公开(公告)号：KR1020160067641A

公开(公告)日：2016-06-14

申请号：KR1020140173278

申请日：2014-12-04

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이재훈

IPC: H01L29/78

CPC classification number: H01L29/0615 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823814 ,  H01L27/092 ,  H01L27/0928 ,  H01L29/1054 ,  H01L29/16 ,  H01L29/7842 ,  H01L29/7813

Abstract: 버퍼층 및스트레서를갖는반도체소자에관한것이다. 엔모스(NMOS) 영역및 피모스(PMOS) 영역을갖는기판이제공된다. 상기엔모스(NMOS) 영역내에제1 트렌치및 제2 트렌치가형성된다. 상기제1 트렌치및 상기제2 트렌치내에제1 버퍼층이형성된다. 상기제1 버퍼층 상에스트레서(stressor)가형성된다. 상기제1 트렌치및 상기제2 트렌치사이의상기기판상에제1 채널영역이한정된다. 상기제1 채널영역상에제1 게이트전극이형성된다. 상기피모스(PMOS)영역내에제3 트렌치가형성된다. 상기제3 트렌치내에제2 버퍼층이형성된다. 상기제2 버퍼층 상에상기기판과다른반도체층을갖는제2 채널영역이형성된다. 상기제2 채널영역상에제2 게이트전극이형성된다.

Abstract translation: 本公开涉及具有缓冲层的半导体器件。 提供具有NMOS区域和PMOS区域的衬底。 第一沟槽和第二沟槽形成在NMOS区域中。 第一缓冲层形成在第一沟槽和第二沟槽内。 在第一缓冲层上形成应力器。 在第一沟槽和第二沟槽之间的衬底上限定第一变化区域。 第一栅电极形成在第一沟道区上。 在PMOS区域中形成第三沟槽。 在第三沟槽内形成第二缓冲层。 在第二缓冲层上形成具有与衬底不同的半导体层的第二沟道区。 第二栅电极形成在第二沟道区上。

公开(公告)号：KR1020150145606A

公开(公告)日：2015-12-30

申请号：KR1020140075863

申请日：2014-06-20

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이재훈 ,  주녹현 ,  양형모 ,  장성일 ,  이찬호

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/0692 ,  H01L27/0207 ,  H01L27/088 ,  H01L27/11582 ,  H01L29/41758 ,  H01L29/41775 ,  H01L29/4238 ,  H01L29/78 ,  H01L29/7834 ,  H01L29/7848

Abstract: 제1 활성영역, 상기제1 활성영역을 Y 방향으로가로질러연장하여제1 소스영역및 제1 드레인영역을정의하는제1 게이트전극, 상기제1 게이트전극상에상기 Y 방향으로연장하는가상의제1 게이트통과선상에정렬되도록배치된제1 게이트컨택들, 상기제1 소스영역상에상기 Y 방향으로연장하는가상의제1 소스통과선상에정렬되도록배치된제1 소스컨택들, 및상기제1 드레인영역상에상기 Y 방향으로연장하는가상의제1 드레인통과선상에정렬되도록배치된제1 드레인컨택들을포함하고, 상기제1 드레인컨택들중 적어도하나는상기제1 소스컨택들의사이를지나상기 Y 방향과수직하는 X 방향으로평행하게연장하는가상의제1 X-직선들중 어느하나상에정렬되도록배치된레이아웃을갖는 MOSFET 소자가설명된다.

Abstract translation: 公开了一种MOSFET器件，包括：第一有源区; 第一栅电极，沿Y方向延伸穿过所述第一有源区，并且限定第一源区和第一漏区; 第一栅极触点设置成布置在沿着Y方向在第一栅电极上延伸的虚拟第一栅极通过线上; 第一源触点设置成布置在沿Y方向在第一源区域中延伸的虚拟第一源极线上; 以及第一漏极触点，其设置成布置在沿着Y方向在第一漏极区域中延伸的虚拟第一漏极通过线上。 所述第一漏极接触件中的至少一个具有通过所述第一源极触点之间的布置，并布置成布置在沿相对于Y方向垂直的X方向上水平延伸的虚拟第一X线性线中的任一个上。

公开(公告)号：KR1020150067509A

公开(公告)日：2015-06-18

申请号：KR1020130152984

申请日：2013-12-10

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이재훈 ,  김태근 ,  박찬호 ,  허현정

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/4236 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0634 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/7397

