公开(公告)号：KR101428469B1

公开(公告)日：2014-08-13

申请号：KR1020130036139

申请日：2013-04-03

Applicant: 한국에너지기술연구원

Inventor： 조준식 ,  어영주 ,  박주형 ,  곽지혜 ,  윤재호 ,  조아라 ,  신기식 ,  안승규 ,  윤경훈 ,  유진수 ,  박상현 ,  안세진

IPC: H01L31/042 ,  H01L31/0236 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/18

CPC classification number: Y02E10/50 ,  H01L31/042 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/0236 ,  H01L31/18

Abstract: The present invention relates to a CIGS thin film solar cell having a double backside electrode. The present invention relates to a method for fabricating a solar cell which naturally generates a recess structure in a backside electrode through a high temperature process of a CIGS light absorption layer without a separate recess formation process, and to a solar cell.

Abstract translation: 本发明涉及一种具有双面背面电极的CIGS薄膜太阳能电池。 本发明涉及一种用于制造太阳能电池的方法，该太阳能电池通过CIGS光吸收层的高温处理而在背面电极中自然产生凹槽结构，而没有单独的凹陷形成工艺，并且涉及一种太阳能电池。

公开(公告)号：KR101415251B1

公开(公告)日：2014-07-07

申请号：KR1020130026267

申请日：2013-03-12

Applicant: 한국에너지기술연구원

Inventor： 박주형 ,  조준식 ,  어영주 ,  윤재호 ,  윤경훈 ,  신기식 ,  곽지혜 ,  박상현 ,  안세진 ,  안승규 ,  유진수 ,  조아라

IPC: H01L31/042 ,  H01L31/06 ,  H01L31/18

CPC classification number: Y02E10/50 ,  H01L31/042 ,  H01L31/06 ,  H01L31/18

Abstract: The present invention provides double buffer layers for increasing efficiency of a solar cell comprising: a first buffer layer and a second buffer layer formed on the first buffer layer, wherein the first buffer layer has lower contact resistance with an optical absorption layer than the second buffer layer. The double buffer layers composed of the first buffer layer and the second buffer layer have the optical absorption rate lower than a single layer formed with the same thickness of the layer whose optical absorption rate is higher between the first buffer layer and the second buffer layer wherein the buffer layer is thinner than the second buffer layer. The present invention forms the first buffer layer with a material having low contact resistance with the optical absorption layer and arranges a material with higher resistance on an upper part of the first buffer layer, thereby making the buffer layer, composed of double layers, have low contact resistance at an interface with the optical absorption layer and at the same time have the high light penetration ratio so it may increase the light which arrives at the optical absorption layer to enhance the efficiency of the solar cell.

Abstract translation: 本发明提供了一种用于提高太阳能电池效率的双缓冲层，包括：形成在第一缓冲层上的第一缓冲层和第二缓冲层，其中第一缓冲层与光吸收层的接触电阻低于第二缓冲层 层。 由第一缓冲层和第二缓冲层组成的双缓冲层的光吸收率低于在第一缓冲层和第二缓冲层之间的光吸收率较高的层的厚度相同的单层， 缓冲层比第二缓冲层薄。 本发明利用光吸收层形成具有低接触电阻的材料的第一缓冲层，并且在第一缓冲层的上部配置具有较高电阻的材料，从而使由双层组成的缓冲层具有低 在与光吸收层的界面处的接触电阻同时具有高的光穿透率，因此可以增加到达光吸收层的光，以提高太阳能电池的效率。

公开(公告)号：KR101406702B1

公开(公告)日：2014-06-11

申请号：KR1020120104629

申请日：2012-09-20

Applicant: 한국에너지기술연구원

Inventor： 박상현 ,  곽지혜 ,  안세진 ,  윤경훈 ,  신기식 ,  안승규 ,  조아라 ,  윤재호 ,  조준식 ,  유진수 ,  박주형 ,  어영주

