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公开(公告)号：CN102530826A
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN201110433760.8
申请日：2011-09-29
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
Inventor： F-P·卡尔茨
CPC classification number: B81C1/00801 , B23K2103/50 , B81C2201/0142 , B81C2201/0143
Abstract: 本发明涉及组件(100)，具有衬底(90)、涂层(10)，其中，涂层(10)至少部分覆盖衬底(90)以及其中涂层(10)被构造用于至少部分地借助激光烧蚀被剥蚀，其中，在衬底(90)与涂层(10)之间至少部分地构造激光探测层(20)，以产生结束激光烧蚀的探测信号(54)。
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公开(公告)号：CN105174203A
公开(公告)日：2015-12-23
申请号：CN201410231976.X
申请日：2014-05-28
Applicant: 无锡华润上华半导体有限公司
IPC: B81C1/00
CPC classification number: B81C1/00619 , B81C1/00 , B81C2201/0133 , B81C2201/0142
Abstract: 一种基于MEMS的传感器的制作方法，通过在正面形成浅槽时就同时形成支撑质量块的支撑梁，由于刻蚀浅槽相较于刻蚀深槽更容易控制、工艺精准度更高，使得形成的支撑梁相较于传统的在背面形成深槽时形成的支撑梁一致性和均匀性更好，同时也节约了工艺时间和刻蚀原料。
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公开(公告)号：CN1644483A
公开(公告)日：2005-07-27
申请号：CN200410103758.4
申请日：2004-10-29
Applicant: 索尼株式会社
Inventor： 村本准一
IPC: B81C1/00 , H01L21/308
CPC classification number: B81C1/00047 , B81C1/00476 , B81C2201/0142 , B81C2201/117 , H01L21/3065 , H01L21/31116
Abstract: 本发明旨在提供一种蚀刻方法，其允许从微细蚀刻孔中以足够的速率蚀刻并除去牺牲层，由此可形成具有大中空部分或复杂构造的空间部分的结构，以及具有高纵横比且具有优异形状准确性、并不使表面状态变差的结构。在蚀刻方法中，使工件暴露于含有蚀刻反应物的处理流体中，且处理流体保持在其相对于工件流动的状态。这种状态下，在工件表面上，照射光间歇地照射以间歇地加热工件。由此，工件附近的处理流体被间歇地加热，从而膨胀或收缩以蚀刻。作为处理流体，可优选使用含有蚀刻反应物的物质和处于超临界状态的物质。
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公开(公告)号：CN1863436B
公开(公告)日：2010-11-10
申请号：CN200610064816.6
申请日：2006-03-14
Applicant: 欧姆龙株式会社
CPC classification number: H05K7/06 , B81B2207/097 , B81C1/00301 , B81C1/00571 , B81C2201/0133 , B81C2201/0142 , B81C2203/0109 , B81C2203/036 , H01L2924/16235 , Y10T29/49126 , Y10T29/4913 , Y10T29/49156
Abstract: 配线基板的制造方法、光掩模、配线基板、电路元件、通信装置和计量装置。实现一种能够可靠地将至少包括配线的一部分的表面区域的上方空间密闭的配线基板的制造方法。该方法具有：在玻璃基板(11a)上形成配线用的金属薄膜的第1步骤；使用形成有配线用图形的光掩模(20)，在金属薄膜上生成抗蚀剂图形的第2步骤；把抗蚀剂图形作为掩模，通过湿法刻蚀选择性地去除金属薄膜，形成配线的第3步骤。当把通过烧结玻璃(13)接合的配线的部位作为接合部位时，光掩模(20)的配线用图形的侧边(La/Lb/Lc/Ld)在与接合部位对应的区域弯曲。
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公开(公告)号：CN101808933A
公开(公告)日：2010-08-18
申请号：CN200780100824.4
申请日：2007-09-28
Applicant: 高通MEMS科技公司
IPC: B81C1/00
CPC classification number: B81C1/00476 , B81B2201/042 , B81C2201/0109 , B81C2201/0132 , B81C2201/0142
Abstract: 本发明提供包括牺牲结构的MEMS，所述牺牲结构包括较快蚀刻部分及较慢蚀刻部分，当通过蚀刻掉所述牺牲结构而在所述MEMS中形成腔时，所述MEMS展现对结构特征降低的损害。差异蚀刻速率以机械方式使结构层去耦，因此降低蚀刻工艺期间装置中的应力。本发明还提供方法及系统。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1459653A
公开(公告)日：2003-12-03
