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    MIKROELEKTROMECHANISCHES BAUELEMENT UND HERSTELLUNGSVERFAHREN
    171.
    发明申请
    MIKROELEKTROMECHANISCHES BAUELEMENT UND HERSTELLUNGSVERFAHREN 审中-公开
    微机电元件和方法

    公开(公告)号：WO2009037256A2

    公开(公告)日：2009-03-26

    申请号：PCT/EP2008/062305

    申请日：2008-09-16

    Applicant: AUSTRIAMICROSYSTEMS AG ,  KRAFT, Jochen ,  HUEBER, Andreas ,  SCHRANK, Franz

    Inventor： KRAFT, Jochen ,  HUEBER, Andreas ,  SCHRANK, Franz

    IPC: B81B3/00

    CPC classification number: B81B3/001 ,  B81C2201/115

    Abstract: Eine unter einer mikromechanischen Schicht (2) vorgesehene Opferschicht wird zu Restanteilen isotrop rückgeätzt, so dass auf der Oberseite eines Trägers (1) in einem Zwischenraum (3) Abstandshalter (4) ausgebildet werden, die eine sich in Richtung auf die mikromechanische Schicht verjüngende Form aufweisen. Auf diese Weise wird nach dem Freiätzen der mikromechanischen Schicht ein Anhaften der mikromechanischen Schicht auf der Oberseite des Trägers verhindert.

    Abstract translation: 一个下（2）提供的牺牲层的微机械层进行回蚀各向同性残余馏分，使得在载体上的（1）的中的中间空间（3）间隔物（4）形成具有锥形朝向微机械层形成顶 有。 以这种方式，在载体的顶部上的微机械层的粘附性根据自由微机械层的蚀刻阻止。

    SURFACE ROUGHENING PROCESS
    172.
    发明申请
    SURFACE ROUGHENING PROCESS 审中-公开
    表面粗糙化工艺

    公开(公告)号：WO2008090428A1

    公开(公告)日：2008-07-31

    申请号：PCT/IB2008/000086

    申请日：2008-01-10

    Applicant: S.O.I.TEC SILICON ON INSULATOR TECHNOLOGIES ,  ASPAR, Bernard ,  LAGAHE BLANCHARD, Chrystelle ,  SOUSBIE, Nicolas

    Inventor： ASPAR, Bernard ,  LAGAHE BLANCHARD, Chrystelle ,  SOUSBIE, Nicolas

    IPC: B81C1/00

    CPC classification number: B81C1/00952 ,  B81B3/001 ,  B81C2201/115

    Abstract: The invention relates to a process of forming a rough interface (12) in a semiconductor substrate (2), comprising: the formation, on a surface (4) of said substrate, of a zone of irregularities (8) in or on an oxide or a material (6) that may be oxidized, the formation of roughnesses in or on the semiconductor substrate (2) by thermal oxidation of or through this material or this oxide (6) and a part of the semiconductor substrate.

    Abstract translation: 本发明涉及在半导体衬底（2）中形成粗糙界面（12）的方法，包括：在所述衬底的表面（4）上形成在氧化物中或氧化物上的不规则区域（8） 或可能被氧化的材料（6），通过或通过该材料或该氧化物（6）和半导体衬底的一部分的热氧化在半导体衬底（2）中或之上形成粗糙度。

    미소 구조체, 반도체장치, 및 미소 구조체의 제조 방법
    178.
    发明公开
    미소 구조체, 반도체장치, 및 미소 구조체의 제조 방법 有权
    微结构，半导体器件和微结构的制造方法

    公开(公告)号：KR1020070092626A

    公开(公告)日：2007-09-13

    申请号：KR1020070022362

    申请日：2007-03-07

    Applicant: 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼

    Inventor： 야마구치마유미 ,  이즈미코나미

    IPC: H01L29/00

    CPC classification number: H01L27/1266 ,  B81B3/001 ,  B81C2201/115 ,  H01L27/1214

    Abstract: A micro structure, a semiconductor device and a method for manufacturing the micro structure are provided to prevent the generation of failures in operation and to enhance the endurance. A micro structure includes a first structure layer(102) and a second structure layer(104). A gap is formed at a predetermined portion between the first and the second structure layers. The first and the second structure layers are arranged opposite to each other. The second structure layer is partially is fixed to the first structure layer. At least one sides of the first and the second structure layers are capable of being displaced. The opposite surfaces of the first and the second structure layers have different roughnesses. One side of the first structure layer or the second structure layer is made of a crystalline silicon layer.