IPC: H01L51/56 ,  H01L21/20

CPC classification number: C23C14/243 ,  C23C14/564 ,  C30B23/066

Abstract: 소스 잔류물 배출형 셔터를 구비한 진공 증발원 및 이를 포함하는 증착 장비가 개시된다. 본 발명에 따른 소스 잔류물 배출형 셔터를 구비한 진공 증발원은, 원통형의 내부 공간을 제공하는 외부 용기와, 상기 외부 용기의 내부 공간에 거치되는 도가니 및 상기 외부 용기와 상기 도가니 사이에 배치되어 상기 도가니를 가열하는 히터를 포함하는 진공 증발원 본체; 및 상기 진공 증발원 본체의 출구 측에 배치되어 상기 도가니의 출구를 개폐하는 것으로서, 상기 도가니의 출구와 마주보는 안쪽 면에 응축된 소스 잔류물이 상기 외부 용기 바깥쪽으로 흘러 배출될 수 있도록, 상기 안쪽 면의 상기 도가니 출구에 대응되는 영역으로부터 상기 외부 용기 바깥쪽 영역까지 연장되게 배치된 다수의 흐름 가이드를 갖는 셔터;를 포함한다. 본 발명에 따른 증착 장비는 전술한 구성을 가지고, 진공 챔버 내에서 기판의 중심을 향해 기울어지게 배치된, 다수의 진공 증발원을 포함한다.

公开(公告)号：KR1020140021805A

公开(公告)日：2014-02-21

申请号：KR1020120080991

申请日：2012-07-25

Applicant: 한국에너지기술연구원

Inventor： 조아라 ,  윤경훈 ,  안세진 ,  윤재호 ,  어영주 ,  안승규 ,  조준식 ,  유진수

IPC: H01L31/0749 ,  H01L31/042 ,  H01L31/18

CPC classification number: Y02E10/50 ,  Y02P70/521 ,  H01L31/0749 ,  H01L31/042 ,  H01L31/18

Abstract: Provided are a manufacturing method of a CI(G)S thin film where a maturing process of slurry including binary nano-particles is introduced and a CI(G)S thin film manufactured by the same. The manufacturing method of a CI(G)S thin film includes: a step of producing CI(G)S binary nano-particles; a step of producing hybrid slurry by mixing the binary nano-particles, a precursor solution including CI(G)S elements, a solvent, and a chelating agent; a step of maturing the hybrid slurry for five to ten days; a step of forming a CI(G)S thin film by coating the matured hybrid slurry; and a step of thermal-treating the formed CI(G)S thin film. By doing so, it is possible to secure excellent reproducibility when manufacturing a CI(G)S solar cell thin film and thus improve the reliability of the manufactured thin film.

Abstract translation: 本发明提供一种CI（G）S薄膜的制造方法，其中引入包含二元纳米粒子的浆料成熟过程和由其制造的CI（G）S薄膜）。 CI（G）S薄膜的制造方法包括：制备CI（G）S二元纳米颗粒的步骤; 通过混合二元纳米颗粒，包含CI（G）S元素的前体溶液，溶剂和螯合剂来生产混合浆料的步骤; 将混合浆料熟化5至10天的步骤; 通过涂覆成熟的杂化浆料形成CI（G）S薄膜的步骤; 以及对形成的CI（G）S薄膜进行热处理的步骤。 通过这样做，可以在制造CI（G）S太阳能电池薄膜时确保优异的再现性，从而提高制造的薄膜的可靠性。

