Abstract:
Es wird eine Vorrichtung sowie Verwendung derartiger Vorrichtung und Verfahren zur Herstellung von Mikrobauteilen mit Bauteilstrukturen, die in einer Prozesskammer auf einem Substrat beispielsweise nach dem LIGA-Verfahren generiert werden und von dem sie umgebenden Fotolack mit Hilfe von gekühlter Remote-Plasmaquelle befreit werden, vorgestellt.
Abstract:
L'invention se rapporte à une pièce de micromécanique composite (41, 41') comportant une partie horizontale (21) en silicium qui comprend un ajourage (25) recevant une partie métallique (43, 43') caractérisée en ce que la partie (21) en silicium est formée par du silicium dopé et comporte au moins une partie verticale destinée à transmettre une force mécanique à un élément n'appartenant pas à ladite pièce, ladite partie verticale est revêtue (51, 52) par du dioxyde de silicium selon une épaisseur supérieure à un oxyde natif afin d'améliorer les qualités tribologiques dudit silicium. L'invention concerne le domaine des pièces de micromécanique notamment pour des mouvements horlogers.
Abstract:
L'invention concerne un procédé de fabrication par une technologie de type LIGA d'une structure métallique monocouche ou multicouche, dans lequel on étale une couche de photorésist sur un substrat, on crée par irradiation ou bombardement ionique un moule de photorésist, on dépose galvaniquement un métal ou un alliage dans ce moule, on détache la structure métallique du substrat et on sépare le photorésist, caractérisé en ce que le substrat est un substrat métallique massif, ainsi qu'une structure métallique usinée monocouche ou multicouche à couches entièrement superposées susceptible d'être obtenue par ce procédé.
Abstract:
Ion beam lithography technique wherein a higher amount of radiation energy is deposited to predetermined regions in the bulk if a suitable substrate. By selecting the radiation nature, its energy and the irradiation parameters a structure can be created in the bulk of the material leaving the surface essentially untouched.
Abstract:
An electroplating method that includes: a) contacting a first substrate with a first article, which includes a substrate and a conformable mask disposed in a pattern on the substrate; b) electroplating a first metal from a source of metal ions onto the first substrate in a first pattern, the first pattern corresponding to the complement of the conformable mask pattern; and c) removing the first article from the first substrate, is disclosed. Electroplating articles and electroplating apparatus are also disclosed.
Abstract:
This invention relates to the area of microelectromechanical systems in which electronic circuits and mechanical devices are integrated on the same silicon chip. The method taught herein allows the fabrication of thin film structures (2) in excess of 150 microns in height using thin film deposition processes. Wafers may be employed as reusable molds for efficient production of such structures. Various material properties may be varied within the structures to produce electrical, mechanical or electromechanical devices.
Abstract:
The invention relates to the area of microelectromechanical systems in which electronic circuits and mechanical devices are integrated on the same silicon chip. The method taught herein allows the fabrication of thin film structures (20) in excess of 150 micrometers in height (y) using thin film deposition processes. Wafers (60, 52) may be employed as reusable molds for efficient production of such structures.