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公开(公告)号：WO2006137464A1
公开(公告)日：2006-12-28
申请号：PCT/JP2006/312464
申请日：2006-06-15
Applicant: エプソントヨコム株式会社 , 大脇 卓弥 , 森田 孝夫
CPC classification number: H03H9/02551 , H03H9/14538
Abstract: 課題 水晶基板を用いたＳＡＷデバイスにおいて、ＩＤＴの放射コンダクタンスのピーク周波数と反射器の反射係数のピーク周波数のずれによるＱ値の劣化を防止する。解決手段 圧電基板１上に、ＩＤＴ２と、該ＩＤＴ２の両側にグレーティング反射器３ａ、３ｂを配置する。前記圧電基板１は、回転Ｙカット水晶基板のカット角θを結晶Ｚ軸より反時計方向に−６４．０°＜θ＜−４９．３°の範囲に設定し、且つ、弾性表面波の伝搬方向を結晶Ｘ軸に対し９０°±５°にした水晶平板である。そして、弾性表面波の波長をλとし、ＩＤＴの電極ピッチをＬｔ、前記反射器の電極ピッチをＬｒとした時、波長で基準化した電極膜厚Ｈ／λを０．０５≦Ｈ／λ≦０．０７とし、ＩＤＴと反射器の電極ピッチ比Ｌｔ／Ｌｒを３１．５００×(Ｈ／λ)２−４．４３５×(Ｈ／λ)＋１．１３３≦Ｌｔ／Ｌｒ≦−３．０００×(Ｈ／λ)２＋０．５０００×(Ｈ／λ)＋０．９７９６の範囲に設定する。
Abstract translation: [问题]为了防止由IDT的辐射电导的峰值频率与反射器的反射系数的峰值频率之间的差导致的Q值的劣化。 解决问题的手段在压电基板（1）上，配置IDT（2）和夹着IDT（2）的光栅反射器（3a，3b）。 压电基板（1）是具有切割角度θ的晶体平板， 的旋转Y切割晶体基板设置在-64.0度< 在逆时针方向上<-49.3度，弹性表面波传播方向相对于晶体X轴设定为90度±5度。 什么时候 ？ 是弹性表面波的波长，Lr是IDT电极间距为Lt，Lt为反射器电极间距，电极膜厚度基于波长H /λ 设定在0.05 = H / = 0.07，IDT与反射体Lt / Lr的电极间距比设定在31.500×（H /λ）2 -4.435×（H /λ）+ 1.133 = Lt / Lr = -3.000×（H / ）2 + 0.5000×（H /λ）+0.9796。
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公开(公告)号：WO2006041107A1
公开(公告)日：2006-04-20
申请号：PCT/JP2005/018819
申请日：2005-10-12
Applicant: エプソントヨコム株式会社 , 佐藤 富雄
Inventor： 佐藤 富雄
IPC: H03B5/32
CPC classification number: H03B5/36 , H03B2201/0208 , H03K3/0307
Abstract: 従来の可変容量ダイオードへの単方向電圧制御による周波数制御では、直線を得るための補正量に限界がある。電圧制御型圧電発振器を構成する可変容量手段として、第１の可変容量ダイオードと、該第１の可変容量ダイオードと並列に接続された第１のコンデンサと、前記第２の可変容量ダイオードと、前記第１の可変容量ダイオードのカソードと第２の可変容量ダイオードのアノードとの間に挿入接続された第２のコンデンサと、前記第１の可変容量ダイオードのアノードと第２の可変容量ダイオードのカソードとの間に挿入接続された第３のコンデンサとを備え、前記外部制御電圧を前記第１の可変容量ダイオードと第２の可変容量ダイオードに対してそれぞれ極性が逆向きとなるように印加したものであることを特徴とする。
Abstract translation: 在使用可变电容二极管的单向电压控制的常规频率控制中，用于获得线性的校正量存在限制。 压控压电振荡器包括第一可变电容二极管作为其可变电容装置; 与第一可变电容二极管并联连接的第一电容器; 第二可变电容二极管; 插入在第一可变电容二极管的阴极和第二可变电容二极管的阳极之间的第二电容器; 以及插入在第一可变电容二极管的阳极和第二可变电容二极管的阴极之间的第三电容器。 外部控制电压的相反极性被施加到第一和第二可变电容二极管中的相应极性。
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公开(公告)号：WO2010047114A1
公开(公告)日：2010-04-29
申请号：PCT/JP2009/005541
申请日：2009-10-22
Applicant: エプソントヨコム株式会社 , 山中國人
Inventor： 山中國人
