公开(公告)号：EP2781550A4

公开(公告)日：2015-07-29

申请号：EP12848021

申请日：2012-11-01

Applicant: JSR CORP

Inventor： NAMIE YUJI ,  MINEGISHI SHINYA ,  NAGAI TOMOKI ,  SONE TAKUO

IPC: C08L53/00 ,  C08F293/00 ,  C08F297/02 ,  G03F7/004 ,  H01L21/027

CPC classification number: C08F297/026 ,  B81C1/00031 ,  B81C2201/0149 ,  C08L53/005 ,  G03F7/0002 ,  G03F7/0035 ,  G03F7/70 ,  H01L21/0273 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/3086 ,  H01L21/32139

Abstract: The present invention is a self-organization composition for pattern formation comprising a block copolymer [A] containing a polystyrene block having styrene units and a polyalkyl(meth)acrylate block having alkyl(meth)acrylate units, the self-organization composition for pattern formation being characterized in that the block copolymer [A] has groups (±) that are bonded to at least one terminus of the main chain and that contain hetero atoms. The hetero atoms are preferably at least one type selected from a group of oxygen, nitrogen, sulfur, phosphorus, tin, and silicon atoms.

公开(公告)号：EP2894660A1

公开(公告)日：2015-07-15

申请号：EP13834601.0

申请日：2013-09-05

Applicant: LG Chem, Ltd. ,  IUCF-HYU (Industry-University Cooperation Foundation Hanyang University)

Inventor： HAN, Yang-Kyoo ,  LEE, Je-Gwon ,  LEE, Hyun-Jin ,  KIM, No-Ma ,  YOON, Sung-Soo ,  SHIN, Eun-Ji ,  JUNG, Yeon-Sik

IPC: H01L21/027

CPC classification number: G11B5/855 ,  B81C1/00396 ,  B81C2201/0149 ,  B81C2201/0198 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  C08F220/18 ,  C08F220/56 ,  C08F2438/03 ,  G03F7/0002 ,  G11B5/746 ,  G11B5/8404 ,  G11B5/851 ,  H01L21/027 ,  H01L21/3065

Abstract: The present invention relates to a method for forming a silicon oxide nanopattern, in which the method can be used to easily form a nanodot or nanohole-type nanopattern, and a metal nanopattern formed by using the same can be properly applied to a next-generation magnetic recording medium for storage information, etc., a method for forming a metal nanopattern, and a magnetic recording medium for information storage using the same.
The method for forming a silicon oxide nanopattern includes the steps of forming a block copolymer thin film including specific hard segments and soft segments containing a (meth)acrylate-based repeating unit on silicon oxide of a substrate; conducting orientation of the thin film; selectively removing the soft segments from the block copolymer thin film; and conducting reactive ion etching of silicon oxide using the block copolymer thin film from which the soft segments are removed, as a mask to form a silicon oxide nanodot or nanohole pattern.

Abstract translation: 本发明涉及一种形成氧化硅纳米图案的方法，其中该方法可用于容易地形成纳米点或纳米孔型纳米图案，并且通过使用该纳米图案形成的金属纳米图案可适用于下一代 用于存储信息的磁记录介质等，用于形成金属纳米图案的方法和使用该磁记录介质的信息存储用磁记录介质。 形成氧化硅纳米图案的方法包括以下步骤：在基材的氧化硅上形成包含特定硬链段和含有（甲基）丙烯酸酯基重复单元的软链段的嵌段共聚物薄膜; 导致薄膜的取向; 从嵌段共聚物薄膜中选择性地除去软链段; 并使用去除了软链段的嵌段共聚物薄膜作为掩模进行氧化硅的反应离子蚀刻，以形成氧化硅纳米点或纳米孔图案。

公开(公告)号：EP2664430A4

公开(公告)日：2015-06-10

申请号：EP12733862

申请日：2012-01-13

Applicant: JX NIPPON OIL & ENERGY CORP ,  TOKYO INST TECH

Inventor： MASUYAMA SATOSHI ,  TAKAHASHI MADOKA ,  NISHIMURA SUZUSHI ,  FUKUDA MAKI ,  SEKI TAKASHI

IPC: B29C33/38 ,  B29C33/42 ,  B29C39/26 ,  B29C59/02 ,  B29L11/00 ,  B82B1/00 ,  B82Y40/00 ,  G02B5/18 ,  G03F7/20 ,  H01L21/027 ,  H01L51/50 ,  H05B33/02

