公开(公告)号：TW200817172A

公开(公告)日：2008-04-16

申请号：TW096123536

申请日：2007-06-28

Applicant: 旭化成電子材料元件股份有限公司 ASAHI KASEI EMD CORPORATION

Inventor： 小林隆昭 KOBAYASHI, TAKAAKI ,  美河正人 MIKAWA, MASATO

IPC: B29D ,  C08G ,  G02B ,  G03F

CPC classification number: G03F7/0757 ,  C08G77/16 ,  C08G77/18 ,  C08G77/20 ,  C08L83/04 ,  G02B1/041 ,  G02B1/043 ,  G03F7/0388 ,  G03F7/0758 ,  C08L51/085 ,  C08L83/00

Abstract: 本發明係一種塑膠透鏡之製造方法,用以獲得具有260℃回流焊耐熱性之塑膠透鏡,該塑膠透鏡之製造方法的特徵在於,將含有樹脂及光聚合起始劑之感光性樹脂組合物成形為透鏡形狀,其中上述樹脂係由下列所製得:將a)選自由(CH3O)3-Si-(CH2)3-O-CO-C(CH3)= CH2、(CH3O)3-Si-(CH2)3-O-CO-CH=CH2、(CH3O)3-Si-(CH2)x-CH=CH2 (此處,X=1或2)、(CH3O)2-Si(CH3)(CH2)3-O-CO-C(CH3)=CH2、(CH3O)2-Si(CH3)(CH2)3-O-CO-CH=CH2及(C
H3O)2-Si(CH3)-(CH2)x-CH=CH2 (此處,X=1或2)所組成之群中之一種以上化合物、以及b)由(C6H5)2-Si-(OH)2所表示之化合物,以相對於b)之化合物100莫耳,a)之化合物為50~150莫耳的比例加以混合,且於催化劑存在下、在40℃~150℃之溫度進行0.1~10小時之聚縮合。

Abstract in simplified Chinese: 本发明系一种塑胶透镜之制造方法,用以获得具有260℃回流焊耐热性之塑胶透镜,该塑胶透镜之制造方法的特征在于,将含有树脂及光聚合起始剂之感光性树脂组合物成形为透镜形状,其中上述树脂系由下列所制得:将a)选自由(CH3O)3-Si-(CH2)3-O-CO-C(CH3)= CH2、(CH3O)3-Si-(CH2)3-O-CO-CH=CH2、(CH3O)3-Si-(CH2)x-CH=CH2 (此处,X=1或2)、(CH3O)2-Si(CH3)(CH2)3-O-CO-C(CH3)=CH2、(CH3O)2-Si(CH3)(CH2)3-O-CO-CH=CH2及(C H3O)2-Si(CH3)-(CH2)x-CH=CH2 (此处,X=1或2)所组成之群中之一种以上化合物、以及b)由(C6H5)2-Si-(OH)2所表示之化合物,以相对于b)之化合物100莫耳,a)之化合物为50~150莫耳的比例加以混合,且于催化剂存在下、在40℃~150℃之温度进行0.1~10小时之聚缩合。

公开(公告)号：TW200741340A

公开(公告)日：2007-11-01

申请号：TW096104614

申请日：2007-02-08

Applicant: 旭化成電子材料元件股份有限公司 ASAHI KASEI EMD CORPORATION

Inventor： 富田宏朗 TOMITA, HIROAKI ,  有久慎司 ARIHISA, SHINJI ,  井上直人 INOUE, NAOTO

IPC: G03F ,  B24C

CPC classification number: B24C1/04

Abstract: 本發明之目的在於提供一種光阻劑材料,其係即使利用高壓空氣來噴射高硬度研磨劑之情形時,亦難以磨損者,且提供一種表面加工方法,其係藉由噴砂處理,而對使用習知噴砂用光阻劑材料難以進行表面加工之材料、或需要加工深度之材料進行表面加工之方法。因此,使用含有(a)熱可塑性彈性體之噴砂用光阻劑材料。又,亦可使用進而含有(b)光聚合性不飽和單體、及(c)光聚合引發劑而具有感光性之噴砂光阻劑材料。噴砂材料亦可以溶液態,積層於支持體上而製成積層薄膜。

