTONIUS

IPC: H05G2/00 ,  G03F7/20

CPC classification number: G03F7/70133 ,  G02B27/44 ,  G02B27/50 ,  G03F7/70041 ,  H01S3/005 ,  H01S3/1307 ,  H01S3/2391 ,  H05G2/006 ,  H05G2/008

Abstract: 一種輻射源，其包括一噴嘴，該噴嘴經組態以沿著一小滴路徑朝向一電漿形成部位引導一燃料小滴串流，且該輻射源經組態以接收具有高斯強度分佈、具有一預定波長且沿著一預定軌跡傳播之一高斯輻射光束，且經進一步組態以將該輻射光束聚焦於該電漿形成部位處之一燃料小滴上。該輻射源包括一相位板結構，該相位板結構包括一或多個相位板。該相位板結構具有一第一區及一第二區。該等區經配置成使得傳遞通過該第一區的具有該預定波長之輻射與傳遞通過該第二區的具有該預定波長之輻射沿著具有不同光學路徑長度之各別光學路徑傳播。該等光學路徑長度之間的一差為該預定波長之一半的奇數倍。

Abstract in simplified Chinese: 一种辐射源，其包括一喷嘴，该喷嘴经组态以沿着一小滴路径朝向一等离子形成部位引导一燃料小滴串流，且该辐射源经组态以接收具有高斯强度分布、具有一预定波长且沿着一预定轨迹传播之一高斯辐射光束，且经进一步组态以将该辐射光束聚焦于该等离子形成部位处之一燃料小滴上。该辐射源包括一相位板结构，该相位板结构包括一或多个相位板。该相位板结构具有一第一区及一第二区。该等区经配置成使得传递通过该第一区的具有该预定波长之辐射与传递通过该第二区的具有该预定波长之辐射沿着具有不同光学路径长度之各别光学路径传播。该等光学路径长度之间的一差为该预定波长之一半的奇数倍。

公开(公告)号：TWI479278B

公开(公告)日：2015-04-01

申请号：TW101143781

申请日：2012-11-22

Applicant: ASML荷蘭公司 ,  ASML NETHERLANDS B. V.

Inventor： 提那曼斯 派翠西斯 阿若瑟斯 約克伯 ,  TINNEMANS, PATRICIUS ALOYSIUS JACOBUS ,  柏利克 阿諾 詹 ,  BLEEKER, ARNO JAN ,  洛卜史塔 艾瑞克 羅勒夫 ,  LOOPSTRA, ERIK ROELOF

IPC: G03F7/20

CPC classification number: G03F7/70558 ,  G03F7/70191 ,  G03F7/70275 ,  G03F7/70291 ,  G03F7/70308 ,  G03F7/70391 ,  G03F7/705 ,  G03F7/70508 ,  G03F7/70525 ,  G03F9/7026

公开(公告)号：TWI477920B

公开(公告)日：2015-03-21

申请号：TW097107707

申请日：2008-03-05

Applicant: ASML荷蘭公司 ,  ASML NETHERLANDS B. V. ,  卡爾蔡司SMT有限公司 ,  CARL ZEISS SMT GMBH

Inventor： 麥可 法索依斯 哈博特 卡拉森 ,  KLAASSEN, MICHEL FRANSOIS HUBERT ,  亨得瑞克 羅伯特 馬連 凡 葛瑞柏克 ,  VAN GREEVENBROEK, HENDRIKUS ROBERTUS MARIE ,  伯納德 彼得 傑 ,  GEH, BERND PETER ,  艾密爾 彼得 舒密特 韋佛 ,  SCHMITT-WEAVER, EMIL PETER

IPC: G03F7/20

CPC classification number: G03F7/701 ,  G03F7/70566

公开(公告)号：TW201510670A

公开(公告)日：2015-03-16

申请号：TW103121119

申请日：2014-06-18

Applicant: ASML荷蘭公司 ,  ASML NETHERLANDS B. V.

Inventor： 倪祺佩洛 安得列 亞歷山卓維克 ,  NIKIPELOV, ANDREY ALEXANDROVICH ,  佛利恩斯 歐勒夫 華德瑪 佛勒迪米爾 ,  FRIJNS, OLAV WALDEMAR VLADIMIR ,  德 弗瑞斯 高斯 查爾斯 ,  DE VRIES, GOSSE CHARLES ,  洛卜史塔 艾瑞克 羅勒夫 ,  LOOPSTRA, ERIK ROELOF ,  白尼 凡丁 葉弗真葉米希 ,  BANINE, VADIM YEVGENYEVICH ,  德 賈格 皮耶特 威廉 荷曼 ,  DE JAGER, PIETER WILLEM HERMAN ,  東克 瑞佛 路多維哥司 ,  DONKER, RILPHO LUDOVICUS ,  尼恩休斯 漢 冠 ,  NIENHUYS, HAN-KWANG ,  昆吉拉 博格特 ,  KRUIZINGA, BORGERT ,  安捷倫 華特 裘普 ,  ENGELEN, WOUTER JOEP ,  雷町 傲特嘉 珍 ,  LUITEN, OTGER JAN ,  亞克曼司 喬漢那斯 安東尼司 傑瑞德思 ,  AKKERMANS, JOHANNES ANTONIUS GERARDUS ,  葛里民克 李奧納德斯 雅得安司 傑拉德斯 ,  GRIMMINCK, LEONARDUS ADRIANUS GERARDUS ,  李特維納克 維德墨 ,  LITVINEKNKO, VLADIMIR

