낸드쎌을 갖는 불휘발성 반도체 메모리 장치

    公开(公告)号:KR1019940004649A

    公开(公告)日:1994-03-15

    申请号:KR1019920014962

    申请日:1992-08-20

    Inventor: 김진기 임형규

    Abstract: 본 발명은 불휘발성 반도체 메모리장치에 있어서 단위 쎌어레이가 로우디코더를 공유하는 낸드쎌형 플래쉬(flash) EEPROM 메모리장치에 관한 것으로, 스트링 선택 트랜지스터와 접지선택 트랜즈서터사이에 직렬로 연결된 소정갯수의 메모리쎌들로 구성되는 쎌 어레이단위를 갖는 낸드쎌형 메모리장치에 있어서 적어도 두개이상의 쎌 어레이단위가 로우디코더를 공유함에 의해 로우디코더 크기에 따른 한계를 받지않고 비트라인 방향의 쎌 크기가 대폭 감소된 고집적도의 반도체 메모리장치를 제공한다.

    내부전원전압 발생회로
    182.
    发明公开

    公开(公告)号:KR1019930024017A

    公开(公告)日:1993-12-21

    申请号:KR1019920009412

    申请日:1992-05-30

    Abstract: 본 발명은 반도체 메모리 장치에서 특히 칩 외부에서 공급되는 전원을 소정레벨로 강하하여 출력하는 내부전원전압 발생회로에 관한 것으로, 내부전원전압 발생회로의 출력용 드라이버단을 번-인모드 드라이버(410)와 노멀 드라이버(420)로 분리하여 구성하므로서, 내부전원전압 발생회로의 출력단에 전압강하를 고속으로 보상할 수 있고, 또한 안정한 내부전원전압을 공급하여 칩의 동작 특성을 향상시키는 효과가 있다.

    반도체 메모리장치의 워드라인 디코더
    183.
    发明授权
    반도체 메모리장치의 워드라인 디코더 失效
    一个字线解码器

    公开(公告)号:KR1019930011106B1

    公开(公告)日:1993-11-24

    申请号:KR1019890016428

    申请日:1989-11-13

    Abstract: The device comprises an address input section for generating some signals for selecting memory string and word line by sensing change of external input address signals, a memory string selecting section for selecting the memory string by inputting external predecoding signal and output signal of the address input section, and a word line selecting section for selecting word line by inputting external predecoding signal and output signal of the address input section. The device provides a small chip size and high reading operation.

    Abstract translation: 该设备包括地址输入部分,用于通过感测外部输入地址信号的改变来产生用于选择存储器字符串和字线的一些信号;存储器串选择部分,用于通过输入外部预解码信号和地址输入部分的输出信号来选择存储器串 以及用于通过输入外部预解码信号和地址输入部分的输出信号来选择字线的字线选择部分。 该器件提供小的芯片尺寸和高读取操作。

    불휘발성반도체메모리장치

    公开(公告)号:KR1019930018588A

    公开(公告)日:1993-09-22

    申请号:KR1019920002485

    申请日:1992-02-19

    Inventor: 김진기 임형규

    Abstract: 다수의 메모리셀로 이루어진 메모리셀 어레이, 상기 메모리 셀 어레이의 열(row)라인과 연결되며 일정열(row)라인을 선택하는 기능을 하는 수단, 상기 메모리셀 어레이의 행(Column)라인과 연결되며 일정행(Column)라인을 선택하는 기능을 하는 수단, 상기 행라인에 연결이되고 행라인상의 데이타로부터 프로그램 전압을 발생하는 수단들을 가지는 반도체메모리 장치에 있어서 적어도 2개이상의 비트라인을 상기 프로그램 전압발생수단의 각각에 연결하는 수단을 가짐을 특징으로 하는 불휘발성 반도체 메모리 장치이다.

    직류 전류를 제거한 데이타 출력버퍼
    186.
    发明公开
    직류 전류를 제거한 데이타 출력버퍼 失效
    数据输出缓冲器,消除直流电流

    公开(公告)号:KR1019930008859A

    公开(公告)日:1993-05-22

    申请号:KR1019910018835

    申请日:1991-10-25

    Abstract: 본 발명은 반도체 메모리 장치의 데이터 출력 버퍼에 관한 것으로, 종래에 제시된 미들레벨을 가지는 데이터 츨력 버퍼는 직류전류의 잘생을 근본적으로 해결하지 못하여 전류소모 및 잡음등의 문제가 남아있게 되었으나, 본 발명에 의한 데이터 츨력버퍼는 직류전류의 발생이 방지되는 프리셋 회로를 구비하므로서, 이에 따른 전류 소모 및 잡음등의 문제를 제거하였다.

    불휘발성 반도체 메모리소자 및 그 제조방법
    188.
    发明授权
    불휘발성 반도체 메모리소자 및 그 제조방법 失效
    半导体存储器件及其制造方法

    公开(公告)号:KR1019910009614B1

    公开(公告)日:1991-11-23

    申请号:KR1019880016327

    申请日:1988-12-08

    Abstract: The electrically erasable and programmable read only memory device (EEPROM) for increasing the coupling ratio comprises the select transistor having a select gate (44) and the sensing transistor having control and floating gate. A floating gate is formed on the semiconductor substrate surface so that it is electrically isolated by spacer (64) formed on both side of select gate and contacted with tunnel oxide film (42). Source and drain regions are formed in the substrate by using the gate and spacer as a mask.

    Abstract translation: 用于增加耦合比的电可擦除可编程只读存储器件(EEPROM)包括具有选择栅极(44)的选择晶体管和具有控制和浮置栅极的感测晶体管。 在半导体衬底表面上形成浮栅,使其通过形成在选择栅极两侧并与隧道氧化膜(42)接触的间隔物(64)电隔离。 通过使用栅极和间隔物作为掩模在衬底中形成源区和漏区。

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