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公开(公告)号：CN112566308B
公开(公告)日：2023-08-22
申请号：CN201910842043.7
申请日：2019-09-06
Applicant: 三垦电气株式会社 , 台湾三垦电气股份有限公司
Abstract: 本申请实施例提供一种光源驱动装置、方法以及光源设备。光源驱动装置包括：开关元件，其进行导通/关闭以控制所述光源；以及控制电路，其基于调光信号驱动所述开关元件的导通/关闭，所述控制电路包括：计算部：其根据与所述调光信号对应的第1信息和与所述输出电流对应的第2信息，计算所述开关元件的导通时间和开关频率；以及驱动部，其根据计算出的所述导通时间和所述开关频率对所述开关元件进行驱动。在本申请实施例中，导通损失不会相对于漏电流和设备温度呈指数级增加，从而能够抑制导通损失。
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公开(公告)号：CN110071033B
公开(公告)日：2023-07-25
申请号：CN201810151850.X
申请日：2018-02-14
Applicant: 三垦电气株式会社
IPC: H01L21/02 , H01L21/302 , H01L23/12
Abstract: 本发明实施例提供一种半导体晶片以及形成半导体的方法。该半导体晶片包括：第一半导体元件，该第一半导体元件具有第一器件；第二半导体元件，该第二半导体元件具有第二器件；绝缘层，该绝缘层侧向延伸到该第一半导体元件和该第二半导体元件；以及研磨层，该研磨层配置在该半导体晶片的背面上或临近于该半导体晶片的背面。因此，在制薄过程中(例如背面研磨)将研磨层暴露时，可以减少或避免碎屑或裂纹。
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公开(公告)号：CN116015294A
公开(公告)日：2023-04-25
申请号：CN202111403067.6
申请日：2021-11-24
Applicant: 三垦电气株式会社
Inventor： 林秀树
IPC: H03M1/12
Abstract: 本发明提供模拟/数字转换器，高速并且尺寸小。一种模拟/数字转换器(1)，其将输入模拟电位(Ain)转换为数字转换值(CODE)，其中，所述模拟/数字转换器(1)具有：比较器(2)，其对输入模拟电位(Ain)与基准电位(Vref)进行比较；以及时间测量电路(4)，其测量比较器(2)的比较动作开始到结束为止的比较动作时间，输出与所测量的比较动作时间及比较器(2)的比较结果(Q)对应的数字转换值(CODE)。
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公开(公告)号：CN114982112A
公开(公告)日：2022-08-30
申请号：CN202080025518.4
申请日：2020-12-21
Applicant: 三垦电气株式会社
IPC: H02M3/155
Abstract: 稳定供给由同步整流型SEPIC电路构成的DC‑DC转换器的驱动用电源。在由电感器(2、5)、开关元件(3)、电容器(4)、同步整流元件(6)、输出电容器(7)构成的同步整流型SEPIC电路(1)中，具有驱动电压切换部(15)，该驱动电压切换部(15)用于与输出电压(Vo)与同步整流元件(6)的驱动电源电压(Vdrv)的大小关系无关地稳定供给同步整流元件(6)的驱动信号电压。驱动电压切换部(15)的特征在于，具有进行如下动作的单元：在输出电压(Vo)比驱动电源电压(Vdrv)高的设定中，切换连接以由输出电压(Vo)向第2驱动电路(10)供给电源，在输出电压(Vo)比驱动电压(Vdrv)低的设定时，切换连接以由驱动电压(Vdrv)供给电源。
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公开(公告)号：CN114068504A
公开(公告)日：2022-02-18
申请号：CN202010883070.1
申请日：2020-08-28
Applicant: 三垦电气株式会社
IPC: H01L25/16 , H01L23/488
Abstract: 本发明涉及半导体模块。本发明提供对微控制单元进行重布线并内置在半导体模块中的结构。另外，提供应对大电流的高功能的半导体模块。本发明的半导体模块在内部搭载微控制单元，微控制单元具备基于重布线的第1焊盘和第2焊盘。另外，微控制单元具有布线区域和布线禁止区域。另外，在引线框架上搭载有功率芯片、控制芯片和微控制单元，微控制单元配置于X方向的中央，并且在Y方向上配置于与功率芯片不同的平台。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108987456B
公开(公告)日：2021-11-26
申请号：CN201710437128.8
申请日：2017-06-12
Applicant: 三垦电气株式会社
