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公开(公告)号：KR102233579B1
公开(公告)日：2021-03-30
申请号：KR1020140104482A
申请日：2014-08-12
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/027 , G03F1/62
CPC classification number: H01L21/0274 , G03F1/62 , G03F7/2004
Abstract: EUV 리소그래피용 펠리클은 펠리클 필름, 지지 구조물 및 핸들링 블럭을 포함할 수 있다. 펠리클 필름은 마스크를 향하는 제 1 면, 및 상기 제 1 면의 반대인 제 2 면을 가질 수 있다. 펠리클 필름은 마스크를 통과한 EUV를 투과시킬 수 있다. 지지 구조물은 상기 펠리클 필름의 제 2 면에 형성되어 상기 펠리클 필름을 지지할 수 있다. 핸들링 블럭은 상기 펠리클 필름의 제 1 면에 배치될 수 있다. 핸들링 블럭은 상기 펠리클 필름을 노출시키는 개구부를 가질 수 있다. 따라서, 펠리클 취급시, 얇은 두께를 갖는 펠리클 필름이 아닌 두께운 두께를 갖는 핸들링 블럭을 이용하게 되어, 펠리클 필름의 파손 등과 같은 손상을 방지할 수 있다.
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公开(公告)号：WO2022260290A1
公开(公告)日：2022-12-15
申请号：PCT/KR2022/006719
申请日：2022-05-11
Applicant: 삼성전자주식회사
Abstract: 전자 장치는 베젤 파트에 대해 회전 가능하게 결합되어 복수의 자석들을 포함하는 회전체, 복수의 자석들에 의해 유발되는 자기장을 센싱하는 한 쌍의 홀 센서들, 내부 공간에 배치되는 자기 센서, 제2 자기장 데이터를 제1 자기장 데이터에 기초하여 산출된 오프셋을 이용하여 보정하는 프로세서를 포함할 수 있다.
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公开(公告)号：KR1020160047369A
公开(公告)日：2016-05-02
申请号：KR1020140181613
申请日：2014-12-16
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G03F1/24
CPC classification number: G03F1/24
Abstract: 본발명의반사형마스크는마스크기판과, 상기마스크기판상에형성된다중반사층과, 상기다중반사층에제공된메인트랜치(first main trench); 상기메인트랜치내에서로떨어져형성되고노광대상기판으로전사되지않는복수개의지지패턴들과, 상기메인트랜치내에상기지지패턴들에의하여구획된복수개의보조트랜치들, 및상기보조트랜치들내에형성된복수개의보조광흡수패턴들을포함하여광흡수패턴을구성한다.
Abstract translation: 反射掩模及其制造方法包括在掩模基板上的反射多层，在主沟槽中彼此间隔开的多个支撑图案。 多个支撑图案位于反射多层的主沟槽中。 多个支撑图案对应于未转印到曝光目标基板上的反射掩模的区域。 支撑图案分隔主沟槽以形成多个辅助沟槽。 反射掩模还包括在辅助沟槽中包括多个辅助光吸收图案的光吸收图案。
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公开(公告)号：KR101691024B1
公开(公告)日：2016-12-30
申请号：KR1020100119409
申请日：2010-11-29
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G03F1/52 , G03F1/54 , H01L21/027
Abstract: 반사형 EUV 마스크는마스크기판, 반사층및 흡수층패턴을포함한다. 마스크기판은노광영역과주변영역을갖는다. 또한, 마스크기판의상기주변영역에반사도를낮추기위한광산란부(light-scattering portion)가형성된다. 반사층은상기마스크기판상에형성된다. 반사층은상기광산란부를노출시키는제 1 개구부를갖는다. 흡수층패턴은상기반사층상에형성된다. 흡수층패턴은상기제 1 개구부와연통된제 2 개구부를갖는다. 따라서, 광산란부가노출된마스크기판으로부터광이반사되는정도를낮출수가있다.