CPC classification number: G02B5/1852 ,  B29C33/3857 ,  B29C33/424 ,  B29C35/0805 ,  B29C43/021 ,  B29C43/36 ,  B29C2035/0827 ,  B29C2043/023 ,  B29D11/00769 ,  B29K2105/0061 ,  B81C1/00031 ,  B81C2201/0149 ,  B82Y10/00 ,  B82Y20/00 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C25D1/10 ,  G02B5/1809 ,  G02B5/1847 ,  G02B27/4266 ,  G03F7/0002 ,  H01L51/52 ,  H01L51/5275 ,  H01L51/56

公开(公告)号：EP2852865A1

公开(公告)日：2015-04-01

申请号：EP13728464.2

申请日：2013-05-23

Applicant: Arkema France ,  Université de Bordeaux

Inventor： NAVARRO, Christophe ,  AISSOU, Karim ,  BROCHON, Cyril ,  DILHAIRE, Stefan ,  FLEURY, Guillaume ,  GRAUBY, Stéphane ,  HADZIIOANNOU, Georges ,  RAMPNOUX, Jean-Michel ,  SHAVER, Jonah

IPC: G03F7/038 ,  G03F7/40 ,  B81C1/00 ,  B82Y30/00 ,  G03F7/00 ,  B05D3/06

CPC classification number: G03F7/20 ,  B81C1/00031 ,  B81C2201/0149 ,  B82Y40/00 ,  G03F7/0002 ,  G03F7/001 ,  G03F7/0388 ,  G03F7/168 ,  Y10T428/24355 ,  Y10T428/24612

Abstract: The invention relates to a method for the preparation by spatial distribution of light intensity of a surface with a raised pattern promoting spatial order and coherence acting as a guide for the organisation, on the nanometric and micrometric scales, of an overlay on the surface made of block copolymers in particular.

Abstract translation: 本发明涉及一种通过光强度的空间分布来制备浮雕促进顺序的表面的空间分布和空间相干性的方法，用于在纳米和微米尺度上组织表面上的覆盖层的指导 的嵌段共聚物。

公开(公告)号：EP2850030A1

公开(公告)日：2015-03-25

申请号：EP13722999.3

申请日：2013-05-15

Applicant: Max-Planck-Gesellschaft zur Förderung der Wissenschaften e.V. ,  Ernst-Abbe-Hochschule Jena

Inventor： WILLIGES, Christian ,  MORHARD, Christoph ,  SPATZ, Joachim, P. ,  BRUNNER, Robert

IPC: B81C1/00 ,  B82Y40/00 ,  C09D7/00

CPC classification number: B81C1/00031 ,  B81B2207/056 ,  B81C2201/0149 ,  B81C2201/0198 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C23C18/06 ,  C23C18/08

Abstract: The invention provides a method for increasing the order of an array of polymeric micelles or of nanoparticles on a substrate surface comprising a) providing an ordered array of micelles or nanoparticles coated with a polymer shell on a substrate surface and b) annealing the array of micelles or nanoparticles by ultrasonication in a liquid medium which is selected from the group comprising H
2 0, a polar organic solvent and a mixture of H
2 0 and a polar organic solvent. In a related aspect, the invention provides the highly ordered arrays of micelles or nanoparticles obtainable by the methods of the invention.

公开(公告)号：EP2235743B1

公开(公告)日：2014-12-31

申请号：EP09704665.0

申请日：2009-01-15

Applicant: International Business Machines Corporation

Inventor： DALTON, Timothy ,  DORIS, Bruce, B. ,  KIM, Ho-cheol ,  RADENS, Carl

IPC: H01L21/033 ,  B81C1/00

CPC classification number: H01L21/0337 ,  B81C1/00031 ,  B81C2201/0149 ,  B82Y10/00 ,  B82Y30/00 ,  H01L21/0338 ,  Y10T428/24612

公开(公告)号：EP2379441B1

公开(公告)日：2012-10-10

申请号：EP10715538.4

申请日：2010-04-23

Applicant: International Business Machines Corporation

Inventor： CHENG, Joy ,  NA, Young-Hye ,  LAI, Kafai ,  RETTNER, Charles, Thomas ,  SANDERS, Daniel, Paul ,  LI, Wai-Kim c/o IBM United Kingdom Limited

IPC: B81C1/00

CPC classification number: B81C1/00031 ,  B81C1/00404 ,  B81C2201/0149 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/31144

公开(公告)号：EP2240827A2

公开(公告)日：2010-10-20

申请号：EP09707891.9

申请日：2009-01-30

Applicant: Micron Technology, INC.

