公开(公告)号：EP1502273A1

公开(公告)日：2005-02-02

申请号：EP03719974.2

申请日：2003-04-30

Applicant: Raytheon Company

Inventor： PILLANS, Brandon, W. ,  FOREHAND, David, I.

IPC: H01H59/00

CPC classification number: B81B3/0008 ,  B81B3/001 ,  B81B2201/014 ,  B81B2203/0118 ,  B81B2203/04 ,  H01H1/06 ,  H01H59/0009 ,  H01H2059/0018 ,  H01H2059/0072

Abstract: A micro-electro-mechanical (MEMS) switch (10, 110) has an electrode (22, 122) covered by a dielectric layer (23, 123), and has a flexible conductive membrane (31, 131) which moves between positions spaced from and engaging the dielectric layer. At least one of the membrane and dielectric layer has a textured surface (138) that engages the other thereof in the actuated position. The textured surface reduces the area of physical contact through which electric charge from the membrane can tunnel into and become trapped within the dielectric layer. This reduce the amount of trapped charge that could act to latch the membrane in its actuated position, which in turn effects a significant increase in the operational lifetime of the switch.

公开(公告)号：EP1465832A2

公开(公告)日：2004-10-13

申请号：EP03701741.5

申请日：2003-01-16

Applicant: MATSUSHITA ELECTRIC INDUSTRIAL CO., LTD.

Inventor： NAKANISHI, Yoshito ,  SHIMIZU, Yoshito ,  YABUKI, Hiroyuki

IPC: B81B3/00 ,  H01H1/00

CPC classification number: H01P1/127 ,  B81B3/0086 ,  B81B2201/014 ,  B81B2203/0118 ,  B81B2203/056 ,  B81B2203/058 ,  H01H59/0009 ,  H01H2001/0068 ,  H03H9/2457 ,  H03H2009/02496 ,  H03H2009/02511

Abstract: Resonators 4 and 5 are able to oscillate horizontally and vertically to substrate 1. Resonator 4 is primarily composed of a supporting portion in stationary contact with substrate 1, a movable portion including a contact surface making contact with resonator 5 and a contact surface making contact with electrode 7, and a crossing portion that couples the supporting portion and movable portion. Electrode 6 is disposed in the direction in which resonator 5 is spaced apart from resonator 4. Electrode 7 is disposed in the direction in which resonator 4 is spaced apart from resonator 5. Electrode 9 is disposed in a position that causes resonator 5 to generate electrostatic force in a direction different from the direction of both forces of attraction acting between resonators 4 and 5 and between resonator 5 and electrode 6.

公开(公告)号：EP1344746A2

公开(公告)日：2003-09-17

申请号：EP03251321.0

申请日：2003-03-05

Applicant: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.

Inventor： Lee, Eun-sung ,  Kim, Chung-woo ,  Song, In-sang ,  Kim, Jong-seok ,  Lee, Moon-chul

IPC: B81C1/00 ,  B81B3/00

CPC classification number: B81B3/0078 ,  B81B2201/014 ,  B81B2203/0118 ,  B81B2203/0307 ,  B81B2203/04 ,  B81C2201/0107 ,  B81C2201/014 ,  H01H59/0009

Abstract: A method for fabricating a MEMS device having a fixing part, driving part, electrode part, and contact parts on a substrate. A driving electrode is formed on the substrate, and then an insulation layer is formed thereon. The insulation layer is patterned, and the regions of the insulation layer in which the fixing part and the contact parts are formed are etched. A metal layer is formed on the substrate. The metal layer is planarized down to the insulation layer, and the driving electrode is formed. A sacrificial layer is formed on the substrate, and a groove-shaped space is formed in a region in which the fixing part is formed. A MEMS structure layer is formed on the sacrificial layer. Sidewalls are formed in the groove-shaped space, and the fixing part and driving part are formed, leaving the sacrificial layer underneath the fixing part.

