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    KRISTALLISATIONSANLAGE UND KRISTALLISATIONSVERFAHREN ZUR KRISTALLISATION AUS ELEKTRISCH LEITENDEN SCHMELZEN SOWIE ÜBER DAS VERFAHREN ERHÄLTLICHE INGOTS
    171.
    发明申请
    KRISTALLISATIONSANLAGE UND KRISTALLISATIONSVERFAHREN ZUR KRISTALLISATION AUS ELEKTRISCH LEITENDEN SCHMELZEN SOWIE ÜBER DAS VERFAHREN ERHÄLTLICHE INGOTS 审中-公开
    结晶系统和方法结晶析出结晶，电气熔铅并在过程中可用锭

    公开(公告)号：WO2014202284A1

    公开(公告)日：2014-12-24

    申请号：PCT/EP2014/059684

    申请日：2014-05-13

    Applicant: FORSCHUNGSVERBUND BERLIN E.V.

    Inventor： DROPKA, Natascha ,  FRANK-ROTSCH, Christiane ,  LANGE, Ralph-Peter ,  KRAUSE, Petra

    IPC: C30B11/00 ,  C30B29/42 ,  C30B30/04 ,  C30B35/00

    CPC classification number: C30B29/42 ,  C30B11/007 ,  C30B30/04 ,  C30B35/00

    Abstract: Die Erfindung betrifft eine Kristallisationsanlage zur Herstellung von Kristallen durch gerichtete Erstarrung aus elektrisch leitenden Schmelzen, umfassend: • i. mindestens einen Tiegel (10) zur Aufnahme der Schmelze; • ii. ein Heizer-Magnet-Modul (20), mit ein oder mehreren Spulen (21) und dazugehörigen elektrischen Zuleitungen (200), wobei jedem Tiegel ein Heizer-Magnet-Modul zugeordnet ist; und • iii. eine Steuer- und Stromversorgungseinheit für das Heizer- Magnet-Modul (20). Das dem jeweiligen Tiegel zugeordnete Heizer-Magnet-Modul (20) ist derart angeordnet und elektrisch angesteuert, dass ein Lorentzkraftdichtefeld (40) erzeugbar ist, welches derart gerichtet ist, dass die resultierende Kraftwirkung, relativ zu einer geometrischen Mittelachse (50) des Tiegels (10), entgegen der Wachstumsrichtung nach außen wirkt. Ein weiterer Aspekt der Erfindung bildet ein Verfahren unter Verwendung erfindungsgemäßer Kristallisationsanlage, sowie ein Ingot, der mittels Verfahren und/oder Kristallisationsanlage herstellbar ist.

    Abstract translation: 本发明涉及一种通过导电熔体的定向凝固生产结晶的结晶植物，包括：•I。 至少一个用于接收所述熔融坩埚（10）; •II。 加热器磁性模块（20），具有一个或多个线圈（21）和相关联的电引线（200），每个盆用加热器磁性模块相关联; 和•三。 为Heizer-磁性模块（20）的控制和电源供应单元。 在分配给相应的坩埚加热器体模块（20）被布置并且在通电（40）可产生的洛伦兹力密度场被引导在这样一种方式，所产生的力的效果，相对于坩埚的几何中心轴线（50）（ 10）反作用生长到外部的方向。 本发明的另一个方面提供了使用本发明的结晶系统，以及锭，其通过方法和/或结晶系统来制造的方法。

    VORRICHTUNG FÜR DAS TIEGELFREIE ZONENZIEHEN VON KRISTALLSTÄBEN
    172.
    发明申请
    VORRICHTUNG FÜR DAS TIEGELFREIE ZONENZIEHEN VON KRISTALLSTÄBEN 审中-公开
    DEVICE FOR坩埚区拉单晶直杆

    公开(公告)号：WO2014075650A1

    公开(公告)日：2014-05-22

    申请号：PCT/DE2013/000627

    申请日：2013-10-20

    Applicant: FORSCHUNGSVERBUND BERLIN E.V.