Abstract translation: 反射性极紫外线掩模包括具有曝光区域和周边区域的掩模基板，所述掩模基板在所述周边区域中包括光散射部分，所述掩模基板的上表面上的反射层，所述反射层具有第一 打开曝光光散射部分和在反射层上的吸收层图案，吸收层图案具有与第一开口光连通的第二开口。
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公开(公告)号：KR1020110122928A
公开(公告)日：2011-11-14
申请号：KR1020100042281
申请日：2010-05-06
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/027
CPC classification number: G03F1/24 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , H01L21/0337 , G03F7/2008 , H01L21/0274
Abstract: PURPOSE: A reflective extreme ultraviolet mask and a manufacturing method thereof are provided to prevent process time delay and defect occurrence caused by an etching process by lowering the reflectivity of a reflecting layer, which is placed in a non-pattern area using a simple thermal process, to a desired degree. CONSTITUTION: A mask substrate(110) has a pattern area and a non-pattern area. A patterned structure(140) is arranged in the top of the pattern area of the mask substrate. The patterned structure includes a reflecting layer(120) and an absorption layer pattern(132). A non-patterned structure(150) is arranged at the upper part of the non-pattern area of the mask substrate. The non patterned structure includes a reflecting layer(122) and an absorption layer(130).
Abstract translation: 目的：提供一种反射性极紫外线掩模及其制造方法，以通过降低反射层的反射率来防止由蚀刻处理引起的处理时间延迟和缺陷，该反射层使用简单的热处理放置在非图案区域中 ，达到所需的程度。 构成：掩模基板（110）具有图案区域和非图案区域。 图案化结构（140）布置在掩模基板的图案区域的顶部。 图案化结构包括反射层（120）和吸收层图案（132）。 非图案化结构（150）布置在掩模基板的非图案区域的上部。 非图案化结构包括反射层（122）和吸收层（130）。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR100446615B1
公开(公告)日：2004-09-04
申请号：KR1020010062079
申请日：2001-10-09
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01S5/30
CPC classification number: H01S5/227 , H01S5/2206 , H01S5/2213 , H01S5/2272 , H01S5/32341
Abstract: A semiconductor laser diode and a manufacturing for fabricating the same are provided. The semiconductor laser diode includes a substrate (100), masks (114) that are formed at both sides of the substrate, a light generating layer that is formed on the substrate between the masks, current blocking layers (116) that are formed on the masks (114), respectively, and first and second electrodes (122, 120) that are formed on the bottom surface of the substrate (100) and on the top surface of the light generating layer, respectively. The optical generating layer and the current blocking layer are simultaneously formed through single growth, and the current blocking layer confines current and light in a lateral direction in the light generating layer. Thus, a semiconductor laser diode manufacturing process can be simplified, and threshold current for laser oscillation can be lowered.
Abstract translation: 提供半导体激光二极管及其制造的制造。 该半导体激光二极管包括衬底（100），形成在衬底两侧的掩模（114），形成在衬底之间的衬底上的光产生层，形成在衬底（100）上的电流阻挡层 掩模（114）以及分别形成在衬底（100）的底表面和光生成层的顶表面上的第一和第二电极（122,120）。 光产生层和电流阻挡层通过单次生长同时形成，并且电流阻挡层在光产生层中沿横向方向限制电流和光。 因此，可以简化半导体激光二极管的制造工艺，并且可以降低用于激光振荡的阈值电流。 ＆lt;图像＆GT;
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公开(公告)号：KR1019970052671A
公开(公告)日：1997-07-29
申请号：KR1019950059243
申请日：1995-12-27
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/34
Abstract: 본 발명은 반도체장치의 제조공정중 웨이퍼상에 미세한 파티클을 브러쉬의 회전에 의해 제거하는 파티클제거장치에 있어서 브러쉬와 웨이퍼표면 사이의 브러쉬갭을 전자적으로 조절할 수 있는 장치에 관한 것으로서, 그 구성은 상기 비러쉬와 상기 웨이퍼사이에 레이저빔을 주사하는 레이저빔주사부(20); 상기 주사된 레이저 빔을 검출하여 상기 브러쉬와 상기 웨이퍼의 간격의 검출신호를 출력하는 레이저빔검출부(30)와; 상기 레이저빔의 검출신호를 입력하여, 그 검출신호와 적정의 브러쉬갭에 대응하는 기준신호를 비교하여서 모터제어신호를 출력하는 시스템제어용 컴퓨터(40)와; 상기 모터제어신호에 따라 상기 브러쉬아암의 높이를 조절하는 갭조절수단(50)을 포함한다. 상술한 본 발명의 파티클제거장치에 의하면, 브러쉬갭을 객관적으로 관리할 수 있을뿐만 아니라,파티클제거공정중에서도 그 브러쉬갭을 자동으로 조절할 수 있어서, 파티클제거능력을 향상시킬수 있다. 또한 항상 적정한 브러쉬갭을 유지할 수있기 때문에 브러쉬가 웨이퍼가 표면에 손상을 주는 문제를 방지할 수있고, 또한 한 설비에서 여러 막질에 대한 최적의 브러쉬갭을 자동적으로 조절할 수 있다.
