公开(公告)号：EP2070869A3

公开(公告)日：2013-12-18

申请号：EP08020989.3

申请日：2008-12-03

Applicant: Muegge GmbH

Inventor： Mathuni, Josef

IPC: B81C99/00

CPC classification number: B81C99/0085 ,  B81C2201/032 ,  H01J37/32357

Abstract: Es wird eine Vorrichtung sowie Verwendung derartiger Vorrichtung und Verfahren zur Herstellung von Mikrobauteilen mit Bauteilstrukturen, die in einer Prozesskammer auf einem Substrat beispielsweise nach dem LIGA-Verfahren generiert werden und von dem sie umgebenden Fotolack mit Hilfe von gekühlter Remote-Plasmaquelle befreit werden, vorgestellt.

公开(公告)号：EP2518011B1

公开(公告)日：2013-11-13

申请号：EP12172452.0

申请日：2010-05-25

Applicant: Nivarox-FAR S.A.

Inventor： Cusin, Pierre ,  Thiébaud, Jean-Philippe

IPC: B81B3/00 ,  B81C99/00 ,  B29C33/38 ,  C25D1/10 ,  C25D1/00 ,  C25D1/20 ,  C25D5/02 ,  G03F7/00 ,  G04B13/02 ,  G04D3/00

CPC classification number: B81C99/008 ,  B81B3/0075 ,  B81B2201/035 ,  B81C1/00031 ,  B81C1/00087 ,  B81C1/00119 ,  B81C2201/0132 ,  B81C2201/032 ,  C25D1/003 ,  C25D1/20 ,  C25D5/022 ,  G04B13/022 ,  G04B13/026 ,  G04D3/0069

公开(公告)号：EP2518011A3

公开(公告)日：2013-01-02

申请号：EP12172452.0

申请日：2010-05-25

Applicant: Nivarox-FAR S.A.

Inventor： Cusin, Pierre ,  Thiébaud, Jean-Philippe

IPC: B81B3/00 ,  B81C99/00 ,  B29C33/38 ,  C25D1/10 ,  C25D1/00 ,  C25D1/20 ,  C25D5/02 ,  G03F7/00 ,  G04B13/02 ,  G04D3/00

CPC classification number: B81C99/008 ,  B81B3/0075 ,  B81B2201/035 ,  B81C1/00031 ,  B81C1/00087 ,  B81C1/00119 ,  B81C2201/0132 ,  B81C2201/032 ,  C25D1/003 ,  C25D1/20 ,  C25D5/022 ,  G04B13/022 ,  G04B13/026 ,  G04D3/0069

Abstract: L'invention se rapporte à une pièce de micromécanique composite (41, 41') comportant une partie horizontale (21) en silicium qui comprend un ajourage (25) recevant une partie métallique (43, 43') caractérisée en ce que la partie (21) en silicium est formée par du silicium dopé et comporte au moins une partie verticale destinée à transmettre une force mécanique à un élément n'appartenant pas à ladite pièce, ladite partie verticale est revêtue (51, 52) par du dioxyde de silicium selon une épaisseur supérieure à un oxyde natif afin d'améliorer les qualités tribologiques dudit silicium.
L'invention concerne le domaine des pièces de micromécanique notamment pour des mouvements horlogers.

公开(公告)号：EP2261171B1

公开(公告)日：2012-11-21

申请号：EP10163789.0

申请日：2010-05-25

Applicant: Nivarox-FAR S.A.

Inventor： Cusin, Pierre ,  Thiébaud, Jean-Philippe

IPC: B81B3/00 ,  B81C99/00 ,  B29C33/38 ,  C25D1/10 ,  C25D1/00 ,  C25D1/20 ,  C25D5/02 ,  G03F7/00 ,  G04B13/02 ,  G04D3/00

CPC classification number: B81C99/008 ,  B81B3/0075 ,  B81B2201/035 ,  B81C1/00031 ,  B81C1/00087 ,  B81C1/00119 ,  B81C2201/0132 ,  B81C2201/032 ,  C25D1/003 ,  C25D1/20 ,  C25D5/022 ,  G04B13/022 ,  G04B13/026 ,  G04D3/0069

公开(公告)号：EP1835339A1

公开(公告)日：2007-09-19

申请号：EP06405114.7

申请日：2006-03-15

Applicant: Doniar S.A.