    Inventor： RIEMANN, Helge ,  WÜNSCHER, Michael

    IPC: C30B13/20 ,  C30B29/06

    CPC classification number: C30B13/20 ,  C30B29/06

    Abstract: Um Kristalle mit großen Kristalldurchmessern nach dem FZ-Verfahren unter Verwendung von scheibenförmigen Induktionsheizspulen herzustellen, muss die angelegte Spannung erhöht werden, damit die erforderliche Leistung in die Schmelzzone induziert werden kann. Mit steigender Spannung steigt aber die Wahrscheinlichkeit von Überschlägen insbesondere am Spalt und an den Stromzuführungen der Induktionsheizspule. Um die Gefahr von Überschlägen zu verringern werden isolierende Schichten auf die Induktionsspule aufgebracht und isolierende Bauteile in den Spalt eingefügt. Die Erfindung betrifft eine Vorrichtung zur Herstellung von Kristallstäben nach dem tiegelfreien Floating Zone(FZ)-Verfahren mit der elektrische Durchschläge an der HF-Induktionsheizspule vermieden werden. Die erfindungsgemäße Vorrichtung besteht aus einer Induktionsspule (3) mit einer Zentralöffnung (3.1), in die der Hauptschlitz (3.2), der als Stromzuführung dient, einmündet. Unterhalb der Induktionsspule (3) ist in einem definierten Abstand (a) eine Abschirmung (4) angeordnet, die zumindest den Bereich (b) unterhalb des Hauptschlitzes (3.2) gegenüber der Schmelzzone (2.1) thermisch und strömungstechnisch abschirmt. Die Abschirmung (4) besteht aus einem durchschlagsfesten Material mit niedrigen dielektrischen Verlusten und geringer Wärmeleitung. In dem Spalt (a) zwischen der Induktionsspule (3) und der Abschirmung (4) befindet sich eine kältere Gasschicht, die insbesondere die Gastemperatur im Hauptsschlitz (3.2) und dessen Umgebung reduziert.

    Abstract translation: 为了通过使用圆盘状的感应加热线圈的FZ法生产具有大直径的晶体的晶体，所施加的电压必须被增加，使得所需要的功率可以在熔融区来诱导。 的电压增加，但击穿的概率尤其是在间隙增大和感应加热线圈的电源线。 绝缘层，以减少飞弧的危险减少插入间隙施加到感应线圈和绝缘部件。 本发明涉及一种能够避免用于生产由自由坩埚浮区（FZ）方法将RF感应加热线圈的电击穿晶体棒的装置。 本发明的装置包括具有中央开口（3.1），在该主缝隙（3.2）用作电源，将打开的感应线圈（3）的。 下面的感应线圈（3）具有屏蔽（4）是在限定的距离（a）被布置，其中屏蔽至少该区域在熔化区（2.1）主缝隙（3.2）（b）所示的热和流体。 屏蔽（4）由具有低介电损耗和低的热导率的渗透材料制成。 在该间隙中的（a）位于所述感应线圈（3）和所述护罩（4）的气体的较冷层之间，特别是，在主缝隙（3.2）的气体温度和降低它的周围。

    MODELLPRÄDIKTIVE REGELUNG DES ZONENSCHMELZ-VERFAHRENS
    173.
    发明申请
    MODELLPRÄDIKTIVE REGELUNG DES ZONENSCHMELZ-VERFAHRENS 审中-公开
    熔程序模型预测控制区

    公开(公告)号：WO2014033212A1

    公开(公告)日：2014-03-06

    申请号：PCT/EP2013/067893

    申请日：2013-08-29

    Applicant: FORSCHUNGSVERBUND BERLIN E.V.

    Inventor： WERNER, Nico ,  WÜNSCHER, Michael

    IPC: C30B13/28 ,  G05B13/04

    CPC classification number: C30B13/28 ,  G05B13/048

    Abstract: Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur geregelten Erzeugung von kristallinen Formkörpern im Zonenschmelzverfahren durch Beeinflussung von Stellgrößen, wobei die Art der Beeinflussung anhand eines Abgleichs von gemessenen Ist-Werten mit Soll-und prädizierten Verlaufs-Werten von Systemzuständen ermittelt wird, wobei die Ist-Werte der Systemzustände direkt gemessen und/oder indirekt mittels eines Zustandsbeobachters gemessen werden, wobei das Verfahren dadurch gekennzeichnetist, dass die prädizierten Verlaufs-Werte, ausgehend von den direkt oder indirekt gemessenen Ist-Werten, modellbasiert berechnet werden, und dassmindestens eine Stellgröße, ausgewählt aus Generatorleistung (P Gen ), Vorratsstabgeschwindigkeit (v F ) und Kristallgeschwindigkeit (v C ), so verändert wird, dass die Abweichung von den Soll-und den prädizierten Verlaufs-Werten verringert wird.