IPC: H01L29/06 , H01L21/336
Abstract: 本发明实施例提供一种半导体装置以及半导体装置的制造方法。所述半导体装置包括碳化硅漂移层、掩埋碳化硅层和氧化物半导体层；所述掩埋碳化硅层位于所述碳化硅漂移层内，并且所述掩埋碳化硅层被所述氧化物半导体层覆盖。因此，可以进一步提高半导体装置的击穿特性和/或长时间可靠性。
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公开(公告)号：CN113424422A
公开(公告)日：2021-09-21
申请号：CN201980091698.3
申请日：2019-03-29
Applicant: 三垦电气株式会社
Inventor： 中村胜
IPC: H02M3/155
Abstract: 本发明具有：电压检测部(1)，其检测输出电压，将所检测出的所述输出电压转换为规定的比特数的数字值；数字滤波器(4)，其基于目标值与所述电压检测部的输出之间的误差，进行规定的运算；驱动部(5)，其在滤波器特性分析期间以规定的占空比对所述开关元件进行驱动，在所述滤波器特性分析期间结束以后，以基于所述数字滤波器的运算结果的占空比控制所述主开关元件；电流检测部(6)其检测流过所述电感器的电流，将所检测出的电流作为电流检测信号输出；滤波器特性分析部(7)，其基于所述电流检测部的电流检测信号，根据在所述滤波器分析期间流过所述电感器的突入电流的产生期间来对由所述电感器和所述输出电容器构成的滤波器特性进行分析；以及常数存储部(8)，其具有存储有与多个滤波器特性对应的多个滤波器常数的多个数字滤波器常数表，在所述滤波器特性分析期间结束以后，根据所述滤波器特性而从所述多个数字滤波器表中选择适合的滤波器常数，并供给到所述数字滤波器。
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公开(公告)号：CN109428470B
公开(公告)日：2021-09-07
申请号：CN201710762125.1
申请日：2017-08-30
Applicant: 三垦电气株式会社
Abstract: 本申请涉及电流谐振电源装置。具体地，第一开关和第二开关串联连接到DC电源的两个端子。信号生成电路基于由电压检测电路检测的DC电压来生成反馈信号，并且输出反馈信号，反馈信号用于接通和断开第一开关和第二开关。脉冲串振荡电路基于反馈信号来生成脉冲串振荡信号，并且在检测到备用状态时基于脉冲串振荡信号来接通和断开第一开关元件和第二开关元件。脉冲串振荡电路包括电容器和快速充电电路。当该装置从备用状态返回正常状态时，快速充电电路在反馈信号超过取消阈值电压之后对电容器充电。
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公开(公告)号：CN109428475B
公开(公告)日：2021-07-30
申请号：CN201710763081.4
申请日：2017-08-30
Applicant: 三垦电气株式会社
Inventor： 菅原岳树
Abstract: 电流谐振型电源装置的控制电路。抑制轻负载/无负载时的待机功率，并且具有光电耦合器开路保护的功能。电流谐振型电源装置的控制电路(U1a)具有：反馈端子，其输入反馈的所述误差信号；以及软启动端子，其在启动时进行使振荡频率改变而逐渐将所述直流电压转移到设定电压的软启动动作，锁存单元，其对所述反馈端子的电压与所述软启动端子的电压进行比较，将所述反馈端子的电压相对降低的时刻作为软启动动作结束，之后在所述反馈端子的电压比所述软启动端子的电压相对升高的情况下，使所述开关元件的导通/截止动作停止。
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公开(公告)号：CN108305893B
公开(公告)日：2021-07-16
申请号：CN201711459035.1
申请日：2014-09-19
Applicant: 三垦电气株式会社
IPC: H01L29/06 , H01L29/40 , H01L29/423 , H01L29/739 , H01L29/10 , H01L29/417
Abstract: 本发明提供一种半导体装置，其为沟槽栅型半导体装置，能够充分消除耐压与通态电压的折中，还能够降低反馈电容。半导体装置具有：半导体基板，其层叠有第一半导体区域、第二半导体区域、第三半导体区域、以及第四半导体区域；绝缘膜，其配置于从第四半导体区域的上表面延伸并贯通第四半导体区域以及第三半导体区域而到达第二半导体区域的槽的内壁上；控制电极，其在槽的侧面与第三半导体区域的侧面对置地配置于绝缘膜上；第一主电极，其与第一半导体区域电连接；第二主电极，其与第三半导体区域以及第四半导体区域电连接；以及底面电极，其在槽的底面与控制电极间隔开地配置于绝缘膜之上，并与第二主电极电连接，在俯视观察时，槽在延伸方向上的长度在槽的宽度以上，且槽的宽度比相邻的槽之间的间隔大。
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