公开(公告)号：KR101358055B1

公开(公告)日：2014-02-06

申请号：KR1020110138361

申请日：2011-12-20

Applicant: 한국에너지기술연구원

Inventor： 곽지혜 ,  윤재호 ,  안세진 ,  윤경훈 ,  정성훈 ,  신기식 ,  안승규 ,  조아라 ,  박상현

IPC: H01L31/0445 ,  H01L31/06 ,  H01L31/18

CPC classification number: Y02E10/50 ,  Y02P70/521

Abstract: 태양전지용 CZTSe계 박막의 제조방법 및 그 방법에 의해 제조된 CZTSe계 박막이 개시된다. 본 발명의 태양전지용 CZTSe계 박막의 제조방법은, 기판상에 Cu, Zn, Sn 및 Se을 동시진공증발법에 따라 증착하는 단계(단계 a); 박막상에 Cu와 Se을 추가로 증착시키는 Cu-Se 인캡슐레이션 단계(단계 b); 및 박막에 Se을 앞선 단계들보다 높은 온도조건에서 추가 증착하는 단계(단계 c);를 포함한다. 이에 의하면, CZTSe계 박막의 제조공정에 있어서 동시진공증발공정에 Cu-Se 인캡슐레이션 단계를 도입함으로써 박막 내 Sn의 손실 및 상분리를 최소화하여 원소 분포를 균일하게 하고, 궁극적으로 이를 포함한 태양전지의 에너지 변환효율을 높일 수 있다.

公开(公告)号：KR1020140010549A

公开(公告)日：2014-01-27

申请号：KR1020120076562

申请日：2012-07-13

Applicant: 한국에너지기술연구원

Inventor： 윤재호 ,  곽지혜 ,  안세진 ,  윤경훈 ,  신기식 ,  안승규 ,  조아라 ,  박상현 ,  박희선 ,  최성우

IPC: H01L31/0749 ,  H01L31/042 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L31/0322 ,  H01L31/0749 ,  H01L31/18 ,  Y02E10/541

Abstract: The present invention relates to a method for forming a CIGS light absorption layer, capable of improving the efficiency of a solar cell when the depletion layer of the CIGS light absorption layer is thin due to the low Na concentration of a substrate. The method is a method for forming a CIGS light absorption layer for a solar cell through a three-step simultaneous vacuum evaporation method and includes: a first step of evaporating and depositing In, Ga, and Se at the same time; a second step of evaporating and depositing Cu and Se at the same time; and a third step of evaporating and depositing In, Ga, and Se at the same time. The amount of Ga evaporated and supplied at the first step is greater than the amount of Ga evaporated and supplied at the third step. A CIGS solar cell according to another aspect of the present invention includes: a substrate; an electrode layer formed on the substrate; and a CIGS light absorption layer formed on the electrode layer. The ratio of Ga/(In+Ga) on the interface between the electrode layer and the CIGS light absorption layer is 0.45 or greater. The present invention increases the evaporation amount of Ga in the first step while forming a CIGS light absorption layer through the three-step simultaneous vacuum evaporation method, thereby the efficiency of a CIGS solar cell which is formed on a low Na concentration substrate and has a deep depleted layer.

Abstract translation: 本发明涉及一种形成CIGS光吸收层的方法，当CIGS光吸收层的耗尽层由于衬底的低Na浓度而变薄时，能够提高太阳能电池的效率。 该方法是通过三步同时真空蒸发法形成太阳能电池的CIGS光吸收层的方法，包括：同时蒸发和沉积In，Ga和Se的第一步骤; 同时蒸发沉积Cu和Se的第二步; 以及同时蒸发和沉积In，Ga和Se的第三步骤。 在第一步骤中蒸发并供应的Ga的量大于在第三步骤蒸发并供应的Ga的量。 根据本发明的另一方面的CIGS太阳能电池包括：基板; 形成在基板上的电极层; 以及形成在电极层上的CIGS光吸收层。 Ga /（In + Ga）与电极层和CIGS光吸收层之间的界面的比例为0.45以上。 本发明通过三步同时真空蒸发法在形成CIGS光吸收层的同时增加了第一步骤中的Ga的蒸发量，从而提高了在低Na浓度基板上形成的CIGS太阳能电池的效率， 深层枯竭