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公开(公告)号：KR1020170102634A
公开(公告)日：2017-09-12
申请号：KR1020160024977
申请日：2016-03-02
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G06F3/14 , G06F3/0481 , G06F3/0482 , G06F3/16 , G09F9/30
CPC classification number: G06F3/1454 , G06F1/1616 , G06F1/1626 , G06F1/1641 , G06F1/1647 , G06F1/165 , G06F1/1652 , G06F3/04883 , G06F3/1423 , G09G2370/16 , H04M1/72527 , H04M1/7253 , H04M1/72583
Abstract: 본발명의다양한실시예에따른전자장치는, 하우징; 상기하우징의제1위치에마련되는제1디스플레이; 상기하우징의제2위치에상기제1디스플레이와분리되어마련되는제2디스플레이; 상기하우징내에마련되는통신회로; 상기하우징내에마련되고, 상기제1디스플레이, 제2디스플레이및 통신회로와전기적으로연결되는제어회로; 및상기하우징내에마련되고, 상기제어회로와전기적으로연결되는메모리를포함하며, 상기메모리는, 실행시에, 상기제어회로가, 제1영상을상기제1디스플레이에제공하고, 상기제1영상의표시와적어도일부동시에, 제2영상을상기제2디스플레이에제공하고, 상기제1영상또는제2영상중 어느하나와연관된데이터를상기통신회로에제공하고, 상기통신회로가, 외부장치의디스플레이에상기제1영상또는제2영상중 어느하나와적어도일부가동일한영상을제공하도록, 상기데이터를상기외부장치에전송하도록하는인스트럭션들을저장할수 있다. 그외에다양한실시예들이가능하다.
Abstract translation: 根据本发明的各种实施例的电子设备包括：外壳; 提供在壳体的第一位置处的第一显示器; 在外壳的第二位置处与第一显示器分开的第二显示器; 通信电路设置在壳体内; 控制电路，设置在所述壳体中并且电连接到所述第一显示器，所述第二显示器和所述通信电路; 并且存储器设置在外壳中，电连接到控制电路，其中存储器在执行时使控制电路向第一显示器提供第一图像， 向第二显示器提供第二图像并将与第一图像或第二图像相关联的数据提供给通信电路， 并且将数据传输到外部设备，使得第一图像或第二图像的至少一部分提供相同的图像。 各种其他实施例是可能的。
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公开(公告)号：KR1020150068268A
公开(公告)日：2015-06-19
申请号：KR1020140026567
申请日：2014-03-06
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L29/739 , H01L29/78
CPC classification number: H01L29/7397 , H01L29/66348 , H01L29/7811
Abstract: 반도체전력소자및 그제조방법에서, 반도체전력소자는상기기판의제1 영역으로부터제2 영역까지제1 방향으로연장되고, 서로이웃하는하나의제1 및제2 게이트전극과, 상기제1 및제2 게이트전극들의단부를연결시키는연결부를포함하고, 이들이서로반복배치되는게이트전극패턴들이구비된다. 상기게이트전극패턴들사이의기판의제1 영역에는제1 불순물농도및 제1 도핑깊이를갖는플로팅웰 영역들이구비된다. 상기기판의제2 영역에서, 상기제1 및제2 게이트전극들과이격되어상기제1 영역을둘러싸는링 형상을갖고, 상기제1 불순물농도및 제1 도핑깊이를갖는불순물이도핑되어있는터미네이션링 영역들이구비된다. 상기반도체전력소자는높은항복전압을가질수 있다.
Abstract translation: 公开了一种半导体功率器件及其制造方法。 半导体功率器件包括在第一方向上从衬底的第一区域延伸到第二区域的相邻的第一和第二栅电极; 以及栅极电极图案，包括连接第一和第二栅电极的端部的连接部分，并且其中重复布置。 在栅极电极图案之间的衬底的第一区域上形成具有第一杂质浓度和第一掺杂深度的浮动阱区域。 在基板的第二区域中，形成具有围绕第一区域的环形形状的终端环区域，其与第一和第二栅极电极分离，并掺杂有具有第一杂质浓度和第一掺杂深度的杂质。 半导体功率器件具有高击穿电压。
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