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    薄膜支撑梁的制作方法
    181.
    发明申请
    薄膜支撑梁的制作方法 审中-公开

    公开(公告)号：WO2015103910A1

    公开(公告)日：2015-07-16

    申请号：PCT/CN2014/093054

    申请日：2014-12-04

    Applicant: 无锡华润上华半导体有限公司

    Inventor： 荆二荣

    IPC: B81C1/00

    CPC classification number: B81C1/00142 ,  B81C2201/0108 ,  B81C2201/0109 ,  B81C2201/013

    Abstract: 一种薄膜支撑梁的制作方法，包括：提供具有相对设置的第一表面和第二表面的衬底；在衬底的第一表面涂覆牺牲层并图形化牺牲层；在牺牲层上淀积介质膜，形成介质膜层，并在介质膜层上淀积金属膜，形成金属膜层；图形化金属膜层，将金属膜层的图形化区域分为支撑梁部分的金属膜图形和非支撑梁部分的金属膜图形，此时支撑梁部分的金属膜图形的宽度大于最终的支撑梁图形的宽度，非支撑梁部分的金属膜图形的宽度等于最终的非支撑梁图形的宽度；在金属膜层和介质膜层上光刻和刻蚀出最终的支撑梁图形、最终的非支撑梁图形和最终介质膜层，此时最终介质膜层作为最终的支撑梁图形和最终的非支撑梁图形的支撑膜；及去除牺牲层。

    PROCESS OF FORMING AN AIR GAP IN A MICROELECTROMECHANICAL SYSTEM DEVICE USING A LINER MATERIAL
    182.
    发明申请
    PROCESS OF FORMING AN AIR GAP IN A MICROELECTROMECHANICAL SYSTEM DEVICE USING A LINER MATERIAL 审中-公开
    使用内衬材料在微电子系统装置中形成气隙的方法

    公开(公告)号：WO2012033645A1

    公开(公告)日：2012-03-15

    申请号：PCT/US2011/049178

    申请日：2011-08-25

    Applicant: QUALCOMM MEMS TECHNOLOGIES, INC. ,  MIGNARD, Marc, Maurice

    Inventor： MIGNARD, Marc, Maurice

    IPC: B81C1/00 ,  G02B26/06 ,  G02B26/08 ,  G02B26/00

    CPC classification number: G02B26/001 ,  B81B2201/047 ,  B81C1/00047 ,  B81C2201/0109 ,  B81C2201/019 ,  G02B26/0841 ,  Y10T428/24851

    Abstract: This disclosure provides systems, methods and apparatus for forming an air gap in an EMS device without using a sacrificial layer in the air gap. In some implementations, a support structure is formed on the substrate, and a sacrificial substrate is provided on the support structure. A liner material is deposited on the substrate, the support structure, and the sacrificial substrate, for instance, via an atomic layer deposition (ALD) process. The sacrificial substrate can be removed, and a top layer material can be deposited on the exposed areas of the support structure and the liner material. The liner material defines an air gap between the substrate and the top layer material.

    Abstract translation: 本公开提供了在EMS设备中形成气隙而不在气隙中使用牺牲层的系统，方法和装置。 在一些实施方案中，在衬底上形成支撑结构，并且在支撑结构上提供牺牲衬底。 衬垫材料例如经由原子层沉积（ALD）工艺沉积在衬底，支撑结构和牺牲衬底上。 可以去除牺牲衬底，并且顶层材料可以沉积在支撑结构和衬垫材料的暴露区域上。 衬垫材料限定了衬底和顶层材料之间的气隙。

    超音波トランスデューサ、その製造方法、および、それを用いた超音波探触子
    183.
    发明申请
    超音波トランスデューサ、その製造方法、および、それを用いた超音波探触子 审中-公开
    超声波传感器，其制造方法和使用该超声波探头的超声波探头

    公开(公告)号：WO2010100861A1

    公开(公告)日：2010-09-10

    申请号：PCT/JP2010/001200

    申请日：2010-02-23

    Applicant: 株式会社日立メディコ ,  町田俊太郎 ,  小林孝

    Inventor： 町田俊太郎 ,  小林孝

    IPC: H04R19/00 ,  H01L29/84 ,  H04R31/00

    CPC classification number: B06B1/0292 ,  B81C1/00158 ,  B81C1/00182 ,  B81C1/00214 ,  B81C1/00476 ,  B81C1/00531 ,  B81C1/00611 ,  B81C2201/0104 ,  B81C2201/0107 ,  B81C2201/0109 ,  C09K13/00 ,  C23F4/00 ,  H01L21/30604 ,  H01L29/84 ,  Y10T29/49156