Inventor： Saucy, Clément

IPC: G03F7/00

CPC classification number: C25D1/003 ,  B81B2201/035 ,  B81C99/0085 ,  B81C2201/032 ,  C25D1/20 ,  G03F7/00

Abstract: L'invention concerne un procédé de fabrication par une technologie de type LIGA d'une structure métallique monocouche ou multicouche, dans lequel on étale une couche de photorésist sur un substrat, on crée par irradiation ou bombardement ionique un moule de photorésist, on dépose galvaniquement un métal ou un alliage dans ce moule, on détache la structure métallique du substrat et on sépare le photorésist, caractérisé en ce que le substrat est un substrat métallique massif,
ainsi qu'une structure métallique usinée monocouche ou multicouche à couches entièrement superposées susceptible d'être obtenue par ce procédé.

Abstract translation: 使用光刻单/多层金属结构，电铸和模塑紫外线技术制造，包括铺开在一巨型金属基底光致抗蚀剂层，通过照射/电子/离子轰击产生光致抗蚀剂模，用于蒸发溶剂中加热光致抗蚀剂层 ，通过掩模将光刻胶层暴露于100-2000毫焦/厘米2>在365nm波长下测量的紫外线辐射的条件下相应的所需压印，和退火完成光聚合/光解的层。 使用光刻单/多层金属结构，电铸和模塑紫外线技术制造，包括铺开在一巨型金属基底光致抗蚀剂层，通过照射/电子/离子轰击产生光致抗蚀剂模，用于蒸发溶剂中加热光致抗蚀剂层 ，通过掩模曝光光致抗蚀剂层中的对应于期望的压印100-2000毫焦/厘米2>在365nm波长下测量的紫外线辐射下，进行退火完全光聚合/光解的层，通过非溶解显影层 聚合/ photodecomposed零件，电沉积金属/合金中的光致抗蚀剂模具的露出部分，由机器平整金属/合金，以获得一平面的上表面（2），在电铸的机械结构上的上表面上产 规划，拆卸金属结构并通过delami的聚合的光刻胶块状金属基材 国家，从所述基板分离所述聚合的光刻胶，将一个固定的物体的大量金属基材上面以可拆卸的方式传播和该层的加热，并释放大量的金属基材的对象的步骤之后，得到的单/多层 与具有完全叠置层在插入的对象，将螺钉在对海量金属基材的螺纹孔，其中通过在基片的上表面的顶部上，并拧松螺钉，以获得烧毛/多层金属结构的金属结构 与具有螺纹孔完全重叠的层。 大量的金属基材与微玻璃珠，机械 - 化学蚀刻或激光，和抛光的上表面，其中所述底物是由不锈钢制成的带纹理的上表面。 一个独立的claimsoft被包括用于将处理后的金属结构。

公开(公告)号：EP1616224B1

公开(公告)日：2007-07-11

申请号：EP04729445.9

申请日：2004-04-26

Applicant: Haute Ecole Arc NE-BE-JU

Inventor： JACCARD, Samuel ,  MIKHAILOV, Serguei ,  MUNNIK, Frans

IPC: G03F7/20 ,  H01J37/317

CPC classification number: B81C1/00492 ,  B81C2201/032 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  G03F7/201 ,  H01J37/3174 ,  H01J2237/31735 ,  H01J2237/31755 ,  H01J2237/31774 ,  H01J2237/31796 ,  Y10S430/143

Abstract: Ion beam lithography technique wherein a higher amount of radiation energy is deposited to predetermined regions in the bulk if a suitable substrate. By selecting the radiation nature, its energy and the irradiation parameters a structure can be created in the bulk of the material leaving the surface essentially untouched.

Abstract translation: 离子束光刻技术，其中如果合适的衬底，较高量的辐射能量沉积到本体中的预定区域。 通过选择辐射性质，其能量和照射参数可以在离开表面基本上不变的材料的主体中产生结构。

公开(公告)号：EP1015669A1

公开(公告)日：2000-07-05

申请号：EP98914464.7

申请日：1998-04-03

Applicant: University of Southern California

Inventor： COHEN, Adam, L.

IPC: C25D5/02 ,  C25D5/10

CPC classification number: C25D5/10 ,  B33Y10/00 ,  B33Y70/00 ,  B81C1/00126 ,  B81C2201/0181 ,  B81C2201/0197 ,  B81C2201/032 ,  C25D1/00 ,  C25D1/003 ,  C25D5/022 ,  C25D5/12 ,  C25D5/22 ,  C25D17/06 ,  H01L21/2885 ,  H05K3/241 ,  Y10T428/12486 ,  Y10T428/239

Abstract: An electroplating method that includes: a) contacting a first substrate with a first article, which includes a substrate and a conformable mask disposed in a pattern on the substrate; b) electroplating a first metal from a source of metal ions onto the first substrate in a first pattern, the first pattern corresponding to the complement of the conformable mask pattern; and c) removing the first article from the first substrate, is disclosed. Electroplating articles and electroplating apparatus are also disclosed.

