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    光音響顕微鏡
    184.
    发明申请
    光音響顕微鏡 审中-公开
    光电显微镜

    公开(公告)号：WO2013190843A1

    公开(公告)日：2013-12-27

    申请号：PCT/JP2013/003862

    申请日：2013-06-20

    Applicant: オリンパス株式会社

    Inventor： 大出　寿

    IPC: G02B21/00 ,  G01B9/02 ,  G01B11/00 ,  G01N29/00

    CPC classification number: G01N21/1702 ,  G01B9/02007 ,  G01B9/02091 ,  G01B21/02 ,  G01N29/0672 ,  G01N29/0681 ,  G01N29/2418 ,  G01N2021/1706 ,  G01N2201/06113 ,  G01N2201/0697 ,  G01N2201/08 ,  G01N2201/10 ,  G01N2201/125 ,  G02B21/002

    Abstract: 　観察対象物の吸収波長域の励起光を標本Ｓの内部に集光させる対物レンズ１０と、励起光とは異なる波長の検出光の点光源像を対物レンズ１０の瞳９の中心部に結像させて、対物レンズ１０により標本Ｓに検出光を照射させる検出光用光学系２７と、対物レンズ１０に入射する励起光及び検出光を偏向して標本Ｓを走査する光走査部５ａ，５ｂと、標本Ｓによる検出光の反射光を検出する光検出部（２２～２４，２８）とを備える。

    Abstract translation: 提供：将观察对象的吸收波长带的激发光集中到样本（S）的内部的物镜（10）; 用于检测光的光学系统（27），其对物镜（10）的瞳孔（9）的中心处的激发光的波长不同的检测光的点源图像进行成像，并将检测光引导到 所述样品（S）借助于所述物镜（10）; 通过偏转激发光和入射在物镜（10）上的检测光来扫描样品（S）的光学扫描部分（5a，5b）; 以及检测来自样品（S）的检测光的反射光的光学检测部（22〜24,28）。

    METHOD AND SYSTEM FOR REAL TIME INSPECTION OF A SILICON WAFER
    185.
    发明申请
    METHOD AND SYSTEM FOR REAL TIME INSPECTION OF A SILICON WAFER 审中-公开
    用于实时检测硅波的方法和系统

    公开(公告)号：WO2013158039A2

    公开(公告)日：2013-10-24

    申请号：PCT/SG2013000148

    申请日：2013-04-17

    Applicant: UNIV NANYANG TECH

    Inventor： ASUNDI ANAND KRISHNA ,  NG CHI SEONG

    IPC: G01N21/88

    CPC classification number: G01N21/9501 ,  G01N21/23 ,  G01N21/8806 ,  G01N21/9505 ,  G01N2021/8848 ,  G01N2201/062 ,  G01N2201/125

    Abstract: There is provided a method and system for real time inspection of a silicon wafer. The method includes using an infrared plane polariscope to obtain an image of a bonded interface of the silicon wafer, the image showing stress patterns; and assessment of the stress patterns. The stress patterns in a form of at least one butterfly pattern indicates a presence of at least one of: at least one trapped particle, trapped gases and at least one de-bonding region. No computer/algorithm processing is carried out to locate defects/de-bondings at the bonded interface. Furthermore, the stress fields being generated can be used to approximate the size of the de-bonding region/trapped particle. The system employs the infrared plane polariscope to obtain an image of a bonded interface of the silicon wafer.

    Abstract translation: 提供了一种用于硅晶片实时检测的方法和系统。 该方法包括使用红外平面偏振器来获得硅晶片的键合界面的图像，该图像显示出应力模式; 并评估压力模式。 至少一个蝴蝶图案形式的应力模式表示存在至少一个捕获的颗粒，捕获的气体和至少一个去粘合区域中的至少一个。 不进行计算机/算法处理来定位键合界面处的缺陷/去粘合。 此外，产生的应力场可以用于近似去结合区域/捕获的颗粒的尺寸。 该系统采用红外平面偏振器来获得硅晶片的键合界面的图像。

