公开(公告)号：TWI638061B

公开(公告)日：2018-10-11

申请号：TW106119554

申请日：2013-08-30

Applicant: ASM IP控股公司 ,  ASM IP HOLDING B.V.

Inventor： 梅特羅雷傑H. ,  MATERO,RAIJA H.

IPC: C23C16/40 ,  C23C16/455

公开(公告)号：TW201835379A

公开(公告)日：2018-10-01

申请号：TW106143058

申请日：2017-12-08

Applicant: 荷蘭商ASM IP控股公司 ,  ASM IP HOLDING B.V.

Inventor： 布倫堡 湯姆 E. ,  BLOMBERG, TOM E. ,  夏瑪 瓦倫 ,  SHARMA, VARUN ,  賀加 蘇維 P. ,  HAUKKA, SUVI P. ,  圖敏南 馬可J. ,  TUOMINEN, MARKO J. ,  朱馳宇 ,  ZHU, CHIYU

IPC: C23C16/455 ,  H01L21/311 ,  H01J37/32

Abstract: 本發明揭示熱原子層蝕刻製程。在一些具體例中，該些方法包括至少一個蝕刻循環，其中使基板交替及依序地暴露至第一氣相鹵化物反應物及第二氣相鹵化物反應物。在一些具體例中，第一反應物可包括有機鹵化物化合物。在熱ALE循環期間，基板未與電漿反應物接觸。

Abstract in simplified Chinese: 本发明揭示热原子层蚀刻制程。在一些具体例中，该些方法包括至少一个蚀刻循环，其中使基板交替及依序地暴露至第一气相卤化物反应物及第二气相卤化物反应物。在一些具体例中，第一反应物可包括有机卤化物化合物。在热ALE循环期间，基板未与等离子反应物接触。

公开(公告)号：TWD193067S

公开(公告)日：2018-09-21

申请号：TW105306675

申请日：2016-11-07

Applicant: ASM智慧財產控股公司 ,  ASM IP HOLDING B.V.

Designer： 佐藤一夫 ,  SATO, KAZUO

公开(公告)号：TW201814081A

公开(公告)日：2018-04-16

申请号：TW106125242

申请日：2017-07-27

Applicant: ASM IP控股公司 ,  ASM IP HOLDING B.V.

Inventor： 維埃茲 莫西斯 ,  VERGHESE, MOHITH ,  雪洛 艾立克 詹姆斯 ,  SHERO, ERIC JAMES ,  懷特 卡爾 路易斯 ,  WHITE, CARL LOUIS ,  樊都魯黎亞 凱爾 ,  FONDURULIA, KYLE ,  特后司特 赫伯特 ,  TERHORST, HERBERT

IPC: C23C16/448

CPC classification number: C23C16/4481 ,  C23C16/45544

Abstract: 本文揭示與固體源化學物質汽化器容器及多腔室沈積模組相關之系統及方法。在一些實施例中，固體源化學物質汽化器包括外殼底座及外殼蓋。一些實施例亦包括經組態以安置於該外殼底座內之第一托盤及第二托盤，其中每一托盤界定適合於容納固體源化學物質且允許氣體在其上方流動之第一蛇形路徑。在一些實施例中，多腔室沈積模組包括第一氣相反應室與第二氣相反應室及用以供應該第一氣相反應室及該第二氣相反應室中之每一者之固體源化學物質汽化器容器。

Abstract in simplified Chinese: 本文揭示与固体源化学物质汽化器容器及多腔室沉积模块相关之系统及方法。在一些实施例中，固体源化学物质汽化器包括外壳底座及外壳盖。一些实施例亦包括经组态以安置于该外壳底座内之第一托盘及第二托盘，其中每一托盘界定适合于容纳固体源化学物质且允许气体在其上方流动之第一蛇形路径。在一些实施例中，多腔室沉积模块包括第一气相反应室与第二气相反应室及用以供应该第一气相反应室及该第二气相反应室中之每一者之固体源化学物质汽化器容器。

公开(公告)号：TW201809335A

公开(公告)日：2018-03-16

申请号：TW106118762

申请日：2017-06-07

Applicant: ASM IP控股公司 ,  ASM IP HOLDING B.V.