    Abstract: 　容量検出型超音波トランスデューサ（ＣＭＵＴ）において、超音波トランスデューサの下部電極への電気接続を、下部電極の下面から行っても、空洞部の変形や、空洞部を囲む絶縁膜厚さの不均一性や、さらには、メンブレンの表面形状の平坦性の劣化も抑制できる技術を提供する。下部電極３０６と、下部電極の下面から下部電極へ接続する電気接続部３０４と、下部電極を覆うように形成された第１絶縁膜と、第１絶縁膜上に、上面から見て、下部電極と重なるように形成された空洞部３０８と、空洞部３０８を覆うように形成された第２絶縁膜と、第２絶縁膜上に、上面から見て、空洞部３０８と重なるように形成された上部電極３１０とを備えた超音波トランスデューサにおいて、下部電極３０６への電気接続部３０４が空洞部３０８と、上面から見て、重ならない配置とする。

    Abstract translation: 公开了一种电容微加工超声波换能器（CMUT）的技术，其抑制空腔中的变形，包围空腔的绝缘膜的厚度不均匀，以及膜的表面轮廓的平坦度的劣化，即使当 超声波换能器的底部电极从底部电极的底部电连接。 所述超声波换能器设置有：底部电极（306）; 电连接部（304），其从所述底部电极的底部连接到所述底部电极; 形成为覆盖底部电极的第一绝缘膜; 形成在第一绝缘膜上以便从上方观察时与底部电极重叠的空腔（308）; 形成为覆盖空腔（308）的第二绝缘膜; 以及当从上方观察时，形成在第二绝缘膜上以与空腔（308）重叠的顶部电极（310）。 当从上方观察时，到底部电极（306）的电连接部分（304）被定位成不与空腔（308）重叠。

    VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG VON MEMS-STRUKTUREN
    186.
    发明申请
    VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG VON MEMS-STRUKTUREN 审中-公开
    用于生产MEMS结构

    公开(公告)号：WO2008006641A1

    公开(公告)日：2008-01-17

    申请号：PCT/EP2007/054988

    申请日：2007-05-23

    Applicant: ROBERT BOSCH GMBH ,  SCHEURLE, Andreas

    Inventor： SCHEURLE, Andreas

    IPC: B81C1/00

    CPC classification number: B81C1/00714 ,  B81C2201/0109 ,  B81C2201/0177

    Abstract: Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung von MEMS-Strukturen mit mindestens einer Funktionsschicht aus Silizium, die Strukturen enthält, die durch Entfernen einer Opferschicht freigestellt werden, wobei mindestens eine Opferschicht und mindestens eine Funktionsschicht so abgeschieden werden, dass sie einkristallin aufwachsen, und die Opferschicht aus einer Silizium-Germanium-Mischschicht besteht.

    Abstract translation: 本发明涉及一种用于具有通过去除牺牲层分离含有硅结构中的至少一个功能层的制造MEMS结构，其中至少一个牺牲层和至少一个功能层被沉积以使它们生长单晶，以及牺牲层 由硅 - 锗混合层。

    SENSOR UND VERFAHREN ZU SEINER HERSTELLUNG
    187.
    发明申请
    SENSOR UND VERFAHREN ZU SEINER HERSTELLUNG 审中-公开
    传感器和方法用于生产

    公开(公告)号：WO2007147663A1

    公开(公告)日：2007-12-27

    申请号：PCT/EP2007/053932

    申请日：2007-04-23

    Applicant: ROBERT BOSCH GMBH ,  BENZEL, Hubert ,  ARMBRUSTER, Simon ,  SCHELLING, Christoph ,  HOECHST, Arnim ,  FEYH, Ando

    Inventor： BENZEL, Hubert ,  ARMBRUSTER, Simon ,  SCHELLING, Christoph ,  HOECHST, Arnim ,  FEYH, Ando

    IPC: B81B3/00 ,  G01J5/10 ,  G01K7/01

    CPC classification number: B81B3/0081 ,  B81B2201/0278 ,  B81B2203/0109 ,  B81B2207/015 ,  B81C2201/0109 ,  G01J5/06 ,  G01J5/20

    Abstract: Die Erfindung betrifft einen Sensor, insbesondere zur ortsaufgelösten Detektion, der aufweist ein Substrat (1), mindestens ein mikrostrukturiertes Sensorelement (52) mit einer ihren Wert temperaturabhängig ändernden elektrischen Eigenschaft, und mindestens einer Membran (36.1) oberhalb einer Kaverne (26, 74, 94), wobei das Sensorelement (52) an der Unterseite der mindestens einen Membran (36.1) angeordnet ist, und wobei das Sensorelement (52) über Zuleitungen (60, 62; 98-1, 98-2, 100-1, 100-2) kontaktiert sind, die in, auf oder unter der Membran (36.1) verlaufen. Es können insbesondere mehrere Sensorelemente (52) als Diodenpixel in einer monokristallinen, durch Epitaxie ausgebildeten Schicht ausgebildet sein. In der Membran (36.1) können Aufhängefedern (70) ausgebildet sein, die die einzelnen Sensorelemente (52) elastisch und isolierend aufnehmen.