CPC classification number: H03H9/02551 , H03H9/0547 , H03H9/14517 , H03H9/14555 , H03H9/1457 , H03H9/14582 , H03H9/25 , H03H9/643
Abstract: 弾性表面波共振子におけるＱ値を向上させ小型化を可能にする。 水晶基板１１上に弾性表面波を励振する電極指１２ａ，１２ｂを有するＩＤＴ１２が設けられた弾性表面波共振子１であって、ＩＤＴ１２における電気機械結合係数が最大となるライン占有率と、弾性表面波の反射が最大となるライン占有率とが異なり、ＩＤＴ１２の中央部ではＩＤＴ１２の端部に比べて電気機械結合係数が大きくなるライン占有率を有し、ＩＤＴ１２の端部ではＩＤＴ１２の中央部に比べて弾性表面波の反射が大きくなるライン占有率を有している。
Abstract translation: 提高了表面声波谐振器的Q值以使其小型化。 提供了一种表面声波谐振器（1），其中在石英基板（11）上设置有用于激发表面声波的具有电极指（12a，12b）的IDT（12）。 在IDT（12）中，机电耦合系数最大的线占有率与表面声波的反射最大化的线占有率不同。 与IDT（12）的端部相比，IDT（12）的中心部分的机电耦合系数大，与IDT（12）的端部相比，表面声波的反射较大， 它们。
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公开(公告)号：WO2010047113A1
公开(公告)日：2010-04-29
申请号：PCT/JP2009/005540
申请日：2009-10-22
Applicant: エプソントヨコム株式会社 , 山中國人
Inventor： 山中國人
CPC classification number: H03H9/02551 , H03H9/0547 , H03H9/1071
Abstract: Ｑ値を向上させ、弾性表面波共振子の小型化を可能とする。 水晶基板１１上に弾性表面波を励振する電極指を有するＩＤＴ１２が設けられた弾性表面波共振子１において、一つの電極指の幅を、その両側に隣接する前記電極指との間隔の中心線と中心線との間の寸法で除した値をライン占有率とし、ＩＤＴ１２は、中央部から両端部に向かいライン占有率を順次変化させることで、ＩＤＴ１２の中央部の周波数に比べて、中央部から両端部に向かい周波数が順次低くなるように形成された領域を備えている。
Abstract translation: 通过改善Q值来减小表面声波谐振器的尺寸。 表面声波谐振器（1）在石英基板（11）上设置有具有激励表面声波的电极指的IDT（12）。 通过将一个电极指的宽度除以两侧的电极指与相邻电极指的间隔的中心线之间的尺寸而获得的值被设置为线占有率，并且设置IDT（12） 与从IDT（12）的中心部分的频率相比，通过从中心部分顺序地改变向两端部分的线占有率而从中心部分向两端部分频率减小的区域。
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公开(公告)号：WO2010143615A1
公开(公告)日：2010-12-16
申请号：PCT/JP2010/059640
申请日：2010-06-08
Applicant: エプソントヨコム株式会社 , セイコーNPC株式会社 , セイコーエプソン株式会社 , 佐藤 健二 , ▲高▼田 豊 , 成瀬 秀人 , 高橋 正行
CPC classification number: G01C19/56
Abstract: 角速度検出装置１（物理量検出装置の一例）は、検出電極に、角速度（物理量の一例）の大きさに応じた検出信号とともに駆動信号（方形波電圧信号２２）に基づく振動の漏れ信号を発生させるジャイロセンサー素子１００（物理量検出素子の一例）と、駆動信号を生成する駆動回路２０と、駆動信号に同期した検波信号３４に基づいて、検出信号と漏れ信号を含む被検波信号３６に対して同期検波を行う同期検波回路３５０と、制御信号６４に基づいて、同期検波により漏れ信号の少なくとも一部が出力されるように、被検波信号３６に対する検波信号３４の立ち上がり及び立ち下がりの少なくとも一方の相対的なタイミングを変更する位相変更回路３５２と、を含む。
Abstract translation: 角速度检测系统（1）（物理量检测装置的一个例子）使得其检测电极包括产生检测信号的陀螺仪传感器元件（物理量检测元件的一个例子）（100） 基于驱动信号（方波电压信号[22]）的角速度的大小（物理量的示例）以及用于振动的泄漏信号。 驱动电路（20），其产生驱动信号; 同步解调电路，其基于与驱动信号同步的解调信号（34），对包括检测信号和泄漏信号的解调信号（36）进行同步解调; 以及相位变换电路，根据控制信号（64），根据解调信号（34）的上升与解调信号（36）的上升和 使其至少部分泄漏信号通过同步解调输出。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：WO2008114784A1