IPC: G03F7/20 ,  H01L21/027

CPC classification number: G03F7/70033 ,  G01J1/0407 ,  G01J1/0418 ,  G01J1/26 ,  G01J1/429 ,  G02B1/06 ,  G02B5/205 ,  G02B26/023 ,  G03F7/70008 ,  G03F7/7055 ,  G03F7/70558 ,  G03F7/7085 ,  G21K1/10 ,  H01S3/005 ,  H01S3/0085 ,  H01S3/0903 ,  H05H7/04

Abstract: 本發明揭示一種圖案化微影基板之方法，該方法包含使用一自由電子雷射以產生EUV輻射，及將該EUV輻射遞送至一微影裝置，該微影裝置將該EUV輻射投影至微影基板上，其中該方法進一步包含藉由使用一以回饋為基礎之控制迴路以監視該自由電子雷射且相應地調整該自由電子雷射之操作來縮減遞送至該等微影基板之EUV輻射之功率之波動。

Abstract in simplified Chinese: 本发明揭示一种图案化微影基板之方法，该方法包含使用一自由电子激光以产生EUV辐射，及将该EUV辐射递送至一微影设备，该微影设备将该EUV辐射投影至微影基板上，其中该方法进一步包含借由使用一以回馈为基础之控制回路以监视该自由电子激光且相应地调整该自由电子激光之操作来缩减递送至该等微影基板之EUV辐射之功率之波动。

公开(公告)号：TWI475334B

公开(公告)日：2015-03-01

申请号：TW101107933

申请日：2012-03-08

Applicant: ASML荷蘭公司 ,  ASML NETHERLANDS B. V.

Inventor： 陳洛祁 ,  CHEN, LUOQI ,  葉金 ,  YE, JUN ,  陳洪 ,  CHEN, HONG

IPC: G03F7/20 ,  H01L21/027

CPC classification number: G06F17/5081 ,  G03F1/70 ,  G03F7/70433 ,  G03F7/70466 ,  G03F7/705 ,  G03F7/70508 ,  G03F7/707

公开(公告)号：TW201506556A

公开(公告)日：2015-02-16

申请号：TW103137487

申请日：2006-02-09

Applicant: ASML荷蘭公司 ,  ASML NETHERLANDS B. V.

Inventor： 強森 漢斯 ,  JANSEN, HANS ,  史帝芬格 馬可 寇特 ,  STAVENGA, MARCO KOERT ,  凡司沛 賈古柏 喬漢納 李奧那多 漢德力克 ,  VERSPAY, JACOBUS JOHANNUS LEONARDUS HENDRICUS ,  簡森 法蘭西瑟斯 喬漢那斯 約瑟夫 ,  JANSSEN, FRANCISCUS JOHANNES JOSEPH ,  科吉普 安東尼 ,  KUIJPER, ANTHONIE

IPC: G03F7/20 ,  H01L21/027

CPC classification number: G03F7/70858 ,  G03F7/2041 ,  G03F7/70341

Abstract: 本發明提供一種浸漬液，其包含一例如酸或鹼之離子形成組份，該組份具有一相對高之蒸汽壓。本文亦提供使用該浸漬液之微影法及微影系統。

Abstract in simplified Chinese: 本发明提供一种浸渍液，其包含一例如酸或碱之离子形成组份，该组份具有一相对高之蒸汽压。本文亦提供使用该浸渍液之微影法及微影系统。

公开(公告)号：TW201506554A

公开(公告)日：2015-02-16

申请号：TW103126643

申请日：2014-08-04

Applicant: ASML荷蘭公司 ,  ASML NETHERLANDS B. V.

Inventor： 米德克魯克斯 史考特 安德森 ,  MIDDLEBROOKS, SCOTT ANDERSON ,  吉朋 尼爾斯 ,  GEYPEN, NIELS ,  史密德 韓卓克 真 海德 ,  SMILDE, HENDRIK JAN HIDDE ,  斯特傑 亞力山德 ,  STRAAIJER, ALEXANDER ,  凡 德 斯加 毛瑞斯 ,  VAN DER SCHAAR, MAURITS ,  凡 可拉吉 馬可斯 傑拉度 馬堤司 瑪麗亞 ,  VAN KRAAIJ, MARKUS GERARDUS MARTINUS MARIA