申请号：CN03110142.9
申请日：2003-04-11
Applicant: 日本电气株式会社
IPC: G02F1/1335 , G02B3/00 , G03F7/26
CPC classification number: G02B3/0056 , B81B2207/056 , B81C1/00031 , B81C2201/0133 , B81C2201/0142 , C03C15/00 , C03C17/34 , C03C2204/08 , C03C2218/34 , G02B3/0012 , G02F1/133526 , Y10T428/131 , Y10T428/249969 , Y10T428/315
Abstract: 在用于在含有蚀刻控制成分的加工件中形成精细结构的制造方法中，使用各向同性刻蚀工艺，将具有孔口(36)的掩模加到加工件(30)上，且用蚀刻溶液蚀刻加工件，从而在加工件的表面内形成相应于孔口形状的凹槽(40)。由于在各向同性刻蚀工艺期间蚀刻控制成分从凹槽内的蚀刻溶液(38)中的加工件中洗提出来，所述加工件的蚀刻停止。
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公开(公告)号：CN105174203B
公开(公告)日：2016-09-28
申请号：CN201410231976.X
申请日：2014-05-28
Applicant: 无锡华润上华半导体有限公司
IPC: B81C1/00
CPC classification number: B81C1/00619 , B81C1/00 , B81C2201/0133 , B81C2201/0142
Abstract: 一种基于MEMS的传感器的制作方法，通过在正面形成浅槽时就同时形成支撑质量块的支撑梁，由于刻蚀浅槽相较于刻蚀深槽更容易控制、工艺精准度更高，使得形成的支撑梁相较于传统的在背面形成深槽时形成的支撑梁一致性和均匀性更好，同时也节约了工艺时间和刻蚀原料。
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公开(公告)号：CN101808933B
公开(公告)日：2013-05-01
申请号：CN200780100824.4
申请日：2007-09-28
Applicant: 高通MEMS科技公司
IPC: B81C1/00
CPC classification number: B81C1/00476 , B81B2201/042 , B81C2201/0109 , B81C2201/0132 , B81C2201/0142
Abstract: 本发明提供包括牺牲结构的MEMS，所述牺牲结构包括较快蚀刻部分及较慢蚀刻部分，当通过蚀刻掉所述牺牲结构而在所述MEMS中形成腔时，所述MEMS展现对结构特征降低的损害。差异蚀刻速率以机械方式使结构层去耦，因此降低蚀刻工艺期间装置中的应力。本发明还提供方法及系统。
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公开(公告)号：CN1331729C
公开(公告)日：2007-08-15
申请号：CN200410103758.4
申请日：2004-10-29
Applicant: 索尼株式会社
Inventor： 村本准一
IPC: B81C1/00 , H01L21/308
CPC classification number: B81C1/00047 , B81C1/00476 , B81C2201/0142 , B81C2201/117 , H01L21/3065 , H01L21/31116
Abstract: 本发明旨在提供一种蚀刻方法，其允许从微细蚀刻孔中以足够的速率蚀刻并除去牺牲层，由此可形成具有大中空部分或复杂构造的空间部分的结构，以及具有高纵横比且具有优异形状准确性、并不使表面状态变差的结构。在蚀刻方法中，使工件暴露于含有蚀刻反应物的处理流体中，且处理流体保持在其相对于工件流动的状态。这种状态下，在工件表面上，照射光间歇地照射以间歇地加热工件。由此，工件附近的处理流体被间歇地加热，从而膨胀或收缩以蚀刻。作为处理流体，可优选使用含有蚀刻反应物的物质和处于超临界状态的物质。
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公开(公告)号：CN1863436A
公开(公告)日：2006-11-15
申请号：CN200610064816.6
申请日：2006-03-14
Applicant: 欧姆龙株式会社
CPC classification number: H05K7/06 , B81B2207/097 , B81C1/00301 , B81C1/00571 , B81C2201/0133 , B81C2201/0142 , B81C2203/0109 , B81C2203/036 , H01L2924/16235 , Y10T29/49126 , Y10T29/4913 , Y10T29/49156
Abstract: 配线基板的制造方法、光掩模、配线基板、电路元件、通信装置和计量装置。实现一种能够可靠地将至少包括配线的一部分的表面区域的上方空间密闭的配线基板的制造方法。该方法具有：在玻璃基板(11a)上形成配线用的金属薄膜的第1步骤；使用形成有配线用图形的光掩模(20)，在金属薄膜上生成抗蚀剂图形的第2步骤；把抗蚀剂图形作为掩模，通过湿法刻蚀选择性地去除金属薄膜，形成配线的第3步骤。当把通过烧结玻璃(13)接合的配线的部位作为接合部位时，光掩模(20)的配线用图形的侧边(La/Lb/Lc/Ld)在与接合部位对应的区域弯曲。
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