公开(公告)日：2008-09-25
申请号：PCT/JP2008/054929
申请日：2008-03-18
Applicant: 田中貴金属工業株式会社 , エプソントヨコム株式会社 , 小柏 俊典 , 宮入 正幸 , 永野 洋二
CPC classification number: H01L23/10 , B22F1/0074 , B22F3/1021 , B22F2003/248 , B22F2998/10 , B22F2999/00 , H01L2924/0002 , H01L2924/01079 , H01L2924/3011 , H03H9/1021 , Y10T29/42 , Y10T29/49002 , Y10T29/49005 , B22F9/24 , B22F3/24 , B22F2201/20 , H01L2924/00
Abstract: 本発明は、金属粉末と有機溶剤とを含んでなる封止用の金属ペーストにおいて、金属粉末は、純度が９９．９重量％以上であり、平均粒径が０．１μｍ～１．０μｍである金粉、銀粉、白金粉、又はパラジウム粉から選択される一種以上の金属粉末であり、金属粉末を８５～９３重量％、前記有機溶剤を５～１５重量％の割合で配合したことを特徴とする封止用の金属ペーストである。この金属ペーストは、塗布方法に応じて、界面活性剤等の添加剤を含むものが好ましい。この金属ペーストを用いた封止方法としては、金属ペーストを塗布・乾燥し、８０～３００°Cで焼結させて金属粉末焼結体とした後、金属粉末焼結体を加熱しながらベース部材とキャップ部材とを加圧する方法がある。
Abstract translation: 公开了一种用于密封的金属膏，其包括金属粉末和有机溶剂，其中金属粉末包含至少一种选自金粉末，银粉末，铂粉末和纯度为99.9的钯粉末的金属粉末 重量％以上，平均粒径为0.1〜1.0μm，金属粉末和有机溶剂的含量分别为85〜93重量％和5〜15重量％。 根据其应用方式，金属糊还可含有表面活性剂等添加剂。 还公开了使用该金属膏的密封方法，其包括以下步骤：施加和干燥金属糊; 在80〜300℃烧结金属糊料，制作烧结金属粉末制品; 以及在加热所述烧结金属粉末产品的同时压缩基底构件和盖构件。
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公开(公告)号：WO2007122786A1
公开(公告)日：2007-11-01
申请号：PCT/JP2007/000264
申请日：2007-03-20
Applicant: エプソントヨコム株式会社
IPC: H03H3/02
CPC classification number: C03C15/00 , H03H3/02 , H03H2003/026 , Y10T29/42 , Y10T29/49005 , Y10T29/49574
Abstract: 表面の変質層が少なく、設計された振動特性との差が少ない振動特性を備えた圧電振動片の製造方法を提供すること。 メタルマスク３０を除去した後に、ウェットエッチングを行い音叉型水晶振動片１０を分離形成するので、ドライエッチングによって生じた変質層２３を露出でき、ウェットエッチングによって変質層２３を除去できる。したがって、設計された振動特性との差が少ない振動特性を備えた音叉型水晶振動片１０の製造方法を得ることができる。
Abstract translation: 本发明提供一种与设计的振动特性相比具有较差劣化层的压电振动片的制造方法，具有振动特性差。 由于在除去金属掩模（30）之后通过湿法蚀刻分开形成音叉型水晶振动片（10），所以通过干蚀刻产生的劣化层（23）被暴露，并且可以通过 湿蚀刻。 因此，获得了与设计的振动特性相比差的音叉型水晶振动片（10）的制造方法。
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公开(公告)号：WO2007037456A1
公开(公告)日：2007-04-05
申请号：PCT/JP2006/319631
申请日：2006-09-25
Applicant: エプソントヨコム株式会社 , 清原 厚
Inventor： 清原 厚
CPC classification number: H03J7/10 , H03B5/1243 , H03B2200/0062 , H03J3/185 , H03J2200/37 , H03J2200/38