Abstract translation: 一种用于制造在基板上具有固定部分，驱动部分，电极部分和接触部分的MEMS器件的方法。 在基板上形成驱动电极，然后在其上形成绝缘层。 对绝缘层进行图案化，并且蚀刻形成有固定部和接触部的绝缘层的区域。 在基板上形成金属层。 金属层被平坦化到绝缘层，并且形成驱动电极。 在基板上形成牺牲层，在形成固定部的区域形成有槽状的空间。 在牺牲层上形成MEMS结构层。 侧壁形成在槽形空间中，并且形成固定部分和驱动部分，在牺牲层之下留下固定部分。

公开(公告)号：EP1146533A1

公开(公告)日：2001-10-17

申请号：EP99959908.7

申请日：1999-12-20

Applicant: NEC Corporation

Inventor： SUZUKI, Kenichiro ,  MARUMOTO, Tsunehisa

IPC: H01H59/00 ,  B81B3/00 ,  B81C1/00

CPC classification number: H01H59/0009 ,  B81B2201/014 ,  B81B2201/016 ,  B81C1/0015 ,  B81C2201/0133 ,  H01H1/20

Abstract: A micro-machine switch in accordance with the present invention includes a supporter having a predetermined height relative to a surface of a substrate, a flexible cantilever projecting from the supporter in parallel with a surface of the substrate, and having a distal end facing a gap formed between two signal lines, a contact electrode formed on the cantilever, facing the gap, a lower electrode formed on the substrate in facing relation with a part of the cantilever, and an intermediate electrode formed on the cantilever in facing relation with the lower electrode. The micro-machine switch can operate at a lower drive voltage than a voltage at which a conventional micro-machine switch operates, and can enhance a resistance of an insulating film against a voltage.

Abstract translation: 根据本发明的微型机器开关包括：相对于基板的表面具有预定高度的支撑件，从支撑件平行于基板的表面突出的柔性悬臂，并且具有面向间隙的远端 形成在两个信号线之间，形成在悬臂上的接触电极，面对间隙;与基板的一部分悬臂形成在基板上的下电极，以及形成在悬臂上的中间电极，与下电极 。 微机开关可以在比常规微机开关操作的电压低的驱动电压下工作，并且可以增强绝缘膜对电压的电阻。

公开(公告)号：EP0710972A1

公开(公告)日：1996-05-08

申请号：EP95115649.6

申请日：1995-10-04

Applicant: SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT

Inventor： Schlaak, Helmut, Dr. ,  Schimkat, Joachim

IPC: H01H59/00

CPC classification number: B81B3/0072 ,  B81B2201/014 ,  H01H59/0009 ,  H01H2059/0081

Abstract: Das mikromechanische elektrostatische Relais besitzt einerseits ein Basissubstrat mit einer Basiselektrode und einem Basis-Kontaktstück, andererseits ein Ankersubstrat mit einer freigeätzten, vom Basissubstrat weg gekrümmten Anker-Federzunge (2) mit einer Ankerelektrode und einem Anker-Kontaktstück. Bei Anlegen einer Steuerspannung zwischen den beiden Elektroden rollt die Federzunge auf dem Basissubstrat ab und schließt damit den Kontakt. Die Krümmung der Federzunge im Ruhezustand wird durch eine Beschichtung mit einer Druckspannungsschicht erzeugt. Um dabei unerwünschte Querwölbungen der Federzunge zu vermeiden, ist die Druckspannungsschicht (41) in Längsrichtung der Federzunge durch Schlitze (21) in Streifen (22) unterteilt. Eine ganzflächig über die Streifen und Schlitze aufgebrachte Zugspannungsschicht (42) verstärkt den Kompensationseffekt.

Abstract translation: 手的微机械静电继电器，具有一个基极和一个基极接触片的基底基板，在另一方面，与电枢基板的蚀刻 - 自由的，弯曲的从（2）具有电枢电极和电枢接触片基底基板衔铁弹簧舌远离。 当在两个电极之间施加控制电压时，弹簧舌辊在基底基板上，由此关闭接触。 在静止状态下的弹簧舌片的曲率由具有压缩应力层涂覆制备。 为了避免弹簧舌的不希望的交叉曲率，在弹簧舌的纵向方向上的压缩应力层（41）由槽（21）被划分成条带（22）。 条和槽的整个表面上施加的拉伸应力层（42）增加了补偿效果。

公开(公告)号：TWI529120B

公开(公告)日：2016-04-11

申请号：TW099126309

申请日：2010-08-06

Applicant: 萬國商業機器公司 ,  INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION

Inventor： 安德森 菲利克斯P ,  ANDERSON, FELIX P. ,  麥迪維特 湯瑪士L ,  MCDEVITT, THOMAS L. ,  史坦普 安東尼K ,  STAMPER, ANTHONY K.

