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公开(公告)号：CN115424908A
公开(公告)日：2022-12-02
申请号：CN202211122667.X
申请日：2022-09-15
Applicant: 中国科学技术大学
Abstract: 本发明提供了一种电子源发射器，由单晶LaB6电子源发射体和夹持所述单晶LaB6电子源发射体的机械夹持单元组成；所述单晶LaB6电子源发射体为具有尖端的单晶体LaB6。本申请电子源发射器中单晶LaB6电子源发射体的引入，使其具有低工作电压、高电流密度发射和化学惰性的电子发射特性；同时单晶LaB6极高的抗离子轰击能力和导电能力，从根本上防止阴极被回轰正离子损坏或阴极中毒，延长了阴极使用寿命，提高了电子源发射器的稳定性。
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公开(公告)号：CN113628944B
公开(公告)日：2022-11-04
申请号：CN202110686254.3
申请日：2021-06-21
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明涉及一种场电子发射阴极的制备方法，包括：提供衬底；在所述衬底上形成纳米晶金刚石薄膜；将形成有纳米晶金刚石薄膜的衬底在含氧气氛中退火，从而得到金刚石纳米毛刺结构；以及将所述金刚石纳米毛刺结构的表面处理为氢终端。本发明方法可制备具有纳米级密排结构的纳米晶金刚石薄膜，该薄膜生长速率快，并且利用该薄膜通过高选择比氧化反应可容易地获得大长径比、高密度的金刚石纳米毛刺结构，其可大大提高场增强因子。本发明方法中的高选择比的氧化反应使得金刚石消耗量小。另外，本发明方法无需图形化掩膜工艺，因此相关设备和工艺简单，可大大降低加工成本。
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公开(公告)号：CN109767961B
公开(公告)日：2022-09-23
申请号：CN201811619109.8
申请日：2018-12-28
Applicant: 中国电子科技集团公司第十二研究所
Abstract: 本发明公开了一种带屏蔽结构的尖锥阵列型场发射电子源，其特征在于，包括从下到上依次设置的基底、发射尖锥、绝缘层、屏蔽层和栅极；所述发射尖锥至少部分暴露于所述绝缘层外，所述屏蔽层位于由所述发射尖锥、绝缘层和栅极构成的空腔中，以隔断所述发射尖锥和栅极。该场发射电子源带有防止沿络电弧的屏蔽结构，能有效防止传统场发射电子源的常见的沿络电弧失效的问题发生。本发明还公开了一种带屏蔽结构的尖锥阵列型场发射电子源的制作方法。
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公开(公告)号：CN114937585A
公开(公告)日：2022-08-23
申请号：CN202210698168.9
申请日：2018-04-10
Applicant: ASML荷兰有限公司
IPC: H01J37/065 , H01J37/067 , H01J37/07 , H01J37/10 , H01J37/244 , H01J37/317 , H01J37/04 , H01J1/88 , H01J3/02 , G03F7/20
Abstract: 本发明涉及一种用于产生和发射带电粒子束的带电粒子源模块，包括：框架，包括第一框架部分、第二框架部分以及布置在第一框架部分和第二框架部分之间的并且刚性地连接至它们的一个或多个刚性支撑构件，框架包括安装构件，安装构件通过挠曲连接件而连接到第二框架部分；用于产生带电粒子束的带电粒子源装置，其中带电粒子源装置被布置在第二框架部分处，包括：发射器装置，被配置用于发射带电粒子；以及电极，用于从由发射器装置发射的带电粒子形成带电粒子束；和布置在第一框架部分处的电力连接组件，电力连接组件刚性地连接到第一框架部分，并且带电粒子源装置刚性地连接到第二框架部分，其中带电粒子源装置经由电线电连接至电力连接组件。
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公开(公告)号：CN114927395A
公开(公告)日：2022-08-19
申请号：CN202210449439.7
申请日：2022-04-24
