Abstract:
The invention relates to the collective fabrication of n 3D modules. It comprises a step of fabricating a batch of n wafers i on one and the same plate, this step being repeated K times, then a step of stacking the K plates, a step of forming plated-through holes in the thickness of the stack, these holes being intended for connecting the slices together, and then a step of cutting the stack in order to obtain the n 3D modules. The plate 10, which comprises silicon, is covered on one face 11 with an electrically insulating layer forming the insulating substrate. This face has grooves 20 that define n geometrical features, which are provided with an electronic component 1 connected to electrical connection pads 2' placed on said face. After the stacking operation, holes are drilled perpendicular to the faces of the plates vertically in line with the grooves. The size of the holes is smaller than that of the grooves so that the silicon of each wafer 10 is isolated from the wall of the hole by resin.
Abstract:
The invention relates to a method and a device for interconnecting electronic components in three dimensions. In order to reduce the stray capacities between the connections and the shielding (304) of the device, metallized (42) grooves (40, 41) are cut into the block (3') of stacked circuits, the conductors (21) of said circuit being set back from the corresponding face (302) of the block. Said grooves cut into the connection conductors (21). The assembly is then coated with resin (303) and shielded by metallization (304). The invention is especially suitable for producing more compact three-dimensional electronic systems.
Abstract:
L'invention se situe dans le domaine de la fabrication de modules électroniques 3D, compatible des composants fonctionnant au-delà de 1 GHz. L'invention concerne un module électronique 3D présentant une interconnexion entre un conducteur horizontal (31, 32 ; 33, 34) et un conducteur vertical (30) auquel il est relié présente dans un plan vertical une courbure non nulle. Elle concerne aussi le procédé de fabrication associé.
Abstract:
The invention relates to a 3D electronic module comprising, along a so-called vertical direction, a stack (4) of electronic slices (16), each slice comprising at least one chip (1) furnished with interconnection pads (10), this stack being assembled to an interconnection circuit (2) of the module furnished with connection balls, the pads (10) of each chip being connected by electrical wiring leads (15) to vertical buses (41) that are in turn electrically linked to the module interconnection circuit (2), a wiring lead and the vertical bus to which it is linked forming an electrical conductor between a pad of a chip and the interconnection circuit, characterized in that each electrical wiring lead (15) is linked to its vertical bus (41) while forming an oblique angle (α2) in a vertical plane and in that the length of the wiring lead between a pad of a chip of one slice and the corresponding vertical bus is different from the length of the wiring lead between the same pad of a chip of another slice and the corresponding vertical bus, obtained by a non-rectilinear wiring of the wiring lead so as to compensate for the difference in vertical length of the vertical bus from slice to slice, in such a way that the electrical conductor between the pad of a chip of a slice and the interconnection circuit, and the electrical conductor between the same pad of a chip of the other slice and the interconnection circuit, have the same length.
Abstract:
L'invention a pour objet un procédé de fabrication collective de modules électroniques 3D, chaque module électronique 3D comprenant un empilement d'au moins deux boîtiers électroniques à billes, reportables en surface, testés à leur température et fréquence de fonctionnement. Il comprend : - une étape de fabrication de plaques reconstituées, chaque plaque reconstituée étant fabriquée selon les sous-étapes suivantes dans l'ordre suivant : ∘ A1) les boîtiers électroniques sont posés sur une première peau collante côté billes, ∘ B1) moulage des boîtiers électroniques dans la résine et polymérisation de la résine, pour obtenir la plaque intermédiaire, o C1) amincissement de la plaque intermédiaire sur la face de la plaque intermédiaire opposée aux billes, ∘ D1) retrait de la première peau collante et pose de la plaque intermédiaire sur une deuxième peau collante, côté opposé aux billes, ∘ E1) amincissement de la plaque intermédiaire sur la face côté billes, ∘ F1) formation d'une couche de redistribution côté billes, ∘ G1) retrait de la deuxième peau collante pour obtenir une plaque reconstituée d'épaisseur inférieure à l'épaisseur d'origine des boîtiers électroniques,
- plusieurs plaques reconstituées ayant été obtenues à l'issue des sous-étapes précédentes, empilement des plaques reconstituées, - découpe des plaques reconstituées empilées pour obtenir des modules 3D.