Inventor： 陳尚 ,  CHEN, SHANG ,  渡會俊晴 ,  WATARAI, TOSHIHARU ,  小沼隆大 ,  ONUMA, TAKAHIRO ,  石川大 ,  ISHIKAWA, DAI ,  難波邦年 ,  NAMBA, KUNITOSHI

IPC: C23C16/04 ,  C23C16/06

CPC classification number: H01L21/7685 ,  C23C16/04 ,  C23C16/08 ,  C23C16/4404 ,  C23C16/45523 ,  H01L21/28562 ,  H01L21/32051 ,  H01L21/32055 ,  H01L21/76823 ,  H01L21/76826 ,  H01L21/76849 ,  H01L21/76883 ,  H01L23/53228 ,  H01L23/53266

Abstract: 可將金屬層相對於基底的第二表面選擇性地沈積於基底的一個表面上。在一些實施例中，相對於包括矽的第二表面，將金屬層選擇性地沈積於第一金屬表面上。在一些實施例中，可視情況在執行選擇性沈積製程之前對將要執行選擇性沈積的反應室進行鈍化。在一些實施例中，達成高於約50%或甚至約90%的選擇性。

Abstract in simplified Chinese: 可将金属层相对于基底的第二表面选择性地沉积于基底的一个表面上。在一些实施例中，相对于包括硅的第二表面，将金属层选择性地沉积于第一金属表面上。在一些实施例中，可视情况在运行选择性沉积制程之前对将要运行选择性沉积的反应室进行钝化。在一些实施例中，达成高于约50%或甚至约90%的选择性。

公开(公告)号：TW201809334A

公开(公告)日：2018-03-16

申请号：TW106117800

申请日：2017-05-31

Applicant: ASM IP控股公司 ,  ASM IP HOLDING B.V.

Inventor： 多益斯 艾娃 E. ,  TOIS, EVA E. ,  末盛 秀美 ,  SUEMORI, HIDEMI ,  波爾 維爾傑米 J. ,  PORE, VILJAMI J. ,  賀加 蘇維 P. ,  HAUKKA, SUVI P. ,  夏瑪 瓦倫 ,  SHARMA, VARUN ,  梅斯 強 威廉 ,  MAES, JAN WILLEM ,  隆吉 戴芬 ,  LONGRIE, DELPHINE ,  卡吉爾 克滋托夫 ,  KACHEL, KRZYSZTOF

IPC: C23C16/04 ,  C23C16/44 ,  C23C16/455

CPC classification number: H01L21/31144 ,  C23C16/04 ,  C23C16/45553 ,  C23C16/56 ,  H01L21/02118 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/02186 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/31138 ,  H01L21/32 ,  H01L21/32139 ,  H01L21/76834

Abstract: 本文中提供用於有機薄膜的沈積的製程。可沈積有機薄膜，包括在基板的一個表面上相對於基板的第二表面進行選擇性沈積。舉例而言，聚合物薄膜可選擇性地沈積於與第二介電質表面相對的第一金屬性表面上。達成高於約50%或甚至約90%的藉由不同層上的相對厚度而量測的選擇性。選擇性地沈積的有機薄膜可經受蝕刻製程，以使得製程變得完全具有選擇性。亦不依賴於選擇性針對特定有機薄膜材料提供製程。提供採用選擇性有機薄膜的遮罩應用。亦揭露對有機薄膜的沈積後的修飾，其例如為金屬性滲透及/或碳移除。

Abstract in simplified Chinese: 本文中提供用于有机薄膜的沉积的制程。可沉积有机薄膜，包括在基板的一个表面上相对于基板的第二表面进行选择性沉积。举例而言，聚合物薄膜可选择性地沉积于与第二介电质表面相对的第一金属性表面上。达成高于约50%或甚至约90%的借由不同层上的相对厚度而量测的选择性。选择性地沉积的有机薄膜可经受蚀刻制程，以使得制程变得完全具有选择性。亦不依赖于选择性针对特定有机薄膜材料提供制程。提供采用选择性有机薄膜的遮罩应用。亦揭露对有机薄膜的沉积后的修饰，其例如为金属性渗透及/或碳移除。

公开(公告)号：TW201807739A

公开(公告)日：2018-03-01

申请号：TW106127690

申请日：2017-08-16

Applicant: ASM知識產權私人控股有限公司 ,  ASM IP HOLDING B.V.

Inventor： 李學周 ,  LEE, HAK JOO ,  金大淵 ,  KIM, DAE YOUN ,  金承煜 ,  KIM, SEUNG WOOK ,  朴珍石 ,  PARK, JIN SEOK ,  金材玹 ,  KIM, JAE HYUN

IPC: H01L21/02

CPC classification number: C23C16/4412 ,  C23C16/345 ,  C23C16/455 ,  C23C16/4554 ,  C23C16/45544 ,  C23C16/45561 ,  H01J37/32449 ,  H01J37/32513 ,  H01J37/32834

Abstract: 本發明提供一種使用氣簾替代機械打開/關閉結構的排氣裝置。排氣裝置包含：第一區域；連接到第一區域的第二區域；連接到第一區域的第三區域；以及連接到第二區域的第一氣體管線，其中當將氣體供應到第一氣體管線時，第一區域不與第二區域連通，但與第三區域連通。

Abstract in simplified Chinese: 本发明提供一种使用气帘替代机械打开/关闭结构的排气设备。排气设备包含：第一区域；连接到第一区域的第二区域；连接到第一区域的第三区域；以及连接到第二区域的第一气体管线，其中当将气体供应到第一气体管线时，第一区域不与第二区域连通，但与第三区域连通。

公开(公告)号：TW201738971A

公开(公告)日：2017-11-01

申请号：TW106112446

申请日：2017-04-14

Applicant: ASM IP控股公司 ,  ASM IP HOLDING B.V.

