粘合片
    183.
    发明公开

    公开(公告)号:CN113286702A

    公开(公告)日:2021-08-20

    申请号:CN201980088358.5

    申请日:2019-12-26

    Abstract: 本发明提供一种新型粘合片,其能够在贴附于被粘物的初期显示良好的再加工性,并且其后能够通过50℃左右的温和加热在短时间内使粘合力大幅上升。提供一种粘合片,其包含粘合剂层。前述粘合剂层包含聚合物A及聚合物B,该聚合物B是(甲基)丙烯酸系单体与具有聚有机硅氧烷骨架的单体的共聚物。该粘合片显示5N/25mm以上的粘合力N50。此处,粘合力N50是指在贴合于不锈钢板且于50℃下保持15分钟后于23℃下测得的粘合力。

    粘合带
    184.
    发明公开

    公开(公告)号:CN113272399A

    公开(公告)日:2021-08-17

    申请号:CN202080007386.2

    申请日:2020-03-18

    Abstract: 本发明的目的在于提供一种粘合带,其即使在用于伴有高温和载荷的工序的情况下也不会从被粘物剥离,在剥离时能够容易地剥离,进而还能够抑制焊料凸块的变形。另外,本发明的目的在于提供使用了该粘合带的半导体器件的制造方法。本发明是一种粘合带,其是依次层叠有粘合剂层A基材膜粘合剂层B的粘合带,将上述粘合剂层A贴附于硅晶片芯片、将上述粘合剂层B贴附于玻璃板、从粘合带的上述粘合剂层B侧的面向上述粘合剂层A照射3000mJ/cm2的紫外线、在240℃下进行10分钟加热处理后的对于硅晶片芯片的芯片剪切强度为3N/9mm2以上,将上述粘合剂层A贴附于硅晶片、从上述粘合剂层B侧的面向上述粘合剂层A照射3000mJ/cm2的紫外线、在200℃下进行1小时加热处理后的对于硅晶片的180°剥离强度为0.10N/inch以上且0.30N/inch以下,将上述粘合剂层B贴附于玻璃板、对上述粘合剂层A照射3000mJ/cm2的紫外线后通过SAICAS测定测得的上述粘合剂层A的距离表层部10μm的部分的水平载荷强度为0.06N/mm以上。

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