IPC: B81C1/00 ,  B81B7/00 ,  B81B3/00

CPC classification number: B81C1/0015 ,  B81B3/0018 ,  B81B2201/014 ,  B81C1/00333 ,  B81C2203/0136 ,  B81C2203/0145 ,  G06F17/5068 ,  H01L21/302

公开(公告)号：TWI232847B

公开(公告)日：2005-05-21

申请号：TW092132141

申请日：2003-11-17

Applicant: 萬國商業機器公司 INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION

Inventor： 約瑟夫T. 寇奇斯 JOSEPH T. KOCIS ,  詹姆斯 托尼洛 JAMES TORNELLO ,  凱文 派翠卡 KEVIN PETRARCA ,  理查 渥仁 RICHARD VOLANT ,  席夏卓 薩巴納 SESHADRI SUBBANNA

IPC: B81C ,  B81B

CPC classification number: B81C1/00666 ,  B81B2201/014 ,  B81C2201/0167 ,  H01F2007/068 ,  H01H50/005

Abstract: 一種製造一封裝微電機系統(MEMS)之方法及其之製造，包括形成一介電層，圖案化該介電層之上表面以形成一溝渠，在該溝渠內形成一釋放材料，圖案化該釋放材料之上表面以形成另一溝渠，形成包括該另外溝渠內的複數個側壁之一第一封裝層，形成該第一封裝層內的一核心層，及在該核心層上面形成一第二封裝層，其中該第二封裝層係連接該第一封裝層之該等側壁。
或者，本方法包括藉由光罩製程形成多層微電機系統結構以形成一第一金屬層、一包括一介電層及一第二金屬層之第二層、及第三金屬層。
該核心層及該等封裝層由具有互補電、機械及/或磁性質的材料製成。

Abstract in simplified Chinese: 一种制造一封装微电机系统(MEMS)之方法及其之制造，包括形成一介电层，图案化该介电层之上表面以形成一沟渠，在该沟渠内形成一释放材料，图案化该释放材料之上表面以形成另一沟渠，形成包括该另外沟渠内的复数个侧壁之一第一封装层，形成该第一封装层内的一内核层，及在该内核层上面形成一第二封装层，其中该第二封装层系连接该第一封装层之该等侧壁。 或者，本方法包括借由光罩制程形成多层微电机系统结构以形成一第一金属层、一包括一介电层及一第二金属层之第二层、及第三金属层。 该内核层及该等封装层由具有互补电、机械及/或磁性质的材料制成。

公开(公告)号：TW201332075A

公开(公告)日：2013-08-01

申请号：TW101145451

申请日：2012-12-04

Applicant: 英特爾公司 ,  INTEL CORPORATION

Inventor： 鄭榮宏 ,  TEH, WENG HONG ,  聖克曼 羅伯特B L ,  SANKMAN, ROBERT BOB L.

IPC: H01L23/52 ,  H01L21/768

CPC classification number: B81B3/0021 ,  B81B2201/014 ,  B81B2201/0235 ,  B81B2203/0118 ,  B81C1/0015 ,  G01P15/135 ,  H01H1/0036 ,  H01H1/0094 ,  H01L21/563 ,  H01L23/13 ,  H01L23/481 ,  H01L23/49816 ,  H01L24/02 ,  H01L24/05 ,  H01L24/16 ,  H01L24/17 ,  H01L24/32 ,  H01L24/92 ,  H01L25/0657 ,  H01L2223/6677 ,  H01L2224/02372 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05008 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16148 ,  H01L2224/17181 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/831 ,  H01L2224/92125 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: 一種在晶粒中形成矽通孔(TSV)的製程，包括，在TSV內形成可被致動或者可以是感測器的可動原件。TSV中之可動構件的運動可以導致邏輯文字從該TSV晶粒被傳送至一後續晶粒。TSV晶粒可以內嵌於基板中。TSV晶粒亦可連接至一後續晶粒。

