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公开(公告)号：CN107539941B
公开(公告)日：2019-08-13
申请号：CN201611259550.0
申请日：2016-12-30
Applicant: 意法半导体股份有限公司
CPC classification number: B81C1/00269 , B81B3/0097 , B81B2201/0242 , B81B2201/0264 , B81B2201/042 , B81B2203/0315 , B81C3/001 , B81C2201/019 , B81C2203/0118 , B81C2203/019 , B81C2203/037
Abstract: 本公开的实施例涉及一种微机电器件，其具有半导体材料的第一衬底和半导体材料的第二衬底，第二衬底具有由与其一体的凸出部分界定的接合凹部。接合凹部与第一衬底形成封闭腔室。接合结构布置在封闭腔室内并且接合到第一和第二衬底。在第一和第二衬底之间选择的衬底中形成微机电结构。该器件通过以下步骤形成：在第一晶片中形成接合凹部；在所述接合凹部中沉积接合质量体，所述接合质量体具有比所述接合凹部更大的深度；以及接合两个晶片。
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公开(公告)号：CN108871306A
公开(公告)日：2018-11-23
申请号：CN201810367516.8
申请日：2018-04-23
Applicant: 精工爱普生株式会社
IPC: G01C19/5719 , G01C19/5733 , G01C19/5769
CPC classification number: G01C19/5733 , B60W10/184 , B60W10/22 , B60W30/02 , B60W2420/10 , B81B3/0051 , B81B3/0078 , B81B2201/0242 , G01C19/574 , G01C19/5769 , G01P3/22 , G01C19/5719
Abstract: 本发明涉及物理量传感器及其制造方法和设备、电子设备以及移动体。物理量传感器具有驱动部和将上述驱动部支承成能够在第一方向上位移的驱动弹簧部，上述驱动弹簧部形成为蛇行形状，具有在与上述第一方向交叉的第二方向上延伸的多个梁部，上述多个梁部中至少一个梁部具有相对于上述驱动弹簧部的其他部分而言第三方向的厚度薄的薄壁部，该第三方向与上述第一方向以及上述第二方向交叉。
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公开(公告)号：CN108449949A
公开(公告)日：2018-08-24
申请号：CN201680067919.X
申请日：2016-11-09
Applicant: 罗伯特·博世有限公司
IPC: G01C19/5712 , G01C19/5747
CPC classification number: G01C19/5747 , B81B2201/0242 , G01C19/5712
Abstract: 本发明提供了微机械的转速传感器（100），所述微机械的转速传感器具有：第一科里奥利元件（110）；第一驱动臂（113），所述第一驱动臂沿着第一科里奥利元件（110）布置并且通过第一弹簧（114）耦合到第一科里奥利元件（110）上；以及第一驱动电极载体（136、137），所述驱动电极载体从第一驱动臂（113）朝相对于第一科里奥利元件（120）相反的方向延伸并且承载多个平行于第一驱动臂（113）延伸的第一驱动电极（138、139）。从另一视角，提供了用于运行这样的微机械的转速传感器（100）的方法。
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公开(公告)号：CN104111067B
公开(公告)日：2018-04-20
申请号：CN201410156081.4
申请日：2014-04-17
Applicant: 精工爱普生株式会社
Inventor： 松川典仁
IPC: G01C19/56
CPC classification number: B81B7/0064 , B81B2201/0235 , B81B2201/0242 , B81C1/00253 , G01C19/56 , G01C19/5769 , G01P15/00 , G01P15/09 , G01P15/097
Abstract: 本发明涉及一种电子装置、集成电路、电子设备及移动体，其课题在于，提供一种即使在用户使用的模式下也能够有效地利用测试用途的外部端子的电子装置、集成电路、以及使用了该电子装置的电子设备和移动体、使用了该集成电路的电子设备和移动体。电子装置（1）包括：振动元件（20），其对预定的物理量进行检测；集成电路（10），其与振动元件20电连接；陶瓷封装件（30）。在陶瓷封装件（30）中设置有第一外部端子和被供给恒定电位的第二外部端子，第一外部端子在第一模式中与第二外部端子电连接，而在第二模式中与集成电路（10）的内部节点电连接。
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公开(公告)号：CN107709227A
公开(公告)日：2018-02-16
申请号：CN201680035714.3
申请日：2016-04-20
Applicant: 加泰罗尼亚理工大学 , D·费尔南德兹·马汀内兹
Inventor： P·J·米哈利克 , D·费尔南德兹·马汀内兹 , J·马德雷纳斯·波阿达斯
IPC: B81C1/00
CPC classification number: B81C1/00682 , B81B3/0021 , B81B3/0094 , B81B7/0006 , B81B2201/0235 , B81B2201/0242 , B81B2203/0163 , B81C1/00142 , B81C1/00301
Abstract: 一种集成电路及其制造方法，包括：基板(10)；有源装置(11)；多个金属层(17)，其中所述金属层通过介电层(13)分隔开并且通过多个通孔(19)彼此连接；至少一个微机械区域(15)，其中去除一些介电层留下空腔(23)，从而一些所述金属层和通孔层在所述微机械区域中形成微机械装置，其中所述微机械装置包括由多个金属层构成的至少一个多层结构(165)以及至少一个通孔层以及所述多层结构的特征在于，所述多层结构的至少两个金属层通过至少一个修改的通孔(41)连接。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107667069A
