公开(公告)号：CN105977247B

公开(公告)日：2018-07-10

申请号：CN201510425277.3

申请日：2015-07-17

Applicant: 东芝存储器株式会社

Inventor： 三浦辰彦 ,  村上和博

IPC: H01L25/16 ,  H01L23/31 ,  H01L23/58 ,  H01L21/56

CPC classification number: C23C14/35 ,  C23C14/3407 ,  C23C14/50 ,  H01J37/32715 ,  H01J37/345 ,  H01L23/552 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/06135 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48145 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2225/06506 ,  H01L2225/0651 ,  H01L2225/06537 ,  H01L2225/06562 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供半导体制造装置及半导体装置的制造方法，半导体制造装置具备：具有沿着第1方向延伸的第1及第2端部和沿着第2方向延伸且比第1及第2端部长的第3及第4端部的承载体。上述装置还具备部件保持部，其具有配置有第1极性的第1磁极部分和第2极性的第2磁极部分的磁体配置面，磁体配置面具备沿着第1方向延伸的第5及第6端部和沿着第2方向延伸且比第5及第6端部长的第7及第8端部。上述装置还具备沿第1方向输送承载体的承载体输送部。第5及第6端部比第1及第2端部短，第7及第8端部比第3及第4端部长，承载体输送部能以使得第3及第4端部通过磁体配置面的与第2方向平行的中心线之下的方式输送承载体。

公开(公告)号：CN107614737A

公开(公告)日：2018-01-19

申请号：CN201680015969.3

申请日：2016-03-17

Applicant: 视觉缓解公司

Inventor： M·马歇尔 ,  J·布朗

IPC: C23C14/10 ,  C23C14/34 ,  C23C14/40 ,  C23C14/44 ,  C23C14/50

CPC classification number: H01J37/3441 ,  H01J37/32477 ,  H01J37/32871 ,  H01J37/34 ,  H01J37/3438 ,  H01J37/3447 ,  H01J37/345 ,  H01J2237/026 ,  H01J2237/3323

Abstract: 一种溅射系统和一种阳极与阳极防护罩组件，其提供改善的接地来实现延长的溅射循环。

公开(公告)号：CN106011761A

公开(公告)日：2016-10-12

申请号：CN201610201666.2

申请日：2016-03-31

Applicant: SPTS科技有限公司

Inventor： 斯蒂芬·R·伯吉斯 ,  R·辛德曼 ,  阿米特·拉斯托吉 ,  保罗·埃杜拉多·利马 ,  C·L·威迪克斯 ,  保罗·理查 ,  斯科特·海莫尔 ,  丹尼尔·库克

IPC: C23C14/35 ,  C23C14/06

CPC classification number: C23C14/0641 ,  C23C14/0617 ,  C23C14/3485 ,  C23C14/35 ,  C23C14/351 ,  H01J37/32669 ,  H01J37/3405 ,  H01J37/3429 ,  H01J37/345 ,  H01J37/3452 ,  H01J37/3461 ,  H01J37/3467 ,  H01J37/3476

Abstract: 本发明涉及沉积材料的方法和设备。本发明提供一种在腔室内用脉冲DC磁控装置通过脉冲DC磁控溅射将介电材料沉积到衬底上的方法，所述脉冲DC磁控装置产生一个或多个初级磁场；其中，溅射材料从靶材中溅射出，其中，所述靶材和所述衬底隔开2.5～10cm的间隙，并且在所述腔室内产生次级磁场，所述次级磁场引起由所述脉冲DC磁控装置产生的等离子体向所述腔室的一个或多个壁扩展。

公开(公告)号：CN103562433B

公开(公告)日：2016-05-04

申请号：CN201280025831.3

申请日：2012-05-28

Applicant: 日立金属株式会社

Inventor： 栗山义彦

IPC: C23C14/35

CPC classification number: H01J37/3405 ,  H01J37/3266 ,  H01J37/32669 ,  H01J37/3408 ,  H01J37/345

Abstract: 本发明提供一种具有直线部及拐角部的跑道形状的磁控溅射用磁场产生装置，其具备：中央磁极构件；包围中央磁极构件的外周磁极构件；以磁极沿一方向定向的方式设置在中央磁极构件与外周磁极构件之间的多个永久磁铁；对上述构件进行支承的非磁性基体构件，其中，至少在直线部配置的永久磁铁以中央磁极构件侧变低的方式倾斜，至少在直线部配置的永久磁铁的外侧的磁极面下部与外周磁极构件不抵接，且中央磁极构件与靶的距离和外周磁极构件与靶的距离相等，由此使靶表面产生均匀的磁场。

公开(公告)号：CN105408515A

公开(公告)日：2016-03-16

申请号：CN201580001472.1

申请日：2015-06-02

Applicant: 株式会社爱发科

Inventor： 小梁慎二 ,  山本弘辉 ,  田口洋治 ,  难波隆宏

IPC: C23C14/34

CPC classification number: H01J37/3417 ,  C23C14/082 ,  C23C14/3407 ,  H01J37/3426 ,  H01J37/345

Abstract: 本发明提供一种绝缘体靶，在组装到溅射装置上并向其施加交流电时其可防止在屏蔽件和靶之间的间隙处发生放电。本发明的在溅射装置中使用的绝缘体靶(2)在组装到溅射装置SM上时，在绝缘体靶(2)周围配置有屏蔽件(5)，绝缘体靶(2)具有板状的靶材(21)，其被屏蔽件环绕；以及环状的支撑件(22)，以靶材的一面为进行溅射的溅射面(2a)，该支撑件(22)具有与靶材的另一面的外周边部相连接，从靶材的周面向外伸出并距离屏蔽件规定间隔的延伸部(22a)，在向绝缘体靶施加交流电对溅射面进行溅射时，该支撑件的阻抗大于等于靶材的阻抗。