    Abstract translation: 本发明涉及一种传感器，特别是用于空间分辨的检测，其包括衬底（1），至少具有一个其值的微结构化的传感器元件（52）依赖于温度变化的电特性，和至少一个膜片（36.1）的空腔（26，74的上方， 94），其中所述传感器元件（52）布置在所述至少一个膜（36.1）的下侧上，并且其中，经由电源线传感器元件（52）（60，62; 98-1，98-2，100-1，100- 由2接触），其运行在上或隔膜（36.1）下。 它可以是，可以形成特别是多个传感器元件（52），如在通过外延生长层形成的单晶二极管像素。 在膜（36.1）可以被接收的单独的传感器元件（52）（70）弹性地和绝缘形成悬挂弹簧。

    METHODS FOR PRODUCING MEMS WITH PROTECTIVE COATINGS USING MULTI-COMPONENT SACRIFICIAL LAYERS
    188.
    发明申请
    METHODS FOR PRODUCING MEMS WITH PROTECTIVE COATINGS USING MULTI-COMPONENT SACRIFICIAL LAYERS 审中-公开
    使用多组分复合层生产具有保护涂层的MEMS的方法

    公开(公告)号：WO2007106271A1

    公开(公告)日：2007-09-20

    申请号：PCT/US2007/003591

    申请日：2007-02-09

    Applicant: QUALCOMM INCORPORATED ,  TUNG, Ming-Hau ,  KOGUT, Lior

    Inventor： TUNG, Ming-Hau ,  KOGUT, Lior

    IPC: B81C1/00

    CPC classification number: B81C1/00801 ,  B81B3/001 ,  B81B3/0072 ,  B81B2201/042 ,  B81C2201/0109 ,  B81C2201/017 ,  B81C2201/112 ,  B81C2201/115 ,  G02B26/001 ,  Y10T428/30 ,  Y10T428/31678 ,  Y10T428/31935

    Abstract: Methods of forming a protective coating on one or more surfaces of a microelectromechanical device are disclosed comprising the steps of forming a composite layer of a sacrificial material and a protective material, and selectively etching the sacrificial material to form a protective coating. The protective coatings of the invention preferably improve one or more aspects of the performance of the microelectromechanical devices in which they axe incorporated. Also disclosed are microelectromechanical devices formed by methods of the invention, and visual display devices incorporating such devices.

    Abstract translation: 公开了在微机电装置的一个或多个表面上形成保护涂层的方法，其包括以下步骤：形成牺牲材料和保护材料的复合层，并选择性地蚀刻牺牲材料以形成保护涂层。 本发明的保护涂层优选地改进其中所包含的微机电装置的性能的一个或多个方面。 还公开了通过本发明的方法形成的微机电装置以及包括这种装置的视觉显示装置。

    A METHOD OF MANUFACTURING A MEMS ELEMENT
    189.
    发明申请
    A METHOD OF MANUFACTURING A MEMS ELEMENT 审中-公开
    制造MEMS元件的方法

    公开(公告)号：WO2007004119A2

    公开(公告)日：2007-01-11

    申请号：PCT/IB2006/052109

    申请日：2006-06-27

    Applicant: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V. ,  PHILIPS INTELLECTUAL PROPERTY & STANDARDS GMBH ,  DEKKER, Ronald ,  LANGEREIS, Geert ,  POHLMANN, Hauke ,  DUEMLING, Martin

    Inventor： DEKKER, Ronald ,  LANGEREIS, Geert ,  POHLMANN, Hauke ,  DUEMLING, Martin

    CPC classification number: B81C1/00182 ,  B81B2203/0118 ,  B81B2203/0315 ,  B81C1/00047 ,  B81C2201/0109

    Abstract: The device (100) comprises a substrate (10) of a semiconductor material with a first and an opposite second surface (1,2) and a microelectromechanical (MEMS) element (50) which is provided with a fixed and a movable electrode (52, 51) that is present in a cavity (30). One of the electrodes (51,52) is defined in the substrate (10). The movable electrode (51) is movable towards and from the fixed electrode (52) between a first gapped position and a second position. The cavity (30) is opened through holes (18) in the substrate (10) that are exposed on the second surface (2) of the substrate (10). The cavity (30) has a height that is defined by at least one post (15) in the substrate (10), which laterally substantially surrounds the cavity (15).

    Abstract translation: 装置（100）包括具有第一和相对的第二表面（1,2）和微机电（MEMS）元件（50）的半导体材料的衬底（10），该微机电（MEMS）元件设置有固定和可移动电极 ，51），其存在于空腔（30）中。 电极（51,52）中的一个限定在基板（10）中。 可移动电极（51）可以在第一间隙位置和第二位置之间朝向固定电极（52）移动。 空腔（30）通过暴露在基板（10）的第二表面（2）上的基板（10）中的通孔（18）。 腔（30）具有由衬底（10）中的至少一个柱（15）限定的高度，其横向基本上围绕空腔（15）。

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