    MEASUREMENT OF OBJECT TO BE MEASURED
    186.
    发明申请
    MEASUREMENT OF OBJECT TO BE MEASURED 审中-公开
    测量对象的测量

    公开(公告)号：WO2013098482A1

    公开(公告)日：2013-07-04

    申请号：PCT/FI2012/051293

    申请日：2012-12-21

    Applicant: METSO AUTOMATION OY

    Inventor： MÄNTYLÄ, Markku ,  GRAEFFE, Jussi ,  NIEMELÄ, Karri ,  KERÄNEN, Heimo ,  SUOPAJÄRVI, Pekka ,  KURKI, Lauri

    IPC: G01B11/26 ,  G01B11/06 ,  G01B11/14 ,  G01N21/89 ,  D21F7/06

    CPC classification number: G01N21/84 ,  D21B1/327 ,  D21F7/06 ,  G01B11/026 ,  G01B11/06 ,  G01B11/26 ,  G01N21/8422 ,  G01N21/86 ,  G01N21/89 ,  G01N2021/8427 ,  G01N2021/8663 ,  G01N2201/125 ,  Y02W30/646

    Abstract: A measuring device comprises a first optical sensor row (200) and a second optical sensor row (202) between which a planar object (204) to be measured is placed. The direction of the first sensor row (200) and the direction of the second sensor row (202) differ from one another. Each sensor (208) of the first sensor row (200) forms data representing a distance between the object (204) to be measured and the sensor (208). Each sensor (210) of the second sensor row (202) forms data representing a distance between the object (204) to be measured and the sensor (210) in order to determine at least one property of the object (204) to be measured on the basis of said data.

    Abstract translation: 测量装置包括第一光学传感器行（200）和第二光学传感器行（202），在其之间放置待测量的平面物体（204）。 第一传感器行（200）的方向和第二传感器行（202）的方向彼此不同。 第一传感器行（200）的每个传感器（208）形成表示被测量物体（204）与传感器（208）之间的距离的数据。 第二传感器行（202）的每个传感器（210）形成表示要测量的对象（204）与传感器（210）之间的距离的数据，以便确定待测物体（204）的至少一个属性 在所述数据的基础上。

    TURBIDITY SENSOR USING A MICROCONTROLLER
    187.
    发明申请
    TURBIDITY SENSOR USING A MICROCONTROLLER 审中-公开
    使用麦克风的涡轮传感器

    公开(公告)号：WO2012154743A1

    公开(公告)日：2012-11-15

    申请号：PCT/US2012/036946

    申请日：2012-05-08

    Applicant: ILLINOIS TOOL WORKS INC. ,  SCLIP, Marco ,  CORBISIERO, Rocco

    Inventor： SCLIP, Marco ,  CORBISIERO, Rocco

    IPC: G01N21/53 ,  D06F39/00

    CPC classification number: G01N21/534 ,  A47L15/4297 ,  D06F39/004 ,  G01N2201/0694 ,  G01N2201/1211 ,  G01N2201/125

    Abstract: Controlled optical sensor device (10) including an optical emitter (21) generating an optical radiation (23), in particular in the visible or infrared field, and an optical receiver (22) to detect said optical radiation (23) upon interaction with a medium to be measured (24), a driving current (Ip) of said optical emitter (21) setting the intensity of said radiation (23) being controlled by driving means (50, 40) included in said optical sensor (10). According to the invention, said driving means (50, 40) include a microcontroller (50) configured to access calibration and/or compensation parameters and to adjust said driving current (Ip) as a function of said calibration and/or compensation parameters.

    Abstract translation: 特别是在可见光或红外光场中产生光辐射（23）的光发射器（21）的控制光学传感器装置（10）和用于在与可见光或红外光场相互作用时检测所述光辐射（23）的光接收器 要测量的介质（24），所述光发射器（21）的驱动电流（Ip）通过包括在所述光学传感器（10）中的驱动装置（50,40）来控制所述辐射（23）的强度。 根据本发明，所述驱动装置（50,40）包括被配置为访问校准和/或补偿参数并根据所述校准和/或补偿参数来调整所述驱动电流（Ip）的微控制器（50）。

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