公开(公告)号：JP2004529845A

公开(公告)日：2004-09-30

申请号：JP2002593279

申请日：2002-05-24

Applicant: ウェデコ ゲゼルシャフト ヒュア ウムベルトテクノロジー エムビーエイチ

Inventor： アーネスト マーティン ビリング， ,  ラルフ フィエケンズ， ,  ウエ ホッファー，

IPC: C01B13/11 ,  H01T19/00

CPC classification number: C01B13/11 ,  C01B2201/14 ,  C01B2201/60

Abstract: 本発明は、酸素を含有する気体からオゾンを発生させるための方法に関する。 オゾンは、少なくとも２つのギャップを備える装置において、無声放電によって発生する。 これらのギャップを気体が横切り、これらのギャップの各々は、電極と誘電材料との間に形成され、この誘電材料は、各ギャップをさらなる電極から隔離する。 本発明によれば、少なくとも１つのギャップの気体の体積流動の制限が制御される。 酸素を含有する気体からオゾンを発生させるためのデバイスもまた提供される。

公开(公告)号：TW200427624A

公开(公告)日：2004-12-16

申请号：TW092136968

申请日：2003-12-26

Applicant: 住友精密工業股份有限公司 SUMITOMO PRECISION PRODUCTS CO., LTD.

Inventor： 德竹滋和 TOKUTAKE, SHIGEKAZU ,  竹村理 TAKEMURA, OSAMU ,  山元隆之 YAMAMOTO, TAKAYUKI

IPC: C01B

CPC classification number: C01B13/11 ,  C01B2201/60 ,  C01B2201/64

Abstract: 對放電式之臭氧化發生器供給高純度氧氣令臭氧發生時可防止添加氮氣所述造成的弊害並且可防止臭氧濃度的降低。由氧氣源對臭氧化發生器供給高純度氧氣時，對此高純度氧氣複合添加氧化碳氣體(CxOy氣)及氮氣。可令氮氣添加量不會發生弊害地抑制於0.01％以下，加上可令氧化碳氣體(CxOy氣)之添加量以經濟性佳且抑制於1.0％以下。氧化碳氣體(CxOy氣)代表性為二氧化碳氣體或一氧化碳氣體或彼等的混合氣體。

Abstract in simplified Chinese: 对放电式之臭氧化发生器供给高纯度氧气令臭氧发生时可防止添加氮气所述造成的弊害并且可防止臭氧浓度的降低。由氧气源对臭氧化发生器供给高纯度氧气时，对此高纯度氧气复合添加氧化碳气体(CxOy气)及氮气。可令氮气添加量不会发生弊害地抑制于0.01％以下，加上可令氧化碳气体(CxOy气)之添加量以经济性佳且抑制于1.0％以下。氧化碳气体(CxOy气)代表性为二氧化碳气体或一氧化碳气体或彼等的混合气体。

公开(公告)号：TW350832B

公开(公告)日：1999-01-21

申请号：TW084108787

申请日：1995-08-23

Applicant: 東芝股份有限公司

Inventor： 中野裕

IPC: C01B

CPC classification number: C23C16/448 ,  C01B13/10 ,  C01B13/11 ,  C01B2201/60 ,  C23C8/12 ,  C23C16/402 ,  C23C16/4402

Abstract: 臭氧發生器(10)在施加高電壓下提供進給氣至臭氧發生槽(11)且當臭氧氣於前述臭氧發生槽(11)內被產出時，遂經臭氧氣輸送路徑(包含管(14)及(15))傳送此臭氧氣，其特徵在於臭氧氣輸送路徑係提供有用以去除NOx，HF及 SOx三者中至少一種之裝置(於圖式中，該裝置係供去除 NOx)且自臭氧發生槽(11)流出的臭氧氣係流經該去除裝置，藉此於該臭氧氣中之NOx，HF及SOx三者中至少一種在其被傳送至次一階段之前便被去除。臭氧製品全然未被Cr化合物所污染或未被充分的污染而不致在製造高度整合的半導體裝置時引起任何實際的問題。
另一可供選擇之臭氧發生器(10)包含具有用以供給進給氣之入口(8)，高電壓施壓裝置(35)及用以釋放所產生臭氧之出口(29)之臭氧發生槽(11)，及供傳送所產生臭氧之臭氧傳送路徑(30)及(31)，其特徵在於增補有10~20體積%二氧化碳及/ 或一氧化碳(2)之氧(1)係使用作為進給氣。如此製得的臭氧含有Cr化合物的程度出奇的低，因此可適用於金屬氧化物之形成，尤指氧化矽。