Abstract in simplified Chinese: 本发明之目的在于提供一种光阻剂材料,其系即使利用高压空气来喷射高硬度研磨剂之情形时,亦难以磨损者,且提供一种表面加工方法,其系借由喷砂处理,而对使用习知喷砂用光阻剂材料难以进行表面加工之材料、或需要加工深度之材料进行表面加工之方法。因此,使用含有(a)热可塑性弹性体之喷砂用光阻剂材料。又,亦可使用进而含有(b)光聚合性不饱和单体、及(c)光聚合引发剂而具有感光性之喷砂光阻剂材料。喷砂材料亦可以溶液态,积层于支持体上而制成积层薄膜。

公开(公告)号：TW200706299A

公开(公告)日：2007-02-16

申请号：TW095111584

申请日：2006-03-31

Applicant: 旭化成電子材料元件股份有限公司 ASAHI KASEI EMD CORPORATION

Inventor： 田中軌人 TANAKA, NORIHITO ,  島村泰樹 SHIMAMURA, YASUKI

IPC: B23K

CPC classification number: H05K3/3484 ,  B22F1/0059 ,  B23K35/025 ,  B23K35/262 ,  B23K35/302 ,  H05K2201/0272

Abstract: 本發明是提供,可以在無鉛焊接的回焊熱處理條件下進行熔解接合,接合後在相同熱處理條件下不會熔解之高耐熱性的導電性填料。該導電性填料,其特徵為:經過差示掃描熱量測定,被當作發熱尖峰來觀測的準穩定合金金相至少有1個、及被當作吸熱尖峰來觀測的熔點,在210-240℃及300-450℃的2個溫度範圍至少各有1個;以246℃進行熱處理所獲得的接合體,經過差示掃描熱量測定,被當作吸熱尖峰來觀測的熔點,在210-240℃則沒有,或是從210-240℃的吸熱尖峰面積來觀測之溶解時的吸熱量,成為從接合前之210-240℃的吸熱尖峰面積來觀測之熔解時的吸熱量的90%以下。

Abstract in simplified Chinese: 本发明是提供,可以在无铅焊接的回焊热处理条件下进行熔解接合,接合后在相同热处理条件下不会熔解之高耐热性的导电性填料。该导电性填料,其特征为:经过差示扫描热量测定,被当作发热尖峰来观测的准稳定合金金相至少有1个、及被当作吸热尖峰来观测的熔点,在210-240℃及300-450℃的2个温度范围至少各有1个;以246℃进行热处理所获得的接合体,经过差示扫描热量测定,被当作吸热尖峰来观测的熔点,在210-240℃则没有,或是从210-240℃的吸热尖峰面积来观测之溶解时的吸热量,成为从接合前之210-240℃的吸热尖峰面积来观测之熔解时的吸热量的90%以下。

公开(公告)号：TWI273266B

公开(公告)日：2007-02-11

申请号：TW091132526

申请日：2002-11-01

Applicant: 旭化成電子材料元件股份有限公司 ASAHI KASEI EMD CORPORATION

Inventor： 芝原浩二 ,  山縣曜 ,  雷迪 波波文克 POPOVIC, RADIVOJE ,  羅伯特 瑞茲 RACZ, ROBERT

IPC: G01R

CPC classification number: G01R15/202 ,  G01R15/20 ,  G01R15/207

Abstract: 為提供一種小型且高靈敏度，在製造積體電路時能於通常使用之標準裝配線加以封裝，而適合大量生產之低成本電流感應器，以及其製造方法。況且，促使不致降低磁通之檢測靈敏度，可獲得對於干擾磁通之充分屏蔽效果。將第一磁性體(50)粘貼於電流導體(22C)底部。第一磁性體(50)可達成被測定電流所產生磁通之會聚‧放大功能，及干擾磁通之屏蔽功能。在磁感應晶片(20)上方粘貼第二磁性體(51)。第二磁性體(51)可達成對自外部射入干擾磁通之屏蔽功能。