Abstract translation: 一种电镀方法，其包括：a）使第一基板与第一制品接触，所述第一制品包括以基板形式设置的基板和适形掩模; b）以第一图案将来自金属离子源的第一金属电镀到所述第一基板上，所述第一图案对应于所述适形掩模图案的所述补体; 和c）从第一基底去除第一制品。 还公开了电镀制品和电镀装置。

公开(公告)号：EP0838084A1

公开(公告)日：1998-04-29

申请号：EP96914671.0

申请日：1996-05-16

Applicant: THE REGENTS OF THE UNIVERSITY OF CALIFORNIA

Inventor： KELLER, Christopher, G.

IPC: B81C1 ,  A61K9 ,  B01D39 ,  B01D67 ,  B01D69 ,  B01D71 ,  B44C1 ,  B81B1 ,  C03C15 ,  C23C16 ,  G03F7 ,  H01L21 ,  H01L29 ,  H01L49

CPC classification number: B81C1/00246 ,  A61K9/0024 ,  A61K9/0097 ,  B01D39/1692 ,  B01D39/20 ,  B01D67/0058 ,  B01D67/0069 ,  B01D67/0072 ,  B01D67/0083 ,  B01D69/02 ,  B01D69/12 ,  B01D71/02 ,  B01D2323/24 ,  B01D2325/04 ,  B01D2325/26 ,  B81C99/0085 ,  B81C2201/032 ,  B81C2203/0728 ,  C23C16/01 ,  G03F7/00

Abstract: This invention relates to the area of microelectromechanical systems in which electronic circuits and mechanical devices are integrated on the same silicon chip. The method taught herein allows the fabrication of thin film structures (2) in excess of 150 microns in height using thin film deposition processes. Wafers may be employed as reusable molds for efficient production of such structures. Various material properties may be varied within the structures to produce electrical, mechanical or electromechanical devices.

公开(公告)号：EP0764346A1

公开(公告)日：1997-03-26

申请号：EP95912823.0

申请日：1995-03-07

Applicant: THE REGENTS OF THE UNIVERSITY OF CALIFORNIA

Inventor： KELLER, Christopher, G. ,  FERRARI, Mauro

IPC: H01L29 ,  A61K9 ,  B01D39 ,  B01D67 ,  B01D69 ,  B01D71 ,  B81B1 ,  B81C1 ,  C23C16 ,  G03F7 ,  H01L49

CPC classification number: B81C1/00246 ,  A61K9/0024 ,  A61K9/0097 ,  B01D39/1692 ,  B01D39/20 ,  B01D67/0058 ,  B01D67/0062 ,  B01D67/0072 ,  B01D67/0083 ,  B01D69/02 ,  B01D69/12 ,  B01D71/02 ,  B01D2323/24 ,  B01D2325/04 ,  B01D2325/08 ,  B81B1/002 ,  B81B1/004 ,  B81C99/0085 ,  B81C2201/032 ,  B81C2203/0728 ,  C23C16/01 ,  G03F7/00 ,  Y10T428/131 ,  Y10T428/24149 ,  Y10T428/2457 ,  Y10T428/24744

Abstract: The invention relates to the area of microelectromechanical systems in which electronic circuits and mechanical devices are integrated on the same silicon chip. The method taught herein allows the fabrication of thin film structures (20) in excess of 150 micrometers in height (y) using thin film deposition processes. Wafers (60, 52) may be employed as reusable molds for efficient production of such structures.

公开(公告)号：EP0224630B1

公开(公告)日：1990-08-29

申请号：EP86103636.6

申请日：1986-03-18

Applicant: KERNFORSCHUNGSZENTRUM KARLSRUHE GMBH

Inventor： Ehrfeld, Wolfgang, Dr. ,  Hagmann, Peter, Dr. ,  Maner, Asim, Dr. ,  Münchmeyer, Dietrich, Dr. ,  Becker, Erwin, Prof. Dr.

IPC: C25D1/10 ,  B01D59/18

CPC classification number: B81C99/008 ,  B81C2201/0128 ,  B81C2201/032 ,  B81C2201/034 ,  C25D1/10