Abstract in simplified Chinese: 臭氧发生器(10)在施加高电压下提供进给气至臭氧发生槽(11)且当臭氧气于前述臭氧发生槽(11)内被产出时，遂经臭氧气输送路径(包含管(14)及(15))发送此臭氧气，其特征在于臭氧气输送路径系提供有用以去除NOx，HF及 SOx三者中至少一种之设备(于图式中，该设备系供去除 NOx)且自臭氧发生槽(11)流出的臭氧气系流经该去除设备，借此于该臭氧气中之NOx，HF及SOx三者中至少一种在其被发送至次一阶段之前便被去除。臭氧制品全然未被Cr化合物所污染或未被充分的污染而不致在制造高度集成的半导体设备时引起任何实际的问题。 另一可供选择之臭氧发生器(10)包含具有用以供给进给气之入口(8)，高电压施压设备(35)及用以释放所产生臭氧之出口(29)之臭氧发生槽(11)，及供发送所产生臭氧之臭氧发送路径(30)及(31)，其特征在于增补有10~20体积%二氧化碳及/ 或一氧化碳(2)之氧(1)系使用作为进给气。如此制得的臭氧含有Cr化合物的程度出奇的低，因此可适用于金属氧化物之形成，尤指氧化硅。

公开(公告)号：NO760875A

公开(公告)日：1976-09-14

申请号：NO760875

申请日：1976-03-12

Applicant: UNION CARBIDE CORP

Inventor： LOWTHER F E

IPC: C01B13/10 ,  C01B

CPC classification number: C01B13/10 ,  C01B2201/40 ,  C01B2201/50 ,  C01B2201/60 ,  C01B2201/62 ,  C01B2201/70 ,  C01B2201/80

公开(公告)号：ZA9203756B

公开(公告)日：1993-01-27

申请号：ZA9203756

申请日：1992-05-22

Applicant: UNION CAMP PATENT HOLDING

Inventor： JOSEPH JAMES C ,  JAMES C JOSEPH ,  PIKULIN MICHAEL A ,  MICHAEL A PIKULIN ,  FRIEND WILLIAM H ,  WILLIAM H FRIEND

IPC: C01B13/10 ,  B01D53/62 ,  B30B9/20 ,  C01B13/11 ,  D21C9/153 ,  D21C9/18 ,  C01B ,  D21C

CPC classification number: D21C9/153 ,  B01D53/62 ,  C01B13/11 ,  C01B2201/60 ,  Y02C10/04 ,  Y02P20/152 ,  Y02P70/24

公开(公告)号：ZA7601523B

公开(公告)日：1977-03-30

申请号：ZA7601523

申请日：1976-03-12

Applicant: UNION CARBIDE CORP

Inventor： LOWTHER F

IPC: C01B13/11 ,  C01B ,  C07C

CPC classification number: C01B13/11 ,  C01B2201/40 ,  C01B2201/50 ,  C01B2201/60 ,  C01B2201/62 ,  C01B2201/70 ,  C01B2201/80

公开(公告)号：SE7603230A

公开(公告)日：1976-09-13

申请号：SE7603230

申请日：1976-03-12

Applicant: UNION CARBIDE CORP

Inventor： LOWTHER F E

IPC: C01B13/11

CPC classification number: C01B13/11 ,  C01B2201/40 ,  C01B2201/50 ,  C01B2201/60 ,  C01B2201/62 ,  C01B2201/70 ,  C01B2201/80