    Abstract translation: 本发明通过影响操纵变量涉及用于控制生产的区域熔化法结晶形式体的方法，影响比较测量的实际值的基础上的类型与目标和系统状态的值的预测过程，的实际值确定的 直接测量系统状态和/或由一个状态观测器的装置间接地测量，所述的特征在于方法在值的预测过程中，直接或间接测量的实际值的基础上是基于模型计算，和从发电机功率中选择的至少一个控制变量（ PGEN）股票杆速度（VF）和结晶速率（VC），被改变，使得偏差是从目标和预测过程的值减小。

    IMPROVED PRODUCTION OF LASER-POLARIZED XENON
    174.
    发明申请
    IMPROVED PRODUCTION OF LASER-POLARIZED XENON 审中-公开
    改进激光极化氙的生产

    公开(公告)号：WO2013068448A1

    公开(公告)日：2013-05-16

    申请号：PCT/EP2012/072114

    申请日：2012-11-08

    Applicant: FORSCHUNGSVERBUND BERLIN E.V. ,  SCHRÖDER, Leif ,  WITTE, Christopher ,  KUNTH, Martin ,  ROSELLA, Federica ,  DÖPFERT, Jörg

    Inventor： SCHRÖDER, Leif ,  WITTE, Christopher ,  KUNTH, Martin ,  ROSELLA, Federica ,  DÖPFERT, Jörg

    IPC: G01R33/28

    CPC classification number: G01R33/282

    Abstract: The invention describes a polarizing cell comprising an inner enclosure (1) having a side wall defining an interior with at least one pair of openings including a gas entrance (6) and exit (7) to allow a gas mixture to pass through the interior, and at least one window transparent to laser light (9); contained within an outer enclosure (2) with at least one partitioning device to divide the volume outside the above mentioned inner enclosure into two or more compartments (3,4) that are maintained at different temperature.

    Abstract translation: 本发明描述了一种偏振单元，其包括内壳体（1），其具有侧壁，所述侧壁限定具有包括气体入口（6）和出口（7）的至少一对开口的内部，以允许气体混合物通过内部， 和至少一个对激光（9）透明的窗口; 包含在具有至少一个分隔装置的外壳体（2）内，以将上述内壳体外部的体积分成两个或更多个保持在不同温度的隔室（3,4）。

    OPTISCHE BANK UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG DER OPTISCHEN BANK
    177.
    发明申请
    OPTISCHE BANK UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG DER OPTISCHEN BANK 审中-公开
    光学平台和方法生产光学BANK

    公开(公告)号：WO2010142711A1

    公开(公告)日：2010-12-16

    申请号：PCT/EP2010/058061

    申请日：2010-06-09

    Applicant: FORSCHUNGSVERBUND BERLIN E.V. ,  SAHM, Alexander ,  MAIWALD, Martin ,  FIEBIG, Christian ,  PASCHKE, Katrin

    Inventor： SAHM, Alexander ,  MAIWALD, Martin ,  FIEBIG, Christian ,  PASCHKE, Katrin

    IPC: G02F1/35

    CPC classification number: G02F1/3501 ,  G02F2001/3505 ,  G02F2001/3546 ,  G02F2203/60 ,  Y10T156/10

    Abstract: Eine optische Bank (1) mit einem Träger (10) zur Aufnahme optischer Bauelemente (60, 70) und einem mechanisch mit dem Träger verbundenen Kristall (30) zur Änderung der Frequenz des aus einer Lichtquelle (50) in den Kristall (30) gestrahlten Lichtes. Auf dem Träger (10) sind zwei Schienen (12) im Wesentlichen parallel zueinander angeordnet. Die mechanische Verbindung des Kristalls (30) mit dem Träger (10) ist über eine vom Träger (10) abgewandten Oberflächen der Schienen (12) realisiert. Am Kristall (30) ist ein Wärmeleitelement (20) angeordnet, welches an den vom Träger (10) abgewandten Oberflächen der Schienen (12) anliegt.