Abstract in simplified Chinese: 为提供一种小型且高灵敏度，在制造集成电路时能于通常使用之标准装配线加以封装，而适合大量生产之低成本电流感应器，以及其制造方法。况且，促使不致降低磁通之检测灵敏度，可获得对于干扰磁通之充分屏蔽效果。将第一磁性体(50)粘贴于电流导体(22C)底部。第一磁性体(50)可达成被测定电流所产生磁通之会聚‧放大功能，及干扰磁通之屏蔽功能。在磁感应芯片(20)上方粘贴第二磁性体(51)。第二磁性体(51)可达成对自外部射入干扰磁通之屏蔽功能。

公开(公告)号：US20240194462A1

公开(公告)日：2024-06-13

申请号：US18286462

申请日：2022-04-26

Applicant: Soichi OGAWA ,  EMD CORPORATION ,  OSAKA RESEARCH INSTITUTE OF INDUSTRIAL SCIENCE AND TECHNOLOGY

Inventor： Akinori EBE ,  Yusuke KONDO ,  Yoshiharu KAKEHI ,  Kazuo SATOH ,  Shiro IKUHARA ,  Shinichi IWASAKI ,  Soichi OGAWA

IPC: H01J37/34 ,  C23C14/35 ,  H01J37/32

CPC classification number: H01J37/3402 ,  C23C14/352 ,  H01J37/3211 ,  H01J37/3435 ,  H01J37/345

Abstract: A sputtering apparatus includes: target holders holding targets facing each other; a substrate holder on a side of a plasma generation region between the targets; main magnetic field generation units on the back surface sides of the target holders to generate main magnetic fields on surfaces of the targets in which magnets are disposed such that opposite poles face each other; a power supply to generate an electric field in a plasma generation region; a radio-frequency electromagnetic field generation unit to generate a radio-frequency electromagnetic field on a side of the plasma generation region facing the substrate holder with the plasma generation region between them; and a plasma source gas introduction unit to introduce a plasma source gas into the plasma generation region, wherein a device for generating a magnetic field does not exist at the ends of the target holders on a side of radio-frequency electromagnetic field generation unit.

公开(公告)号：US20210127476A1

公开(公告)日：2021-04-29

申请号：US17071672

申请日：2020-10-15

Applicant: EMD CORPORATION

Inventor： Akinori EBE

IPC: H05H1/28 ,  H05H1/46 ,  H01J37/32

Abstract: An inductively coupled plasma source with a simple configuration, has an antenna cooling mechanism capable of reducing costs required for such devices. The plasma source is configured to generate plasma in a vacuum vessel, and includes a frame (antenna fixing frame) provided in a wall of the vacuum vessel and a surface antenna fixed in the frame. Periphery of the antenna is surrounded by the frame, so that heat generated in the antenna flows from the periphery to the frame and further flows from the frame to the vacuum vessel. Thus, the antenna is efficiently cooled. Therefore, a liquid or gas refrigerant is unnecessary, and thus the configuration can be simplified. Furthermore, a temperature control device and a circulation device are unnecessary, so that the cost required for the devices is reduced.

公开(公告)号：US20210327683A1

公开(公告)日：2021-10-21

申请号：US17232789

申请日：2021-04-16

Applicant: EMD CORPORATION ,  TOMOEGAWA CO., LTD.

