公开(公告)号：TWI621169B

公开(公告)日：2018-04-11

申请号：TW104135563

申请日：2015-10-29

Applicant: 伊凡聖斯股份有限公司 ,  INVENSENSE, INC.

Inventor： 劉 方 ,  LIU, FANG ,  林 馬汀 ,  LIM, MARTIN ,  信 二世 中 ,  SHIN II, JONG ,  信 裘沃 ,  SHIN, JONGWOO

IPC: H01L21/306 ,  H01L21/321

CPC classification number: B81B3/001 ,  B81B2201/0235 ,  B81B2201/0242 ,  B81C2201/115 ,  B81C2203/0792

公开(公告)号：TW201728525A

公开(公告)日：2017-08-16

申请号：TW105139156

申请日：2016-11-28

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING COMPANY LTD.

Inventor： 謝元智 ,  HSIEH, YUAN-CHIH ,  曾李全 ,  TSENG, LEE-CHUAN ,  林宏樺 ,  LIN, HUNG-HUA

IPC: B81B7/00 ,  B81C1/00

CPC classification number: B81B3/0005 ,  B81B2207/012 ,  B81B2207/09 ,  B81C1/00238 ,  B81C1/00984 ,  B81C2201/115 ,  B81C2203/0118 ,  B81C2203/0792

Abstract: 本揭露提供一種用於製造一CMOS-MEMS結構之方法。該方法包含：在一帽蓋基板之一第一表面上蝕刻一腔；將該帽蓋基板之該第一表面與一感測基板接合；薄化該感測基板之一第二表面，該第二表面與接合至該帽蓋基板的該感測基板之一第三表面對置；蝕刻該感測基板之該第二表面；圖案化該感測基板之該第二表面之一部分以形成複數個接合區域；在該複數個接合區域上沈積一共晶金屬層；蝕刻在該腔下方的該感測基板之一部分以形成一可移動元件；及透過該共晶金屬層將該感測基板接合至一CMOS基板。

Abstract in simplified Chinese: 本揭露提供一种用于制造一CMOS-MEMS结构之方法。该方法包含：在一帽盖基板之一第一表面上蚀刻一腔；将该帽盖基板之该第一表面与一传感基板接合；薄化该传感基板之一第二表面，该第二表面与接合至该帽盖基板的该传感基板之一第三表面对置；蚀刻该传感基板之该第二表面；图案化该传感基板之该第二表面之一部分以形成复数个接合区域；在该复数个接合区域上沉积一共晶金属层；蚀刻在该腔下方的该传感基板之一部分以形成一可移动组件；及透过该共晶金属层将该传感基板接合至一CMOS基板。

公开(公告)号：TW201701347A

公开(公告)日：2017-01-01

申请号：TW104135563

申请日：2015-10-29

Applicant: 伊凡聖斯股份有限公司 ,  INVENSENSE, INC.

Inventor： 劉 方 ,  LIU, FANG ,  林 馬汀 ,  LIM, MARTIN ,  信 二世 中 ,  SHIN II, JONG ,  信 裘沃 ,  SHIN, JONGWOO

IPC: H01L21/306 ,  H01L21/321

CPC classification number: B81B3/001 ,  B81B2201/0235 ,  B81B2201/0242 ,  B81C2201/115 ,  B81C2203/0792

Abstract: 各種實施例提供用於粗糙化MEMS裝置的表面或CMOS表面的表面方法。第一材料在由第二材料作成的表面上沉積形成薄層。加熱後，該第一和第二材料可以部分熔化和相互擴散，形成合金。然後，移除該第一材料，並且該合金同時被移除。由於該第一和第二材料的相互擴散，因此，該第二材料被留下的該表面已經被粗糙化。

Abstract in simplified Chinese: 各种实施例提供用于粗糙化MEMS设备的表面或CMOS表面的表面方法。第一材料在由第二材料作成的表面上沉积形成薄层。加热后，该第一和第二材料可以部分熔化和相互扩散，形成合金。然后，移除该第一材料，并且该合金同时被移除。由于该第一和第二材料的相互扩散，因此，该第二材料被留下的该表面已经被粗糙化。