公开(公告)号：CN104704603A

公开(公告)日：2015-06-10

申请号：CN201280075041.6

申请日：2012-07-02

Applicant: 应用材料公司

Inventor： A·克勒佩尔 ,  M·哈尼卡 ,  E·谢尔 ,  K·施沃恩特兹 ,  F·皮耶拉利西 ,  J·刘

IPC: H01J37/34 ,  C23C14/35

CPC classification number: C23C14/352 ,  H01J37/3405 ,  H01J37/3417 ,  H01J37/345

Abstract: 本发明描述了一种用以涂布溅镀材料层于基板(12)上的装置(10；166；224)。所述装置(10；166；224)包括至少两个磁铁组件(60、74、82、90、98、106)，其中每个磁铁组件(60、74、82、90、98、106)具有外磁极性及内磁极性。所述至少两个磁铁组件(60、74、82、90、98、106)中的一者的外磁极性不同于所述至少两个磁铁组件(60、74、82、90、98、106)中的另一者的相邻的外磁极性。并且，本发明描述了一种沉积系统(14)，所述沉积系统包括所述装置(10；166；224)。

公开(公告)号：CN104136652A

公开(公告)日：2014-11-05

申请号：CN201280070347.2

申请日：2012-06-01

Applicant: 应用材料公司

Inventor： J·D·布施

IPC: C23C14/00 ,  C23C14/35 ,  C23C14/56 ,  C23C14/34 ,  H01J37/34

CPC classification number: C23C14/352 ,  C23C14/0036 ,  C23C14/14 ,  C23C14/3492 ,  C23C14/35 ,  C23C14/562 ,  H01J37/3405 ,  H01J37/3417 ,  H01J37/345

Abstract: 描述一种沉积材料的层于基板上的方法。此方法包括当基板未暴露于等离子体时，点燃用于材料沉积的溅镀靶材的等离子体；维持等离子体至少直到基板暴露于等离子体来沉积材料于基板上；以及沉积材料于基板上，其中基板为了静态沉积工艺而定位。

公开(公告)号：CN104114742A

公开(公告)日：2014-10-22

申请号：CN201280070032.8

申请日：2012-10-26

Applicant: 国立大学法人东北大学

Inventor： 后藤哲也

IPC: C23C14/35

CPC classification number: C23C14/35 ,  H01J37/3402 ,  H01J37/3405 ,  H01J37/345 ,  H01J37/3455

Abstract: 本发明的磁控溅射装置具有：第1磁体列(33)，其呈螺旋状排列；第2磁体列(35)，其与第1磁体列(33)并列；固定磁体(38)，其配置于第1磁体列的周围和第2磁体列的周围；磁体旋转机构(30)，其使第1磁体列和第2磁体列(33、35)以旋转轴线(Ct)为中心旋转；以及多个磁感应构件(11)，从靶材(21)侧观察，在横截旋转轴线方向的方向上，其配置在第1磁体列的外周和第2磁体列(33、35)的外周与固定磁体(38)之间，并且沿旋转轴线方向排列，该多个磁感应构件(11)用于吸引自第1磁体列(33)出来的磁力线并将该出来的磁力线向靶材(21)侧引导，或者，吸引自靶材(21)侧进入的磁力线并将该进入的磁力线向第2磁体列(35)引导。

公开(公告)号：CN102121095B

公开(公告)日：2014-07-02

申请号：CN201010260204.0

申请日：2010-08-20

Applicant: 三星显示有限公司

Inventor： 崔丞镐 ,  郑石源 ,  崔永默 ,  宋贤根

IPC: C23C14/35

CPC classification number: C23C14/352 ,  H01J37/32449 ,  H01J37/3405 ,  H01J37/3417 ,  H01J37/345 ,  H01J37/347

Abstract: 公开了一种溅射系统，其包括第一和第二溅射单元、第一和第二气体供应管、第一和第二基底支撑单元。第一溅射单元包括：彼此面对的第一和第二沉积材料板；磁场产生器，位于第一和第二沉积材料板的后面。第二溅射单元包括：第三沉积材料板，靠近第一沉积材料板；第四沉积材料板，靠近第二沉积材料板，面对第三沉积材料板；磁场产生器，位于第三和第四沉积材料板的后面。第一气体供应管位于第一和第三沉积材料板之间，将气体排放到第二和第四沉积材料板。第二气体供应管位于第二和第四沉积材料板之间，将气体排放到第一和第三沉积材料板。第一基底支撑单元朝向第一和第二沉积材料板的外边缘。第二基底支撑单元朝向第三和第四沉积材料板的外边缘。

公开(公告)号：CN101490305B

公开(公告)日：2014-02-12

申请号：CN200780027414.1

申请日：2007-07-12

Applicant: 奥尔利康贸易股份公司(特吕巴赫)

Inventor： J·拉姆 ,  B·威德里格 ,  C·沃尔拉布

IPC: C23C14/32 ,  C23C14/08

CPC classification number: C23C14/325 ,  C23C14/081 ,  H01J37/32055 ,  H01J37/3405 ,  H01J37/3417 ,  H01J37/3447 ,  H01J37/345 ,  H01J37/3467

Abstract: 一种借助于真空涂覆在至少一个工件上制备导电性差的层特别是绝缘层的方法，其中电弧放电在电弧源的至少一个阳极和至少一个阴极之间于含反应性气体的气氛中运行，在与阴极电连接的靶表面上不产生或仅产生小的基本上垂直于靶表面的外磁场以辅助蒸发过程，通过另外的涂覆源的表面的再涂覆度小于10％，或该磁场由包括至少一个具有类似于靶周边的几何形状的轴向极化线圈的磁体系产生。