Inventor： Akinori EBE ,  Hajime TSUDA ,  Hideki MORIUCHI

IPC: H01J37/32

Abstract: A radio-frequency antenna through which a high amount of current can be efficiently passed even at a radio-frequency level for plasma generation, as well as a plasma processing device utilizing the radio-frequency antenna. A radio-frequency antenna includes a metal fiber sheet. A plasma processing device includes: a vacuum container including a wall having an opening; a radio-frequency antenna including a metal fiber sheet and located at the opening; and a dielectric protection plate located closer to the interior of the vacuum container than the radio-frequency antenna and configured to close the opening in a gas-tight manner. The radio-frequency antenna including a metal fiber sheet has a larger surface area and a lower impedance to a radio-frequency current than a radio-frequency antenna including a metal plate having the same outer shape. Therefore, it allows a radio-frequency current commonly used for plasma generation to be more efficiently passed through in large amounts.

公开(公告)号：US20190333735A1

公开(公告)日：2019-10-31

申请号：US16312424

申请日：2017-06-16

Applicant: EMD CORPORATION

Inventor： Akinori EBE

IPC: H01J37/32 ,  C23C16/505

Abstract: A plasma source which is capable of supplying a plasma processing space with plasma in a state where gas is sufficiently ionized is a device for supplying plasma to a plasma processing space in which a process using the plasma is performed, and includes: a plasma generation chamber; an opening that allows the plasma generation chamber to communicate with the plasma processing space; a radio-frequency antenna that is a coil of less than one turn provided in a position where a radio-frequency electromagnetic field having predetermined strength required to generate plasma is able to be generated in the plasma generation chamber; voltage application electrodes in a position close to the opening in the plasma generation chamber; and a gas supply unit (pipe) that supplies plasma source gas to a position closer to the side opposite to the opening than the voltage application electrodes in the plasma generation chamber.

公开(公告)号：TWI641904B

公开(公告)日：2018-11-21

申请号：TW104105935

申请日：2008-07-04

Applicant: 旭化成電子材料元件股份有限公司 ,  ASAHI KASEI EMD CORPORATION

Inventor： 谷村彰浩 ,  TANIMURA, AKIHIRO ,  前田拓郎 ,  MAEDA, TAKURO

IPC: G03F1/64

公开(公告)号：TW201811124A

公开(公告)日：2018-03-16

申请号：TW106120540

申请日：2017-06-20

Applicant: EMD股份有限公司 ,  EMD CORPORATION

Inventor： 江部明憲 ,  EBE, AKINORI

IPC: H05H1/46

CPC classification number: C23C16/505 ,  H01L21/205 ,  H01L21/265 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/31 ,  H05H1/46

Abstract: 本發明提供一種能夠在氣體充分電離的狀態下將電漿供給至電漿處理空間的電漿源。電漿源10，係用以供給電漿到進行電漿處理的電漿處理空間中，包括：電漿生成室11；開口12，連通電漿生成室11與電漿處理空間；高頻天線13，設置於能夠將產生電漿所需要的既定強度的高頻電磁場產生到電漿生成室11內的位置，並且是圈數不滿1圈的線圈；電壓施加電極14，設置於電漿生成室11內的靠近該開口12的位置；以及氣體供給部(氣體供給管)15，將電漿原料氣體供給到電漿生成室13內的比電漿施加電極14更靠開口12的相反側的位置。

Abstract in simplified Chinese: 本发明提供一种能够在气体充分电离的状态下将等离子供给至等离子处理空间的等离子源。等离子源10，系用以供给等离子到进行等离子处理的等离子处理空间中，包括：等离子生成室11；开口12，连通等离子生成室11与等离子处理空间；高频天线13，设置于能够将产生等离子所需要的既定强度的高频电磁场产生到等离子生成室11内的位置，并且是圈数不满1圈的线圈；电压施加电极14，设置于等离子生成室11内的靠近该开口12的位置；以及气体供给部(气体供给管)15，将等离子原料气体供给到等离子生成室13内的比等离子施加电极14更靠开口12的相反侧的位置。