IPC: G03F7/20

CPC classification number: G03F7/70633

Abstract: 本發明揭示一種量測一微影程序之一參數之方法，及關聯檢測裝置。該方法包含使用複數個不同照明條件來量測一基板上之至少兩個目標結構，該等目標結構具有故意疊對偏置；以針對每一目標結構獲得表示一總不對稱性之一不對稱性量測，該總不對稱性包括歸因於(i)該等故意疊對偏置、(ii)在該目標結構之形成期間之一疊對誤差及(iii)任何特徵不對稱性的貢獻。藉由使一線性回歸模型擬合於針對一個目標結構之不對稱性量測相對於針對另一目標結構之不對稱性量測的一平面表示而對不對稱性量測資料執行一回歸分析，該線性回歸模型未必擬合通過該平面表示之一原點。可接著自由該線性回歸模型描述之一梯度判定該疊對誤差。

Abstract in simplified Chinese: 本发明揭示一种量测一微影进程之一参数之方法，及关联检测设备。该方法包含使用复数个不同照明条件来量测一基板上之至少两个目标结构，该等目标结构具有故意叠对偏置；以针对每一目标结构获得表示一总不对称性之一不对称性量测，该总不对称性包括归因于(i)该等故意叠对偏置、(ii)在该目标结构之形成期间之一叠对误差及(iii)任何特征不对称性的贡献。借由使一线性回归模型拟合于针对一个目标结构之不对称性量测相对于针对另一目标结构之不对称性量测的一平面表示而对不对称性量测数据运行一回归分析，该线性回归模型未必拟合通过该平面表示之一原点。可接着自由该线性回归模型描述之一梯度判定该叠对误差。

公开(公告)号：TW201506553A

公开(公告)日：2015-02-16

申请号：TW103119278

申请日：2014-06-03

Applicant: ASML荷蘭公司 ,  ASML NETHERLANDS B. V.

Inventor： 克瑞馬 雨果 奧格斯提納斯 約瑟夫 ,  CRAMER, HUGO AUGUSTINUS JOSEPH ,  黃得智 ,  HUANG, TE CHIH ,  麥更 亨力克斯 喬漢那 蘭伯特 ,  MEGENS, HENRICUS JOHANNES LAMBERTUS ,  丹 包伊夫 亞歷 傑福瑞 ,  DEN BOEF, ARIE JEFFREY ,  凡 德 斯加 毛瑞斯 ,  VAN DER SCHAAR, MAURITS

IPC: G03F7/20 ,  H01L21/027

CPC classification number: G03F7/70133 ,  G03F7/70625

Abstract: 本發明揭示一種決定諸如臨界尺寸(CD)或曝光劑量之一臨界尺寸相關特性之方法。在一微影程序中使用一微影裝置來處理一晶圓以在該晶圓上產生具有不同各別臨界尺寸偏置之週期性目標。照明該等目標中每一者。量測由該等目標散射之輻射之強度。自影像辨識及提取每一光柵。決定一差異信號。接著，基於該差異信號、該等CD偏置及該差異信號在此等週期性目標之一1：1線至空間比率下近似於零之知識來決定諸如CD或曝光劑量之該CD相關特性。使用該經決定臨界尺寸相關特性以在後續晶圓之微影處理中控制該微影裝置。為了使用僅僅兩個CD偏置，一校準步驟可使用對一「黃金晶圓」(亦即，一參考晶圓)之量測以在具有已知CD的情況下決定針對CD對中每一對之強度梯度。替代地，校準可基於強度梯度對CD之敏感度之模擬。

Abstract in simplified Chinese: 本发明揭示一种决定诸如临界尺寸(CD)或曝光剂量之一临界尺寸相关特性之方法。在一微影进程中使用一微影设备来处理一晶圆以在该晶圆上产生具有不同各别临界尺寸偏置之周期性目标。照明该等目标中每一者。量测由该等目标散射之辐射之强度。自影像辨识及提取每一光栅。决定一差异信号。接着，基于该差异信号、该等CD偏置及该差异信号在此等周期性目标之一1：1线至空间比率下近似于零之知识来决定诸如CD或曝光剂量之该CD相关特性。使用该经决定临界尺寸相关特性以在后续晶圆之微影处理中控制该微影设备。为了使用仅仅两个CD偏置，一校准步骤可使用对一“黄金晶圆”(亦即，一参考晶圆)之量测以在具有已知CD的情况下决定针对CD对中每一对之强度梯度。替代地，校准可基于强度梯度对CD之敏感度之仿真。

公开(公告)号：TWI470375B

公开(公告)日：2015-01-21

申请号：TW101131232

申请日：2012-08-28

Applicant: ASML荷蘭公司 ,  ASML NETHERLANDS B. V.

Inventor： 丹 包伊夫 亞歷 傑福瑞 ,  DEN BOEF, ARIE JEFFREY

IPC: G03F7/20

CPC classification number: H01L23/544 ,  G03F7/70633 ,  H01L2223/5442 ,  H01L2223/54426 ,  H01L2223/54453 ,  H01L2223/5446 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00