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明提供一种实时控制NEAGaN电子源反射率的方法。具体方法为：建立反射率随温度变化的公式以及NEAGaN电子源反射率实时可变的模型；确定目标反射率R和工作时的入射光波长λ和初始偏离值s；获取工作温度T0以及当前NEAGaN电子源的反射率R0；将目标参数输入到温度校准模型，计算输出目标温度T1；获取温度为T1时NEAGaN电子源的反射率R1并计算偏离度s1，若s1小于偏离值s，输出温度T＝T1，若s1大于偏离值s，则根据T1、R1进行下一次修正，再次计算得到温度T2与偏离度，并与设定值进行比较。根据如上步骤校准温度，直至sn小于偏离值s，最终输出目标R对应的最优温度T。本发明通过温度控制NEAGaN电子源反射率，具有自校准的功能，且控制灵活，启动快，可靠性高，可以精确实现实时自动控制NEAGaN电子源反射率的需求，进而提高稳定性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114664614A
公开(公告)日：2022-06-24
申请号：CN202210262772.7
申请日：2022-03-17
Applicant: 中国科学技术大学
Abstract: 本申请公开了一种电子枪，所述电子枪包括：电子源、栅极和阳极，所述电子源用于出射电子束；所述电子源朝向所述栅极和所述阳极的一侧具有微凸起结构，所述微凸起结构在电场的作用下具有自汇聚的透镜效果，用于减小所述电子束的发散角；所述栅极用于对所述电子源施加预设电压，以使得所述电子源出射的电子束局限在所述微凸起结构上产生，减小所述电子束的发散角；其中，所述栅极具有第一通孔，所述微凸起结构和所述第一通孔相对设置，以使得所述电子束通过所述第一通孔入射至所述阳极上，减小所述电子束的交叉点直径。应用本申请提供的技术方案，通过采用具有微凸起结构的电子源，可以获得自汇聚的电子束，减小电子束的发散角。
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公开(公告)号：CN114303223A
公开(公告)日：2022-04-08
申请号：CN202080059386.7
申请日：2020-09-04
Applicant: 日商光电魂股份有限公司
Inventor： 饭岛北斗
Abstract: 本发明要解决的问题在于提供可确认从光电阴极射出的电子束是否从设计射出中心轴偏移的电子枪。通过本发明的电子枪可解决上述问题，该电子枪包含：光源；光电阴极，依据来自光源的受光而射出电子束；以及阳极；该电子枪包含：中间电极，配置于光电阴极与阳极之间；电子束遮蔽部件，可遮蔽电子束的一部分；测量部，测量经由电子束遮蔽部件遮蔽的电子束的强度；以及电子束射出方向偏向装置，配置于阳极与电子束遮蔽部件之间，且使通过阳极的电子束到达电子束遮蔽部件时的位置变化；中间电极具有供从光电阴极射出的电子束通过的电子束通过孔；在电子束通过孔中形成在借助于电压的施加而在光电阴极与阳极之间形成有电场时可忽略电场的影响的漂移空间。
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公开(公告)号：CN113745075A
公开(公告)日：2021-12-03
申请号：CN202010477613.X
申请日：2020-05-29
Applicant: 北京大学
Abstract: 本申请公开了一种片上微型电子源及其制造方法、电子源系统、电子设备，其中片上微型电子源可以包括衬底，衬底上形成有驱动电极对，驱动电极对存在间隙，间隙中形成有导体盘和电子隧穿结，电子隧穿结由阻变材料层发生软击穿形成，导体盘与电子隧穿结中的导电区域接触，驱动电极对用于驱动电子隧穿结发出电子束。这样，在电子隧穿结中的导电区域的导体盘，可以在对阻变材料层进行软击穿形成电子隧穿结时表面出现等电势，因此在一定程度上缩短了需要击穿的阻变材料层的宽度，相比于未形成有导体盘的器件而言，需要更小的驱动的电压，且降低了对驱动电极对的间隙的工艺要求。
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公开(公告)号：CN113205985A
公开(公告)日：2021-08-03
申请号：CN202110331312.0
申请日：2021-03-25
Applicant: 中国电力科学研究院有限公司 , 中国电力科学研究院有限公司武汉分院 , 国家电网有限公司 , 国网江苏省电力有限公司营销服务中心
IPC: H01J3/02
Abstract: 本发明公开了一种基于光电子发射引出量子电流的方法及系统，属于电学计量量子化技术领域。本发明方法，包括：调节激光器的功率及发出的激光频率；控制激光器发出激光，并以预设角度射入光阴极电子枪光阴极的材料表面；当光阴极的材料表面内的电子与激光光子发生交互作用，且由穿隧效应引起电子迁移至金属表面并发射形成光电子后，在光阴极电子枪外阳极处施加强电场，将光电子引出，生成量子电流。本发明突破了传统的基于单电子隧道效应的电流量子化方式的限制，使得电流的流强有极大提高，同时也改进了电子源输出电子束流的稳定性。
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