Inventor： 梅斯 強 威廉 ,  MAES, JAN WILLEM ,  內本 維爾納 ,  KNAEPEN, WERNER

IPC: H01L21/477

CPC classification number: C23C16/04 ,  C23C16/0209 ,  C23C16/06 ,  C23C16/303 ,  C23C16/308 ,  C23C16/36 ,  C23C16/402 ,  C23C16/403 ,  C23C16/405 ,  C23C16/45525 ,  H01L21/67103 ,  H01L21/67207

Abstract: 揭露一種使用退火步驟及沈積步驟來形成膜的系統及方法。所述系統執行用於在聚合物內誘發自組裝或對齊的退火步驟。所述系統亦執行選擇性沈積步驟以在聚合物上達成選擇性沈積。

Abstract in simplified Chinese: 揭露一种使用退火步骤及沉积步骤来形成膜的系统及方法。所述系统运行用于在聚合物内诱发自组装或对齐的退火步骤。所述系统亦运行选择性沉积步骤以在聚合物上达成选择性沉积。

公开(公告)号：TW201732066A

公开(公告)日：2017-09-16

申请号：TW105133132

申请日：2016-10-14

Applicant: ASM IP控股公司 ,  ASM IP HOLDING B.V.

Inventor： 布倫堡 湯姆 E. ,  BLOMBERG, TOM E. ,  霍它利 哈努 ,  HUOTARI, HANNU

IPC: C23C16/30 ,  C23C16/455 ,  H01L31/18 ,  H01L33/00

CPC classification number: H01L31/02322 ,  C23C14/06 ,  C23C14/0694 ,  C23C16/22 ,  C23C16/30 ,  C23C16/45525 ,  H01L31/032 ,  H01L31/062 ,  H01L31/072 ,  H01L31/18 ,  H01L33/005 ,  H01L33/58 ,  H01L2933/0016 ,  H01L2933/0025 ,  Y02E10/50

Abstract: 本文中揭露沈積製程來在反應空間中的基板上沈積薄膜，所述薄膜包含介電性過渡金屬化合物相及導電性或半導電性過渡金屬化合物相。沈積製程可包括多個超級循環。每一超級循環可包括介電性過渡金屬化合物子循環及還原子循環。介電性過渡金屬化合物子循環可包括使基板接觸介電性過渡金屬化合物。還原子循環可包括使基板交替地並依序地接觸還原劑及氮反應物。薄膜可包含嵌於導電性或半導電性過渡金屬化合物相中的介電性過渡金屬化合物相。

Abstract in simplified Chinese: 本文中揭露沉积制程来在反应空间中的基板上沉积薄膜，所述薄膜包含介电性过渡金属化合物相及导电性或半导电性过渡金属化合物相。沉积制程可包括多个超级循环。每一超级循环可包括介电性过渡金属化合物子循环及还原子循环。介电性过渡金属化合物子循环可包括使基板接触介电性过渡金属化合物。还原子循环可包括使基板交替地并依序地接触还原剂及氮反应物。薄膜可包含嵌于导电性或半导电性过渡金属化合物相中的介电性过渡金属化合物相。

公开(公告)号：TW201718923A

公开(公告)日：2017-06-01

申请号：TW105124529

申请日：2016-08-03

Applicant: ASM IP控股公司 ,  ASM IP HOLDING B.V.

Inventor： 王瀚 ,  WANG, HAN ,  謝琦 ,  XIE, QI ,  隆吉 戴芬 ,  LONGRIE, DELPHINE ,  梅斯 強 威廉 ,  MAES, JAN WILLEM ,  德 羅斯特 大衛 ,  DE ROEST, DAVID ,  謝 朱利安 ,  HSIEH, JULIAN ,  朱馳宇 ,  ZHU, CHIYU ,  阿西凱寧 泰瑪 ,  ASIKAINEN, TIMO

IPC: C23C16/34 ,  C23C16/12 ,  C23C16/42 ,  H01L21/02 ,  H01L21/283 ,  H01L21/311

CPC classification number: H01L21/02178 ,  H01L21/02205 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/02315 ,  H01L21/283 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/76834 ,  H01L21/76897

Abstract: 提供的方法選擇性沉積含鋁與氮之物質於基底的第一導電表面上，其是相對於同一基底的第二介電表面。在一些方面也提供用在積體電路製程中形成含鋁與氮保護層或蝕刻終止層的方法。

Abstract in simplified Chinese: 提供的方法选择性沉积含铝与氮之物质于基底的第一导电表面上，其是相对于同一基底的第二介电表面。在一些方面也提供用在集成电路制程中形成含铝与氮保护层或蚀刻终止层的方法。