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公开(公告)号：CN106062888A
公开(公告)日：2016-10-26
申请号：CN201580011395.8
申请日：2015-11-27
Applicant: 日东电工株式会社
Abstract: 实现一种即使为了提高耐擦伤性而包含干式光学调整层，透明导电层也具有适当的蚀刻速度的透明导电性薄膜。在透明的薄膜基材(11)的主表面依次层叠有光学调整层(12)和透明导电层(13)的透明导电性薄膜(10)。光学调整层(12)包含含有无机氧化物的干式光学调整层。透明导电层(13)包含含有铟的金属氧化物。透明导电层(13)为结晶质，且至少具有对应于(400)面、(440)面的X射线衍射峰，将(400)面的X射线衍射峰强度设为I400、将(440)面的X射线衍射峰强度设为I440时，X射线衍射峰强度之比I440/I400为1.0～2.2的范围。
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公开(公告)号：CN103282539B
公开(公告)日：2016-06-29
申请号：CN201180062582.0
申请日：2011-12-14
Applicant: 日东电工株式会社
CPC classification number: H01B1/08 , C23C14/086 , C23C14/3414 , C23C14/5806 , G06F3/044 , G06F3/045 , G06F2203/04103 , Y10T428/26 , Y10T428/265
Abstract: 本发明的目的在于，提供在透明基材上形成有由低电阻的In·Sn复合氧化物（ITO）构成的透明导电层的透明导电性薄膜及其制造方法。本发明的透明导电性薄膜在透明基材上具有由In·Sn复合氧化物构成的透明导电层，透明基材的形成透明导电层侧的表面的算术平均粗糙度Ra为1.0nm以下，透明导电层中的Sn原子的量相对于将In原子和Sn原子相加得到的重量超过6重量%且为15重量%以下，所述透明导电层的霍尔迁移率为10～35cm2/V·s，载流子密度为6×1020～15×1020/cm3。该透明导电性薄膜可通过如下方法来得到，即，在水分压小的气氛下、在基材温度超过100℃且为200℃以下的条件下对非晶质透明导电层进行溅射制膜，并对非晶质透明导电层进行加热而转化为结晶性透明导电层。
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公开(公告)号：CN105593395A
公开(公告)日：2016-05-18
申请号：CN201480054423.X
申请日：2014-10-10
Applicant: 日东电工株式会社
CPC classification number: C23C14/3407 , C23C14/3464 , C23C14/562
Abstract: 在溅射装置的靶材更换、阴极清扫过程中，能够两个人以上同时进行作业，无需高处作业且以靶材朝上的状态更换靶材。使阴极台车(19)移动而将靶材(17)和阴极(18)取出到真空槽(11)外。使阴极旋转机构(24)工作而以使靶材(17)朝上的方式使靶材(17)和阴极(18)旋转。使阴极滑动机构(25)工作而使高处的靶材(17)和阴极(18)向低处移动。将旧的靶材(17)从阴极(18)拆下来，并且将新的靶材(17)安装到阴极(18)。使靶材(17)和阴极(18)返回到原来的高度。使靶材(17)和阴极(18)沿着原来的方向返回。使靶材(17)和阴极(18)返回到真空槽(11)内。
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公开(公告)号：CN105302358A
公开(公告)日：2016-02-03
申请号：CN201510303423.5
申请日：2015-06-04
Applicant: 日东电工株式会社
Abstract: 本发明提供透明导电性薄膜，其透明性和处理性良好、且电阻率更小。透明导电性薄膜(1)至少依次具有聚对苯二甲酸乙二醇酯薄膜(2)、固化层(3)、无机硅氧化物层(4)及铟-锡氧化物层(5)。聚对苯二甲酸乙二醇酯薄膜(2)的厚度为40μm～130μm。并且固化层(3)在该固化层内具备多个无机颗粒(3b)。固化层(3)的厚度(dA)与无机硅氧化物层(4)的厚度(dB)的总和为300nm以上并且不足3000nm。无机硅氧化物层(4)的厚度超过15nm，铟-锡氧化物层(5)的厚度为15nm以上并且50nm以下，且其表面的中心线平均粗糙度Ra为0.1nm以上并且不足2nm。
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公开(公告)号：CN102985585B
公开(公告)日：2015-09-30
申请号：CN201180033556.5
申请日：2011-07-06
Applicant: 日东电工株式会社
CPC classification number: H01B5/14 , C08J7/045 , C08J7/08 , C08J2323/06 , C08J2483/04 , C23C14/086 , C23C14/562 , C23C14/5806
Abstract: 本发明的目的在于，制造在透明薄膜基材上形成有结晶的铟系复合氧化物膜的长条状的透明导电性薄膜。本发明的制造方法具有：非晶层叠体形成工序，其中，通过溅射法在所述长条状透明薄膜基材上形成含有铟和四价金属的铟系复合氧化物的非晶膜；以及结晶化工序，其中，形成有所述非晶膜的长条状透明薄膜基材被连续地输送至170℃~220℃的加热炉内，所述非晶膜被结晶化。前述结晶化工序中的加热炉内的温度优选为170℃~220℃。另外，前述结晶化工序中的薄膜长度的变化率优选为+2.5%以下。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104375701A
公开(公告)日：2015-02-25
申请号：CN201410594615.1
申请日：2010-09-28
Applicant: 日东电工株式会社
IPC: G06F3/041
CPC classification number: G06F3/044 , G06F3/045 , G06F2203/04103
