KR20210032113A - Transition structure between microstrip and hollow substrate integrated waveguide

    公开(公告)号:KR20210032113A

    公开(公告)日:2021-03-24

    申请号:KR1020190113435A

    申请日:2019-09-16

    CPC classification number: H01P11/003 H01P1/047 H01P5/08

    Abstract: 본 발명은 마이크로스트립-빈 공간 기판 집적 도파관의 천이 구조에 관한 것으로, 마이크로스트립-빈 공간 기판 집적 도파관 천이 구조는 일정한 선폭을 가지는 마이크로스트립 선로와 연결되는 제1 테이퍼, 제1 테이퍼와 수직 방향으로 일측에 연결되며, 중앙 영역에 일정한 너비의 빈 공간을 가지는 기판 집적 도파관, 빈 공간 기판 집적 도파관 상에서 제1 테이퍼 방향으로 형성된 복수 개의 비아 홀, 제1 테이퍼에 일직선으로 연결되어 빈 공간 내부에 위치하는 제2 테이퍼, 그리고 제1 테이퍼와 제2 테이퍼의 연결 라인에 이어지는 빈 공간 기판 집적 도파관 일측의 경계면에 형성된 제1 커팅 비아홀 및 제2 커팅 비아홀을 포함한다.

    KR20210029469A - Apparatus for compensating voltage ripple and method thereof

    公开(公告)号:KR20210029469A

    公开(公告)日:2021-03-16

    申请号:KR1020190110731A

    申请日:2019-09-06

    Inventor: 차한주

    CPC classification number: H02M1/143

    Abstract: 본 발명은 전압 리플 보상 방법으로서, 전원 공급부로부터 입력되는 전압(Vdc)의 리플전압 성분값(△Vdc)을 추출하는 단계; 상기 추출된 리플전압 성분값(△Vdc)과 적분 제어함수를 기반으로 적분 출력전압(Vdc_d)를 계산하는 단계; 상기 계산된 적분 출력전압(Vdc_d)에 HPF(HPF: High Pass Filter) 필터를 적용하여 HPF 출력전압(Vdc_d_hpf)을 획득하는 단계; 상기 획득한 HPF 출력전압(Vdc_d_hpf)의 위상과 상기 리플전압 성분값(△Vdc)의 위상을 일치시키는 단계; 및 상기 위상이 일치된 최종출력전압(Vdc_comp)을 출력하는 단계를 포함한다.

Patent Agency Ranking