公开(公告)号：KR101326140B1

公开(公告)日：2013-11-06

申请号：KR1020120030082

申请日：2012-03-23

Applicant: 한국에너지기술연구원

Inventor： 안승규 ,  윤경훈 ,  윤재호 ,  조준식 ,  안세진 ,  곽지혜 ,  신기식 ,  조아라 ,  유진수 ,  박상현 ,  박주형 ,  어영주

IPC: H01L31/042 ,  H01L31/0236 ,  H01L31/0749 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L31/02363 ,  H01L31/02366 ,  H01L31/0749 ,  Y02E10/541 ,  Y02P70/521

Abstract: 본 발명은 기판에 텍스처가 형성된 2중 텍스처 구조의 칼코게나이드계 태양전지의 제조방법에 관한 것으로서, 기판을 준비하는 단계; 상기 기판의 표면에 기판텍스처를 형성하는 단계; 상기 기판에 후면전극을 형성하는 단계; 상기 후면 전극 위에 칼코게나이드계 반도체 재질의 광흡수층을 형성하는 단계; 상기 광흡수층 위에 버퍼층을 형성하는 단계; 상기 버퍼층 위에 투명전극을 형성하는 단계; 및 상기 투명전극의 표면에 전면텍스처를 형성하는 단계를 포함하며, 상기 기판텍스처에 의하여 상기 후면전극의 표면에 요철이 형성된 것을 특징으로 한다.
본 발명에 의한 기판에 텍스처가 형성된 2중 텍스처 구조의 칼코게나이드계 태양전지는, 기판; 상기 기판 위에 형성된 후면전극; 상기 후면 전극 위에 형성된 칼코게나이드계 반도체 재질의 광흡수층; 상기 광흡수층 위에 형성된 버퍼층; 및 상기 버퍼층 위에 형성된 투명전극을 포함하여 구성되고, 상기 광흡수층에 접하는 상기 후면전극의 표면에 후면텍스처 구조가 형성되며, 상기 투명전극의 표면에 전면텍스처 구조가 형성된 것을 특징으로 한다.
본 발명은 전면텍스처와 기판텍스처의 2중 텍스처 구조를 구비함으로써 광포획 성능을 크게 증가시켜, 태양전지의 광전변환효율을 향상시키는 효과가 있다.

公开(公告)号：KR101326139B1

公开(公告)日：2013-11-06

申请号：KR1020120030081

申请日：2012-03-23

Applicant: 한국에너지기술연구원

Inventor： 안승규 ,  윤경훈 ,  윤재호 ,  조준식 ,  안세진 ,  곽지혜 ,  신기식 ,  조아라 ,  유진수 ,  박상현 ,  박주형 ,  어영주

IPC: H01L31/042 ,  H01L31/0236 ,  H01L31/0749 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L31/02363 ,  H01L31/02366 ,  H01L31/0749 ,  Y02E10/541 ,  Y02P70/521

Abstract: 본 발명은 후면전극 표면에 텍스처가 형성된 2중 텍스처 구조의 칼코게나이드계 태양전지의 제조방법에 관한 것으로, 기판을 준비하는 단계; 상기 기판에 후면전극을 형성하는 단계; 상기 후면 전극의 표면에 후면텍스처를 형성하는 단계; 상기 후면 전극 위에 칼코게나이드계 반도체 재질의 광흡수층을 형성하는 단계; 상기 광흡수층 위에 버퍼층을 형성하는 단계; 상기 버퍼층 위에 투명전극을 형성하는 단계; 및 상기 투명전극의 표면에 전면텍스처를 형성하는 단계를 포함한다.
본 발명에 의한 후면전극 표면에 텍스처가 형성된 2중 텍스처 구조의 칼코게나이드계 태양전지는, 기판; 상기 기판 위에 형성된 후면전극; 상기 후면 전극 위에 형성된 칼코게나이드계 반도체 재질의 광흡수층; 상기 광흡수층 위에 형성된 버퍼층; 및 상기 버퍼층 위에 형성된 투명전극을 포함하여 구성되고, 상기 광흡수층에 접하는 상기 후면전극의 표면에 후면텍스처 구조가 형성되며, 상기 투명전극의 표면에 전면텍스처 구조가 형성된 것을 특징으로 한다.
본 발명은, 전면텍스처와 후면텍스처의 2중 텍스처 구조를 구비하여 광포획 성능이 크게 증가하여, 태양전지의 광전변환효율을 증가시킬 수 있는 효과가 있다.