公开(公告)日：2018-02-06
申请号：CN201580080280.4
申请日：2015-06-26
Applicant: 英特尔公司
CPC classification number: B81C1/00246 , B81B3/0021 , B81B7/02 , B81B2201/0235 , B81B2201/0242 , G01L1/18 , G01L1/2293
Abstract: 公开了用于在IV族衬底(例如，硅、硅锗或锗衬底)上形成III族材料-氮化物(III-N)微机电系统(MEMS)结构的技术。在一些情况下，该技术包括在衬底上、以及任选地在浅沟槽隔离(STI)材料上形成III-N层，然后通过蚀刻来释放III-N层以形成悬置于衬底上方的III-N层的自由部分。该技术可以包括例如使用湿法蚀刻工艺，其选择性地蚀刻衬底和/或STI材料，但不蚀刻III-N材料(或者以显著地较慢的速率蚀刻III-N材料)。可以在III-N层上形成压阻元件，例如，以检测III-N层的自由/悬置部分中的振动或挠曲。因此，可以使用该技术来形成MEMS传感器，例如，加速度计、陀螺仪和压力传感器。
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公开(公告)号：CN107055458A
公开(公告)日：2017-08-18
申请号：CN201611233685.X
申请日：2016-12-28
Applicant: 罗伯特·博世有限公司
CPC classification number: B81B7/0038 , B81B7/02 , B81B2201/0235 , B81B2201/0242 , B81C1/00285 , B81C2203/0163 , B81B2201/0228 , B81C1/00015
Abstract: 用于微机械构件(100)的吸气装置(30)，所述吸气装置具有：‑金属吸气结构，该金属吸气结构在所述微机械构件(100)的空腔中布置；‑其中，所述吸气结构能够借助于限定的电流加热，其中，所述吸气结构的材料能够被限定地蒸发。
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公开(公告)号：CN107032295A
公开(公告)日：2017-08-11
申请号：CN201611113123.1
申请日：2016-12-07
Applicant: 罗伯特·博世有限公司
CPC classification number: B81B7/0051 , B81B7/02 , B81B2201/0235 , B81B2201/0242 , B81C1/00325 , B81C2201/0167 , B81C2203/0145 , B81C1/00293 , B81B7/0041 , B81B2201/0292
Abstract: 本发明提出用于制造微机械结构元件的方法，微机械结构元件具有基底和与基底连接并与基底包围一第一空腔的盖，其中，在第一空腔中，第一压力占主导并且包括具有第一化学成分的第一气体混合物，其中，在第一方法步骤中，在基底中或者在盖中构造使第一空腔与微机械结构元件的周围环境连接的进口孔，其中，在第二方法步骤中，调节第一空腔中的第一压力和/或第一化学成分，其中，在第三方法步骤中，通过借助于激光将能量或热导入到基底或盖的吸收部分中来封闭进口孔，其中，在第四方法步骤中，在基底的或盖的表面上在进口孔的区域中沉积或生长一个层，用于产生第二机械应力，所述第二机械应力反作用于在进口孔被封闭的情况下产生的第一机械应力。
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公开(公告)号：CN107010591A
公开(公告)日：2017-08-04
申请号：CN201610848544.2
申请日：2016-09-26
Applicant: 精材科技股份有限公司
CPC classification number: H01L27/146 , B81B7/02 , B81B2201/0235 , B81B2201/0242 , B81C1/00238 , B81C2203/0792 , B81B7/0041 , B81C1/00293
Abstract: 一种电子装置及其制造方法，该电子装置包含影像感测器与微机电装置。影像感测器具有装置层。微机电装置位于影像感测器上。微机电装置包含微机电元件、盖体元件与覆盖层。微机电元件位于装置层上，使得第一空腔形成于微机电元件与影像感测器之间。微机电元件具有多个镂空区。盖体元件位于微机电元件背对装置层的表面上，使得第二空腔形成于盖体元件与微机电元件之间。盖体元件具有连通第二空腔的开口。第一空腔与第二空腔通过镂空区连通。覆盖层位于盖体元件背对微机电元件的表面上与盖体元件的开口中。本发明能够提升电子装置的效能。
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公开(公告)号：CN106976838A
公开(公告)日：2017-07-25
申请号：CN201610817614.8
申请日：2016-09-12
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: B81C1/00
CPC classification number: B81C1/00285 , B81B7/0038 , B81B2201/0235 , B81B2201/0242 , B81B2207/012 , B81B2207/07 , B81C2203/0118 , B81C2203/0792 , B81C1/00309
Abstract: 本揭露是关于一种制造微机电系统封装的方法，通过将排气元件引入空腔中，透过排气以调整空腔内的压力。于部分实施例中，形成排气元件于互补式金属氧化物半导体基板的钝化层内。形成排气阻层以覆盖排气元件。移除覆盖在排气元件上方的排气阻层。连接微机电系统基板至互补式金属氧化物半导体基板的前侧，以将第一微机电系统元件封闭至第一空腔中，并将第二微机电系统元件封闭至第二空腔中，其中在移除排气阻层后，排气元件释放气体至第二空腔内以增加第二空腔内的第二压力，使第二压力大于第一空腔内的第一压力。
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