Abstract: 本发明涉及透明导电层进行了图案化且能够抑制因图案部和图案开口部的正下方之间的反射光的色相的差异导致的外观恶化的透明导电性薄膜，以及使用其的触摸面板。本发明的透明导电性薄膜(10)在透明基材(1)上依次形成有第1透明电介质层(2)及透明导电层(4)。优选的是，在将对图案部(P)照射白色光时的反射光的色相a*值及色相b*值分别设为a*P及b*P、将对图案开口部(O)的正下方照射白色光时的反射光的色相a*值及色相b*值分别设为a*O及b*O时，满足0≤|a*P-a*O|≤4.00的关系，且满足0≤|b*P-b*O|≤5.00的关系。
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公开(公告)号：CN104294224A
公开(公告)日：2015-01-21
申请号：CN201410342230.6
申请日：2014-07-17
Applicant: 日东电工株式会社
CPC classification number: H01J37/32733 , C23C14/34 , C23C14/562 , H01J37/32715 , H01J37/3277 , H01J37/34
Abstract: 本发明提供一种溅射装置和带薄膜的长条膜的制造方法。本发明的溅射装置(10)用于在长条膜上形成薄膜。本发明的溅射装置(10)包括：真空室(11)；真空泵(12)，其用于对真空室(11)进行排气；供给辊(13)，其用于供给长条膜(17)；收纳辊(16)，其用于收纳长条膜(17)；成膜辊(15)，其设于真空室(11)内，用于沿着成膜辊(15)的表面输送长条膜(17)；靶材(18)，其与成膜辊(15)相对；气体配管(21)，其用于向真空室(11)内供给气体；导辊(28)，其用于引导长条膜(17)；导辊轴(24)，其设于导辊(28)的两端；轴承(25)，其用于支承导辊轴(24)；绝缘体(26)，其用于将导辊轴(24)与轴承(25)之间绝缘，导辊(28)的与长条膜(17)接触的接触面是浮动电位。
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公开(公告)号：CN104294223A
公开(公告)日：2015-01-21
申请号：CN201410339809.7
申请日：2014-07-16
Applicant: 日东电工株式会社
IPC: C23C14/34
CPC classification number: H01J37/32733 , H01J37/32715 , H01J37/32724 , H01J37/3277 , H01J37/34 , H01J2237/332 , C23C14/34
Abstract: 本申请的发明提供一种溅射装置，为了不使自成膜辊脱离而输送到下游侧输送辊的长条膜基材因急剧的冷却而发生变形，该溅射装置构成为包括真空室(14)、成膜辊(18)、靶材(20)、气体供给机构(24)、3根驱动辊(下游侧输送辊)(26(1)、26(2))、26(3))、以及用于将各驱动辊(26(1)、26(2)、26(3))的温度维持在80℃以下且比真空室(14)内的最低温度高的范围内的大致恒定温度的3个温度调节机构(30(1)、30(2)、30(3))。
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公开(公告)号：CN103632753A
公开(公告)日：2014-03-12
申请号：CN201310506879.2
申请日：2011-11-04
Applicant: 日东电工株式会社
CPC classification number: B29C71/02 , C23C14/086 , C23C14/5806 , G06F3/044 , G06F3/045 , G06F2203/04103 , Y10T428/2495 , Y10T428/24975 , Y10T428/25 , Y10T428/26
Abstract: 本发明提供透明导电性膜、其制造方法及具备其的触摸面板。透明导电性膜具有可以缩短结晶化时间的透明导电性薄膜。透明导电性膜，其特征在于，其为在透明的膜基材的至少一面具有透明导电性薄膜层叠体的透明导电性膜，所述膜基材为厚度2～200μm的塑料膜，所述透明导电性薄膜层叠体中，从所述透明导电性薄膜层叠体的表面侧开始具有第一透明导电性薄膜和第二透明导电性薄膜，第一透明导电性薄膜为氧化锡的比例超过0且为6重量%以下的铟锡复合氧化物的结晶质膜，第二透明导电性薄膜为氧化锡的比例3～25重量%的铟锡复合氧化物的结晶质膜，所述第二透明导电性薄膜的氧化锡的比例比所述第一透明导电性薄膜大，所述透明导电性薄膜层叠体整体的厚度为35nm以下。
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公开(公告)号：CN102543268B
公开(公告)日：2013-11-06
申请号：CN201110346353.3
申请日：2011-11-04
Applicant: 日东电工株式会社
CPC classification number: B29C71/02 , C23C14/086 , C23C14/5806 , G06F3/044 , G06F3/045 , G06F2203/04103 , Y10T428/2495 , Y10T428/24975 , Y10T428/25 , Y10T428/26
Abstract: 本发明提供透明导电性膜、其制造方法及具备其的触摸面板。所述透明导电性膜具有可以缩短结晶化时间的透明导电性薄膜。一种在透明的膜基材的至少一面具有由至少2层透明导电性薄膜形成的透明导电性薄膜层叠体的透明导电性膜，所述透明导电性薄膜均为氧化铟或含有4价金属元素的氧化物的铟系复合氧化物的结晶质膜，在所述透明导电性薄膜层叠体的表面侧具有氧化铟或4价金属元素的氧化物的比例超过0且为6重量％以下的第一透明导电性薄膜(21)，从所述透明导电性薄膜层叠体的表面侧开始继第一透明导电性薄膜之后具有4价金属元素的氧化物的比例比所述第一透明导电性薄膜(21)大的第二透明导电性薄膜(22)。
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