Inventor： MILLWARD, Dan, B. ,  SANDHU, Gurtej, S.

IPC: G03F7/00

CPC classification number: B41N1/08 ,  B05D1/283 ,  B41N3/036 ,  B81C99/009 ,  B81C2201/0149 ,  B82Y10/00 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  G03F7/0002 ,  G03F7/0017 ,  Y02C20/30 ,  Y10T428/24802

Abstract: Methods for fabricating stamps and systems for patterning a substrate, and devices resulting from those methods are provided.

公开(公告)号：EP2146925A1

公开(公告)日：2010-01-27

申请号：EP08745371.8

申请日：2008-04-09

Applicant: Micron Technology, Inc.

Inventor： MILLWARD, Dan, B.

IPC: B81C5/00 ,  B81C1/00 ,  G03F7/00 ,  H01L21/033

CPC classification number: H01L21/3086 ,  B81B2203/0361 ,  B81C1/00031 ,  B81C2201/0149 ,  B82Y10/00 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  G03F7/0002 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/76879 ,  H01L23/544 ,  H01L2924/0002 ,  Y10T428/24182 ,  Y10T428/24612 ,  H01L2924/00

Abstract: Methods for fabricating sublithographic, nanoscale arrays of openings and linear microchannels utilizing self-assembling block copolymers, and films and devices formed from these methods are provided. Embodiments of the invention use a self-templating or multilayer approach to induce ordering of a self-assembling block copolymer film to an underlying base film to produce a multilayered film having an ordered array of nanostructures that can be removed to provide openings in the film which, in some embodiments, can be used as a template or mask to etch openings in an underlying material layer.

Abstract translation: 提供了用于制造由合成方法形成的开口和线性微通道利用自组装嵌段共聚物，以及薄膜和器件的亚光刻纳米级阵列的方法。 本发明实施例使用自模板或多层的方法来诱导的自组装嵌段共聚物的有序薄膜对基础基部电影以产生多层薄膜具有纳米结构的有序阵列也可被移除以提供在膜中开口，其 在一些实施例中，可以使用作为模板或掩模以蚀刻在下面的材料层上的开口。

公开(公告)号：EP2110360A2

公开(公告)日：2009-10-21

申请号：EP09157933.4

申请日：2009-04-15

Applicant: Commissariat à l'Energie Atomique

Inventor： Landis, Stéfan

IPC: B81C1/00

CPC classification number: B81C1/00111 ,  B81C2201/0149 ,  B81C2201/0153 ,  B82Y30/00

Abstract: L'invention a trait à un procédé de préparation d'un film polymérique présentant en surface des motifs nanométriques et étant microstructuré dans son épaisseur sur tout ou partie de celui-ci selon un système particulier comprenant les étapes suivantes :
- une étape de choix d'au moins un copolymère bloc apte à se microstructurer selon le système particulier susmentionné à une température et selon au moins une épaisseur prédéterminée, ladite épaisseur prédéterminée correspondant à l'épaisseur du film pour tout ou partie duquel on souhaite la microstructuration selon le système particulier susmentionné ;
- une étape de choix d'au moins un moule apte à conférer, après application sur un film comprenant ledit copolymère bloc, l'épaisseur prédéterminée et lesdits motifs nanométriques; et
- une étape d'application dudit moule sur un film comprenant ledit copolymère bloc tout en chauffant à ladite température prédéterminée, moyennant quoi l'on obtient ledit film défini en objet.

Abstract translation: 上整个或它的厚度雅丁特定系统的一部分制备的聚合物膜（23），其具有表面具有纳米度量和微结构化图案（27，29）的过程中，包括选择的嵌段共聚物用于在一定温度下微结构雅丁到 特定的系统和预定的厚度，选择一个模具（25）与所述预定厚度和纳米图案，并且在预先确定以获得该聚合物膜的温度下通过加热在薄膜上施加的模具。 该系统是一种层状体系，圆柱或球形的系统。在整个或部分其厚度的雅丁制备具有纳米度量和微结构化图案表面的聚合物膜（23）（27，29），以一个特定系统的过程中， 包括选择的嵌段共聚物用于在雅丁与特定系统和预定厚度的温度微结构，具有预定的厚度和纳米图案选择的模具（25），并通过加热在薄膜上施加所述模具在预定的温度，以取得 聚合物膜。 该系统是一种层状系统，圆柱形或球形的系统中，或胶束系统，该模具的尺寸所以也膜中的模具的应用之后获得没有晶界。