    Abstract translation: 与支承件（10），用于接收光学组件（60，70）的喷砂处理的光具座（1）和机械地连接到载体晶体（30），用于改变一光源（50）的频率进入晶体（30） 光。 在载体（10）是两个导轨（12）设置成基本上彼此平行。 （10）在导轨（12）的表面来实现的晶体（30）与所述支撑件（10）的背离载体远的机械连接。 晶体（30）是一个导热元件（20）被布置，其抵接从所述载体（10）背向轨道（12）的表面上。

    SITE-DIRECTED HIGH THROUGHPUT SCREENING
    178.
    发明申请
    SITE-DIRECTED HIGH THROUGHPUT SCREENING 审中-公开
    网站指导的高通量筛选

    公开(公告)号：WO2009068321A1

    公开(公告)日：2009-06-04

    申请号：PCT/EP2008/010282

    申请日：2008-11-26

    Applicant: FORSCHUNGSVERBUND BERLIN E.V. ,  RADEMANN, Jörg ,  SCHMIDT, Marco

    Inventor： RADEMANN, Jörg ,  SCHMIDT, Marco

    IPC: G01N33/53 ,  G01N33/573

    CPC classification number: C12Q1/00 ,  G01N33/53 ,  G01N2500/04

    Abstract: The present invention relates to the identification of binder compounds for a certain target by a site-directed screening method, whereby the binding of a compound can be detected in a parallel detection assay. The invention also relates to the modification of these compounds as well as the use in a pharmaceutically acceptable form.

    Abstract translation: 本发明涉及通过定点筛选方法鉴定某些靶的粘合剂化合物，由此可以在平行检测测定中检测化合物的结合。 本发明还涉及这些化合物的修饰以及药学上可接受的形式的用途。

    VORRICHTUNG ZUR HERSTELLUNG VON KRISTALLEN AUS ELEKTRISCH LEITFÄHIGEN SCHMELZEN
    179.
    发明申请
    VORRICHTUNG ZUR HERSTELLUNG VON KRISTALLEN AUS ELEKTRISCH LEITFÄHIGEN SCHMELZEN 审中-公开
    器具，用于产生晶体的导电MELTING

    公开(公告)号：WO2007122231A1

    公开(公告)日：2007-11-01

    申请号：PCT/EP2007/053988

    申请日：2007-04-24

    Applicant: FORSCHUNGSVERBUND BERLIN E.V. ,  ZIEM, Mario ,  RUDOLPH, Peter ,  LANGE, Ralph-Peter

    Inventor： ZIEM, Mario ,  RUDOLPH, Peter ,  LANGE, Ralph-Peter

    IPC: C30B15/14 ,  C30B15/30 ,  C30B35/00

    CPC classification number: C30B35/00 ,  C30B15/14 ,  C30B15/305

    Abstract: Die Erfindung betrifft eine Vorrichtung zur Züchtung von Kristallen aus elektrisch leitenden Schmelzen, mindestens aufweisend einen in einer Züchtungskammer (23) angeordneten, eine Schmelze (22) enthaltenen Tiegel (20), eine den Tiegel umgebende Heizeinrichtung (24) und eine außerhalb der Züchtungskammer (23) angeordnete Energieversorgungseinrichtung (19) und weitere außerhalb der Züchtungskammer (23) angeordnete und miteinander in Verbindung stehende Steuerelemente. Es ist vorgesehen, dass die Heizeinrichtung (24) als eine Mehrspulenanordnung ausgeführt ist, welche über drei Anschlüsse (7, 8, 9) verfügt, die durch die Züchtungskammer (23) geführt sind und wobei die Mehrspulenanordnung an zwei außerhalb der Züchtungskammer (23) angeordneten und mit der Energieversorgungseinrichtung (19) und den weiteren Steuerelementen in Verbindung stehenden Leistungsmodulen (11, 12) angeschlossen ist.

    Abstract translation: 本发明涉及一种用于生长导电熔体的结晶的装置，设置在至少包括在生长室中（23），熔体（22）中含有的坩埚（20），包围该坩埚的加热器（24）和（外的生长室 23布置）电源装置（19），并且进一步设置在生长室（23）外部，并且连接到一个另一固定的控制。 可以设想的是，加热装置（24）被设计成一个多线圈阵列，其具有三个端子（7，8，9）具有由生长室（23），并且其中所述多个线圈阵列在两个生长室外部（23）被引导 布置并与电源装置（19）和相关的功率模块（11,12）被连接在另外的控制元件。

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