    Abstract translation: 提供微结构，半导体器件和微结构的制造方法，以防止操作失败的产生并提高耐久性。 微结构包括第一结构层（102）和第二结构层（104）。 在第一和第二结构层之间的预定部分处形成间隙。 第一和第二结构层彼此相对布置。 第二结构层部分地固定到第一结构层。 第一和第二结构层的至少一侧能够被移位。 第一和第二结构层的相对表面具有不同的粗糙度。 第一结构层或第二结构层的一侧由晶体硅层制成。

    藉由奈米簇之沉積降低微機電系統靜摩擦力
    179.
    发明专利
    藉由奈米簇之沉積降低微機電系統靜摩擦力 审中-公开
    借由奈米簇之沉积降低微机电系统静摩擦力

    公开(公告)号：TW201432787A

    公开(公告)日：2014-08-16

    申请号：TW102145772

    申请日：2013-12-12

    Applicant: 飛思卡爾半導體公司 ,  FREESCALE SEMICONDUCTOR, INC.

    Inventor： 史黛莫 羅伯F ,  STEIMLE, ROBERT F. ,  蒙提茲 魯邦B ,  MONTEZ, RUBEN B.

    IPC: H01L21/027 ,  H01L21/205

    CPC classification number: B81B3/001 ,  B81B3/0005 ,  B81B2201/0221 ,  B81B2201/0235 ,  B81B2203/0181 ,  B81B2203/06 ,  B81C1/0096 ,  B81C2201/115 ,  G01P15/0802 ,  G01P2015/0871 ,  G01P2015/0874

    Abstract: 本發明提供用於藉由減小可發生緊密接觸之兩個表面之間的表面積而降低一MEMS裝置中之靜摩擦力之一機制。接觸表面積之降低係藉由增加該等表面中之一者或兩者之表面粗糙度而達成。該增加之粗糙度係藉由在形成該MEMS裝置中所使用之一犧牲層上形成一微遮罩層且然後蝕刻該犧牲層之表面而提供。該微遮罩層可使用奈米簇(520)來形成。當該MEMS裝置之一下一部分形成於該犧牲層(810)上時，此部分將呈現藉由蝕刻程序賦予於該犧牲層上之粗糙度特性。較粗糙表面(910)減小該MEMS裝置中可用於接觸之該表面積且繼而減小透過其可賦予靜摩擦力之面積。

    Abstract in simplified Chinese: 本发明提供用于借由减小可发生紧密接触之两个表面之间的表面积而降低一MEMS设备中之静摩擦力之一机制。接触表面积之降低系借由增加该等表面中之一者或两者之表面粗糙度而达成。该增加之粗糙度系借由在形成该MEMS设备中所使用之一牺牲层上形成一微遮罩层且然后蚀刻该牺牲层之表面而提供。该微遮罩层可使用奈米簇(520)来形成。当该MEMS设备之一下一部分形成于该牺牲层(810)上时，此部分将呈现借由蚀刻进程赋予于该牺牲层上之粗糙度特性。较粗糙表面(910)减小该MEMS设备中可用于接触之该表面积且继而减小透过其可赋予静摩擦力之面积。

    具有至少一可移動停止元件之顯示裝置 DISPLAY DEVICE WITH AT LEAST ONE MOVABLE STOP ELEMENT
    180.
    发明专利
    具有至少一可移動停止元件之顯示裝置 DISPLAY DEVICE WITH AT LEAST ONE MOVABLE STOP ELEMENT 审中-公开
    具有至少一可移动停止组件之显示设备 DISPLAY DEVICE WITH AT LEAST ONE MOVABLE STOP ELEMENT

    公开(公告)号：TW201142456A

    公开(公告)日：2011-12-01

    申请号：TW099131292

    申请日：2010-09-15

    Applicant: 高通微機電系統科技公司

    Inventor： 科沙里 曼尼區 ,  古德拉法雷提 索里 ,  紀 史蒂芬

    IPC: G02F ,  G02B ,  B81B

    CPC classification number: B81B3/0008 ,  B81B2201/042 ,  B81C2201/112 ,  B81C2201/115 ,  G02B26/001 ,  G02B26/0841

    Abstract: 在某些實施例中係提供一種裝置，其包括：一基板；及複數個支撐件，其在該基板之上。該裝置可進一步包括一機械層，該機械層具有一可移動部分及一固定部分。該固定部分可安置於該等支撐件之上。在某些實施例中，該裝置進一步包括一定位於該基板之上且機械地耦接至該可移動部分的反射性表面。某些實施例之該裝置進一步包括至少一可移動停止元件，該至少一可移動停止元件自該可移動部分移位且機械地耦接至該可移動部分。在某些實施例中，該停止元件之至少一部分可定位於該固定部分之上。

    Abstract in simplified Chinese: 在某些实施例中系提供一种设备，其包括：一基板；及复数个支撑件，其在该基板之上。该设备可进一步包括一机械层，该机械层具有一可移动部分及一固定部分。该固定部分可安置于该等支撑件之上。在某些实施例中，该设备进一步包括一定位于该基板之上且机械地耦接至该可移动部分的反射性表面。某些实施例之该设备进一步包括至少一可移动停止组件，该至少一可移动停止组件自该可移动部分移位且机械地耦接至该可移动部分。在某些实施例中，该停止组件之至少一部分可定位于该固定部分之上。

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