Abstract: 반도체전력소자및 그제조방법에서, 반도체전력소자는액티브영역및 터미네이션영역이구분되는기판이마련된다. 상기기판에포함된트렌치들내에는상기트렌치들사이의기판표면보다낮은상부면을갖는제1 및제2 게이트전극들이구비된다. 상기제1 및제2 게이트전극들사이의기판부위에는불순물영역들이배치된다. 상기제1 및제2 게이트전극들및 기판상에는평탄한상부면을갖는층간절연막이구비된다. 상기층간절연막을관통하여상기불순물영역들과접촉하는제1 콘택플러그들이구비된다. 상기층간절연막및 제1 콘택플러그들상에는평탄한상부면을갖는제1 금속막패턴이구비된다. 상기반도체전력소자는공정불량이감소되고우수한전기적특성을가질수 있다.

Abstract translation: 公开了一种半导体功率器件及其制造方法。 半导体功率器件包括包括有源区域和区分的端接区域的衬底。 在包括在基板中的沟槽中形成具有比沟槽之间的衬底表面低的上表面的第一和第二栅电极。 外部材料区域布置在第一和第二栅电极之间的衬底部分上。 如果形成在第一和第二栅电极上的具有平坦的上表面的层间绝缘膜，以及基板。 形成与穿透层间绝缘膜的异物区域接触的第一接触插塞。 在层间绝缘膜和第一接触插塞上形成具有平坦的上表面的第一金属膜图案。 半导体功率器件减少了工艺缺陷，具有优异的电性能。

公开(公告)号：KR1020150011185A

公开(公告)日：2015-01-30

申请号：KR1020130086137

申请日：2013-07-22

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이재훈 ,  김태근 ,  박찬호 ,  허현정

IPC: H01L29/739 ,  H01L21/331

CPC classification number: H01L29/1095 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/402 ,  H01L29/407 ,  H01L29/7397

Abstract: 항복 전압(Breakdown Voltage)을 향상시키고, 소자의 크기를 줄일 수 있는 반도체 장치를 제공하는 것이다. 상기 반도체 장치는 기판의 일면 상에 형성되고, 서로 이격된 이미터 전극과 제1 필드 플레이트, 상기 기판의 타면 상에 형성된 컬렉터 전극, 상기 기판 내에 형성된 트렌치 게이트, 상기 기판 내에 형성된 필드 확산 정션, 및 상기 트렌치 게이트와 상기 제1 필드 플레이트를 연결하는 제1 컨택을 포함하되, 상기 제1 필드 플레이트는 상기 제1 컨택을 중심으로 상기 이미터 전극 방향으로 연장되고 제1 폭을 갖는 제1 부분과, 상기 제1 컨택을 중심으로 상기 필드 확산 정션 방향으로 연장되고 제2 폭을 갖는 제2 부분을 포함하고, 상기 제2 폭은 상기 제1 폭보다 크다.

Abstract translation: 本发明提供一种半导体器件，其可以提高击穿电压并且可以减小器件尺寸。 根据本发明的半导体器件包括发射电极和设置在基板的一个表面上彼此间隔开的第一场板，设置在衬底的另一个表面上的集电极，设置在衬底中的沟槽栅极 ，设置在基板中的场扩散结，以及连接沟槽栅极和第一场板的第一接触。 第一场板具有相对于第一接触部朝向发射极延伸并且具有第一宽度的第一部分和相对于第一接触部朝向场扩散接合部延伸并且具有第二宽度的第二部分。 第二宽度大于第一宽度。

公开(公告)号：KR101480547B1

公开(公告)日：2015-01-08

申请号：KR1020070119399

申请日：2007-11-21

Applicant: 삼성전자주식회사 ,  서강대학교산학협력단

Inventor： 황성택 ,  이재훈 ,  성원진 ,  최진우 ,  이병석 ,  이성혁

IPC: H04B7/26

Abstract: 본 발명은 유선 중계국(RS: Relay Station)을 활용한 셀룰러 시스템에서의 무선 자원 관리 방법에 있어서, 기지국(BS : Base Station)을 중심으로 해당 셀 내의 각 중계국(Remote Station : RS)을 통해 이동단말(MS : Mobile Station)의 채널상태정보(Channel State Information : CSI)를 수신하는 과정과, 상기 수신된 CSI를 통해 채널 이득이 우수한 적어도 하나 이상의 부채널을 선별하고, 상기 선별된 각 부채널별 해당 RS를 채널별 서비스 영역으로 결정하고, 상기 서비스 영역을 통해 서비스 요청을 수신하는 과정과, 상기 서비스 요청 시 사용자 큐(Queue)에 저장된 정보를 기준으로 우선순위를 부여하고, 해당 사용자 큐는 상기 CSI를 기반으로 채널 이득이 우수한 부채널별 해당 스케줄러에 억세스(access)하는 과정과, 상기 억세스 후, 동일 채널별 사용자 그룹을 형성하고, 상기 형성된 그� ��에 미리 설정된 전력 제어 알고리즘을 적용하여 공동 전력 제어를 수행하는 과정을 포함한다.
RS, 스케줄링, 부채널