Abstract: 制御電圧のゲインやリファレンス値を任意に変更するためにスイッチ素子により抵抗分圧回路を構成し、ＩＣのチップ面積を小さくすると共に、ＡＦＣ電圧の低ノイズ化とＣ／Ｎ改善を実現した電圧制御発振器を提供する。この電圧制御発振器１００は、基準電圧を調整することにより基準バイアス電圧を生成する基準バイアス電圧生成手段２０と、制御電圧のゲインを調整するゲイン調整回路２１と、発振回路２２とを備えて構成される。尚、基準バイアス電圧生成手段２０は、ＶＲＥＦと接地間に直列に接続した抵抗Ｒｄ、Ｒｅ、Ｒｆ、Ｒｇと、抵抗Ｒｄ、Ｒｅに夫々並列にスイッチＳＷ＿ＡＲ１、ＳＷ＿ＡＲ２とを備えて構成され、ゲイン調整回路２１は、３つの抵抗Ｒａ、Ｒｂ、Ｒｃと、スイッチＳＷ１～ＳＷ６と、インバータＩＮＶ１、ＩＮＶ２とを備えて構成され、発振回路２２はコルピッツ型の発振回路を想定し、バラクタ２３を備えている。
Abstract translation: 提供了构成用于修改控制电压增益和参考值的开关元件的电阻分压电路的压控振荡器，以便减小IC芯片面积，降低AFC电压噪声并提高C / N。 电压控制振荡器（100）包括：基准偏置电压产生装置（20），用于通过调整参考电压来产生参考偏置电压; 用于调节所述控制电压的增益的增益调节电路（21）; 和振荡电路（22）。 应当注意，参考偏置电压产生装置（20）包括在VREF和地之间串联连接的电阻器Rd，Re，Rf，Rg，以及分别与电阻器Rd和Re并联连接的开关SW_AR1，SW_AR2。 增益调整电路（21）包括三个电阻器Ra，Rb，Rc，开关SW1〜SW6以及反相器INV1，INV2。 振荡电路（22）包括具有Kolpitz型振荡电路的变容二极管（23）。
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公开(公告)号：WO2006046572A1
公开(公告)日：2006-05-04
申请号：PCT/JP2005/019621
申请日：2005-10-25
Applicant: エプソントヨコム株式会社 , 佐藤 富雄
Inventor： 佐藤 富雄
IPC: H03B5/32
Abstract: 間接型の温度補償方式を採用した温度補償型水晶発振器に於いて、低電圧駆動を実現しようとする場合、常温より低温側と常温近傍は補償が可能であるにも拘わらず、高温端側で充分な補償効果が得られることから、高温端の補償を実現するためにリファレンス電圧Ｖ ｒｅｆ を高く設定する必要があり低電圧駆動に限界があった。補償電圧発生回路からの近似３次関数補償電圧を直流増幅器を介して前記可変容量ダイオードに供給する、或いは第１の補償電圧発生回路とは別個に第２の補償電圧発生回路を有し、該第２の補償電圧発生回路は補償電圧を前記可変容量ダイオードの他方の端子に供給するものである。
Abstract translation: 在采用间接式温度补偿系统的温度补偿型晶体振荡器中，如果要实现低电压驱动，虽然可以在比普通温度低的温度和常温附近进行补偿，但是 可以在较高温度端的一侧获得足够的补偿效果，从而需要建立高值的参考电压（V SUB ref），以便实现更高温度的补偿。 温度结束 因此，低压驱动器有限制。 来自补偿电压产生电路的近似三次函数补偿电压通过DC放大器提供给可变电容二极管。 或者，与第一补偿电压产生电路分离的第二补偿电压产生电路向可变电容二极管的另一端提供补偿电压。
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公开(公告)号：WO2006046522A1
公开(公告)日：2006-05-04
申请号：PCT/JP2005/019528
申请日：2005-10-24
IPC: B65D85/38
CPC classification number: G11B33/0405
Abstract: 光学デバイスの厚さに関係なく収容でき、再利用が容易な光学デバイス用ケースを得る。光学デバイスを間隔を隔て並列に収容し、且つ光学デバイスの幅方向の両端部のみが接する枠部材と、上面に貼り付けた粘着シートに光学デバイスの長手方向の一端を接着する底部材と、内側の上面に貼り付けた粘着シートに光学デバイスの長手方向の他端を接着し、枠部材及び前記底部材と一体的に組み合わされる凹型ケースとで光学デバイス用ケースを構成する。
Abstract translation: 一种可以存储光学装置的光学装置壳体，不管其厚度如何，并且易于重复使用。 光学器件壳体由仅通过允许光学器件的宽度方向上的两个端部部分与框架构件接触而间隔地存储光学器件的框架构件构成; 将上述光学元件的长度方向的一端粘接在上面的粘接片上的底部构件; 以及将光学装置的另一端沿长度方向粘附到内侧的粘贴在上平面上的粘合片的凹部壳体，并与框架构件和底部构件一体地组合。
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