公开(公告)号：KR101315311B1

公开(公告)日：2013-10-04

申请号：KR1020120076570

申请日：2012-07-13

Applicant: 한국에너지기술연구원

Inventor： 윤재호 ,  곽지혜 ,  안세진 ,  윤경훈 ,  신기식 ,  안승규 ,  조아라 ,  박상현 ,  조준식 ,  유진수 ,  박주형 ,  어영주

IPC: H01L31/042 ,  H01L31/0224

CPC classification number: H01L31/022425 ,  H01L31/03923 ,  H01L31/03928 ,  Y02E10/541

Abstract: PURPOSE: A back electrode and a CuInSe2 (CIS) solar cell including the same are provided to improve the efficiency of the CIS solar cell by using a first electrode layer and a second electrode layer. CONSTITUTION: A back electrode is formed between a substrate and a CIS light absorbing layer. The CIS light absorbing layer includes CuInxGa1-xSe2 (CIGS). The back electrode includes a first electrode layer and a second electrode layer. The first electrode layer is formed on the substrate. The first electrode layer is made of a metal material. The second electrode layer is formed on the first electrode layer. The second electrode layer is made of a metal material in which Na is not included. The thickness ratio of the first electrode layer and the second electrode layer is from 10:3 to 10:1. The amount of Na contained in the first electrode layer is less than 15 wt%.

Abstract translation: 目的：提供包括其的背面电极和CuInSe2（CIS）太阳能电池，以通过使用第一电极层和第二电极层来提高CIS太阳能电池的效率。 构成：在基板和CIS光吸收层之间形成背面电极。 CIS光吸收层包括CuInxGa1-xSe2（CIGS）。 背面电极包括第一电极层和第二电极层。 第一电极层形成在基板上。 第一电极层由金属材料制成。 第二电极层形成在第一电极层上。 第二电极层由不包括Na的金属材料制成。 第一电极层和第二电极层的厚度比为10：3〜10：1。 第一电极层中含有的Na的量小于15重量％。

公开(公告)号：KR1020130107906A

公开(公告)日：2013-10-02

申请号：KR1020120030083

申请日：2012-03-23

Applicant: 한국에너지기술연구원

Inventor： 안승규 ,  윤경훈 ,  윤재호 ,  조준식 ,  안세진 ,  곽지혜 ,  신기식 ,  조아라 ,  유진수 ,  박상현 ,  박주형 ,  어영주

IPC: H01L31/042 ,  H01L31/0236 ,  H01L31/0749 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L31/02366 ,  H01L31/0547 ,  H01L31/0749 ,  Y02E10/52 ,  Y02E10/541 ,  Y02P70/521

Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing a chalcogenide solar cell with a double texture structure having a texture layer, and the chalcogenide solar cell by the same are provided to increase efficiency by forming a concave-convex part and a front texture together. CONSTITUTION: A light absorption layer (40) of a chalcogenide semiconductor material is formed on a back electrode. A buffer layer (50) is formed on the light absorption layer. A transparent electrode is formed on the buffer layer. A front texture (62) is formed on the surface of the transparent electrode. The concavo-convex surface of the back electrode is formed by a texture layer (20).

Abstract translation: 目的：制造具有纹理层的具有双重质感结构的硫族化物太阳能电池的方法，并且通过形成凹凸部和前部纹理来提高效率。 构成：在背面电极上形成硫族化物半导体材料的光吸收层（40）。 在光吸收层上形成缓冲层（50）。 在缓冲层上形成透明电极。 在透明电极的表面上形成正面纹理（62）。 背面电极的凹凸表面由纹理层（20）形成。