公开(公告)号：KR1020140110617A

公开(公告)日：2014-09-17

申请号：KR1020130025251

申请日：2013-03-08

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이재훈 ,  박찬호 ,  이남영

IPC: H01L29/778 ,  H01L21/335

CPC classification number: H01L29/778 ,  H01L29/0843 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/4175 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7787

Abstract: Disclosed is a high electron mobility transistor (HEMT) device. The HEMT device includes a plurality of semiconductor layers which are formed on a substrate, an etch stop layer which is formed on the semiconductor layers, a p-type semiconductor layer pattern which is formed on the etch stop layer, and a gate electrode which is formed on the p-type semiconductor layer pattern.

Abstract translation: 公开了一种高电子迁移率晶体管（HEMT）器件。 HEMT器件包括形成在衬底上的多个半导体层，形成在半导体层上的蚀刻停止层，形成在蚀刻停止层上的p型半导体层图案，以及栅极电极 形成在p型半导体层图案上。

公开(公告)号：KR101421294B1

公开(公告)日：2014-07-18

申请号：KR1020070112637

申请日：2007-11-06

Applicant: 삼성전자주식회사 ,  서강대학교산학협력단

Inventor： 이재훈 ,  황성택 ,  성원진 ,  최진우 ,  이병석 ,  성기석 ,  송인홍

IPC: H04B7/26 ,  H04B7/04

CPC classification number: H04W72/1231 ,  H04B7/2606 ,  H04W84/047

Abstract: 본 발명은 유선 중계국(RS: Relay Station)을 활용한 셀룰러 시스템에서의 스케줄링 방법에 있어서, 기지국(BS: Base Station)을 중심으로 해당 셀 내의 모든 이동단말(MS : Mobile Station)을 각 채널별로 CT(Cooperative Transmission: 협력적 전송) 및 ST(Single Transmission: 단일전송) MS로 분류하는 과정과, 상기 분류된 각 채널별 CT 및 ST MS의 각 RS에서의 채널 용량(capacity)을 매핑화하여 최우선순위의 채널을 선택하고, 상기 선택된 채널의 용량이 설정된 CT 판단기준(criteria)의 만족 여부에 따라 해당 MS로부터 리퀘스트(request)메시지를 수신하는 과정과, 상기 리퀘스트 메시지를 송신한 다수의 MS중에서 해당 스케줄링 알고리즘에 따라 최우선순위의 메트릭 값을 갖는 MS를 선택하여 그랜트(grant)메시지를 전송하는 과정과, 상기 그랜트 메시지를 전송한 해당 스케줄러의 채널을 수락(accept)하는 과정을 포함함을 특징으로 한다.
RS, 스케줄링, 채널 할당

公开(公告)号：KR1020140056478A

公开(公告)日：2014-05-12

申请号：KR1020120119604

申请日：2012-10-26

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이병후 ,  강태룡 ,  김상덕 ,  박용희 ,  이상래 ,  이재훈

IPC: G06F11/36

CPC classification number: G06F11/3672 ,  G06F11/3684 ,  G06F11/3688 ,  H04N17/004 ,  H04N21/43635 ,  H04N21/4424 ,  H04N21/443

Abstract: The present invention relates to an apparatus and a method for automatically testing embedded software. The apparatus includes an output detection unit which collects interface state information of data transmission and reception from at least one between a first and a second digital device having first and second embedded software, respectively, and performing data transmission and reception between each other, and extracts a keyword from the collected interface state information; a scenario composition unit for composing a scenario corresponding to a specific event situation using the extracted keyword and identification information on the first and second pieces of embedded software; and a control instruction generation unit for generating a control instruction allowing any one of the first and second pieces of embedded software to reproduce the event situation based on the composed scenario. Therefore, a problem occurring in an interaction between a plurality of pieces of embedded software and an interface operation of transmitting and receiving data can be detected in advance to be reproduced and various test scenarios can be secured by executing various events sequentially or at random by using all interface state information output by executing a plurality of pieces of embedded software having different characteristics as an inquiry word.

