公开(公告)号：CN113795560A

公开(公告)日：2021-12-14

申请号：CN202080023019.1

申请日：2020-03-23

Applicant: 昭和电工材料株式会社

Inventor： 茶花幸一 ,  秋吉利泰 ,  林出明子 ,  佐藤慎

IPC: C09J11/04 ,  C09J11/08 ,  H01L23/29 ,  H01L23/31 ,  C09J201/00 ,  H01L25/065 ,  H01L25/07 ,  H01L25/18 ,  H01L21/56 ,  H01L21/60

Abstract: 本发明提供一种半导体用黏合剂，其含有重均分子量小于10000的树脂、固化剂、无机填料和硅酮橡胶填料。

公开(公告)号：CN113169141A

公开(公告)日：2021-07-23

申请号：CN201980070535.7

申请日：2019-11-15

Applicant: 昭和电工材料株式会社

Inventor： 林出明子 ,  秋吉利泰 ,  茶花幸一

IPC: H01L23/29 ,  H01L23/31 ,  C09J133/00 ,  C09J163/00 ,  C09J171/10 ,  C09J175/04 ,  C09J201/00 ,  H01L21/52 ,  H01L21/60 ,  H01L21/301 ,  C09J7/35

Abstract: 一种半导体用膜状黏合剂(1)，具备：第1热固化性黏合剂层(2)；以及第2热固化性黏合剂层(3)，设置于第1热固化性黏合剂层(2)上，其中，第1热固化性黏合剂层(2)含有Tg小于35℃的第1热塑性树脂，第2热固化性黏合剂层(3)含有Tg为35℃以上的第2热塑性树脂。

公开(公告)号：CN112930584A

公开(公告)日：2021-06-08

申请号：CN201980070581.7

申请日：2019-11-06

Applicant: 昭和电工材料株式会社

Inventor： 佐藤慎 ,  茶花幸一 ,  谷口徹弥 ,  林出明子

IPC: H01L21/301 ,  C09J7/25 ,  C09J7/35 ,  C09J201/00 ,  H01L21/304 ,  H01L21/60

Abstract: 一种半导体装置的制造方法，其具有：准备在其中一个主面具有多个电极的半导体晶圆，将具备包含基材及压敏胶黏剂层的背面研磨带、以及形成于压敏胶黏剂层上的黏合剂层的半导体晶圆加工用胶黏膜贴附于所述半导体晶圆的设置有电极的一侧，从而获得层叠体的工序；磨削半导体晶圆而对半导体晶圆进行厚度薄化的工序；对经厚度薄化的半导体晶圆及黏合剂层进行切片而单片化为带黏合剂层的半导体芯片的工序；以及将带黏合剂层的半导体芯片的电极与其他半导体芯片或配线电路基板的电极电连接的工序，背面研磨带的厚度为75μm～300μm，压敏胶黏剂层的厚度为黏合剂层的厚度的3倍以上。