Abstract in simplified Chinese: 一种在晶粒中形成硅通孔(TSV)的制程，包括，在TSV内形成可被致动或者可以是传感器的可动原件。TSV中之可动构件的运动可以导致逻辑文本从该TSV晶粒被发送至一后续晶粒。TSV晶粒可以内嵌于基板中。TSV晶粒亦可连接至一后续晶粒。

公开(公告)号：TWI341294B

公开(公告)日：2011-05-01

申请号：TW096149016

申请日：2007-12-20

Applicant: 亞德諾公司

Inventor： 歐里安 ,  葛吉恩 ,  穆伊娃 ,  哈爾尼

IPC: B81B ,  B81C ,  H01H

CPC classification number: B81B7/007 ,  B81B2201/014 ,  B81B2207/015 ,  B81B2207/017 ,  B81C1/0023 ,  B81C2203/032 ,  H01H59/0009 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 一種微機電設備有一微機電裝置夾置於一基座與一電路晶片之間。該微機電裝置之可動構件係安裝在向上與該電路晶片相對之側上。該可動構件可被安裝在該微機電裝置之一基板上或是直接形成在該電路晶片之一鈍化層上。該電路晶片透過接合引線、穿透該微機電裝置之通道或一位於該微機電裝置以外之傳導路徑譬如銲料球提供控制信號給該微機電裝置。

Abstract in simplified Chinese: 一种微机电设备有一微机电设备夹置于一基座与一电路芯片之间。该微机电设备之可动构件系安装在向上与该电路芯片相对之侧上。该可动构件可被安装在该微机电设备之一基板上或是直接形成在该电路芯片之一钝化层上。该电路芯片透过接合引线、穿透该微机电设备之信道或一位于该微机电设备以外之传导路径譬如焊料球提供控制信号给该微机电设备。

公开(公告)号：KR1020170026346A

公开(公告)日：2017-03-08

申请号：KR1020167033098

申请日：2014-06-27

Applicant: 인텔 코포레이션

Inventor： 무노즈,조지에이. ,  니코노브,드미트리이. ,  쿤,켈린제이. ,  테오파니스,패트릭 ,  파와쉐,치트라 ,  린,케빈 ,  김,세연

IPC: B81B7/02 ,  B81C1/00

CPC classification number: B82B1/005 ,  B81B3/0016 ,  B81B7/02 ,  B81B2201/014 ,  B81B2203/0118 ,  B82B1/002 ,  B82B3/0023 ,  B82Y15/00 ,  B82Y25/00 ,  B82Y40/00 ,  H01H1/0094 ,  H01H1/54 ,  H01H59/0009 ,  H01L29/66227 ,  H01L29/82 ,  H01L29/84 ,  Y10S977/732 ,  Y10S977/838 ,  Y10S977/888 ,  Y10S977/938 ,  B81C1/00015

Abstract: 동작전압들의개선된범위및 캔틸레버의치수들의개선된제어를위한나노자석들을갖는나노전기기계적(NEMS) 디바이스들이설명된다. 예를들어, 실시예에서, 나노전기기계적(NEMS) 디바이스는, 기판층, 기판층 위에배치되는제1 자기층, 제1 자기층 위에배치되는제1 유전체층, 제1 유전체층 위에배치되는제2 유전체, 및제2 유전체층 위에배치되는캔틸레버를포함한다. 캔틸레버는, 캔틸레버에전압이인가되는경우제1 위치로부터제2 위치로기판층을향해휘어진다.

Abstract translation: 描述了具有改进的工作电压范围的纳米磁体和改进的悬臂尺寸控制的纳米机电（NEMS）装置。 例如，在一个实施例中，纳米机电（NEMS）器件包括衬底层，设置在衬底层上方的第一磁性层，设置在第一磁性层上方的第一介电层，设置在第一介电层上方的第二电介质，以及 布置在第二介电层上方的悬臂。 当向悬臂施加电压时，悬臂从第一位置弯曲到第二位置朝向衬底层。