Abstract translation: 本发明涉及一种用于自动测试嵌入式软件的装置和方法。 该装置包括输出检测单元，其分别从具有第一和第二嵌入式软件的第一和第二数字设备之间的至少一个收集数据发送和接收的接口状态信息，并且彼此之间执行数据发送和接收，并且提取 来自收集的接口状态信息的关键字; 用于使用所提取的关键字构成与特定事件情况相对应的情景的场景组合单元和关于所述第一和第二嵌入式软件的识别信息; 以及控制指令生成单元，用于生成允许所述第一和第二嵌入式软件中的任何一个基于所述组合场景再现所述事件状况的控制指令。 因此，可以预先检测在多个嵌入式软件之间的交互作用和发送和接收数据的接口操作之间发生的问题，以便再现并且可以通过使用以下方式顺序地或随机地执行各种事件来确保各种测试场景 通过执行具有不同特征的多个嵌入式软件作为查询字来输出所有接口状态信息。

公开(公告)号：KR1020140039772A

公开(公告)日：2014-04-02

申请号：KR1020120106436

申请日：2012-09-25

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이재훈 ,  김기원 ,  이정희

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/7783 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/66462

Abstract: Disclosed are a nitride-based semiconductor device and a manufacturing method thereof. The nitride-based semiconductor device according to an embodiment comprises a first n+ type GaN layer formed on a substrate; a semiconductor laminate which includes a first semiconductor layer, a second semiconductor layer, and a third semiconductor layer sequentially staked on the first n+ type GaN layer except for a first region and has a mesa structure composed of a flat top layer and a sidewall connected to the top layer; a gate insulating layer formed on the outer surface of the semiconductor laminate except for a second region of the top layer; a gate electrode formed on the gate insulating layer; a drain electrode formed on the first region of the first n+ type GaN layer; and a source electrode formed on the third semiconductor layer exposed through the second region. [Reference numerals] (AA) Second region; (BB) First region

Abstract translation: 公开了一种氮化物系半导体器件及其制造方法。 根据一个实施方案的氮化物基半导体器件包括在衬底上形成的第一n +型GaN层; 包括第一半导体层，第二半导体层和顺序地在第一n +型GaN层上刻制的第三半导体层的半导体层叠体，除了第一区域之外，还具有由平坦顶层和侧壁连接的台面结构 顶层; 栅极绝缘层，形成在所述顶层的第二区域之外的所述半导体层叠体的外表面上; 形成在所述栅极绝缘层上的栅电极; 形成在所述第一n +型GaN层的所述第一区域上的漏电极; 以及形成在通过第二区域暴露的第三半导体层上的源电极。 （附图标记）（AA）第二区域; （BB）第一区

公开(公告)号：KR1020140039771A

公开(公告)日：2014-04-02

申请号：KR1020120106435

申请日：2012-09-25

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이재훈

IPC: H01L33/32 ,  H01L33/10 ,  H01L33/16 ,  H01L33/12

CPC classification number: H01L33/08 ,  H01L33/007 ,  H01L33/10 ,  H01L33/12 ,  H01L33/16 ,  H01L33/32 ,  H01L2933/0008

Abstract: Disclosed are a nitride based light emitting diode and a method for manufacturing the same. The nitride based light emitting diode according to an embodiment of the present invention comprises a substrate; a p-type GaN layer formed on the substrate; an active layer formed on the p-type GaN layer; a first n-type GaN layer formed on the active layer; an AlGaN layer formed on the first n-type GaN layer; a second n-type GaN layer formed on the AlGaN layer; a p-type electrode formed on the substrate; and a n-type electrode formed on the second n-type GaN layer. [Reference numerals] (120) Reflective layer; (130) P-type GaN layer; (140) Active layer; (150) First n-type GaN layer; (160) AIGaN layer; (170) Second n-type GaN layer; (AA) Growth direction

Abstract translation: 公开了一种基于氮化物的发光二极管及其制造方法。 根据本发明实施例的基于氮化物的发光二极管包括基板; 在该基板上形成的p型GaN层; 形成在p型GaN层上的有源层; 形成在有源层上的第一n型GaN层; 形成在第一n型GaN层上的AlGaN层; 形成在AlGaN层上的第二n型GaN层; 在该基板上形成的p型电极; 以及形成在第二n型GaN层上的n型电极。 （附图标记）（120）反射层; （130）P型GaN层; （140）有源层; （150）第一n型GaN层; （160）AIGaN层; （170）第二n型GaN层; （AA）生长方向