公开(公告)号：WO2008110401A1

公开(公告)日：2008-09-18

申请号：PCT/EP2008/050940

申请日：2008-01-28

Applicant: ROBERT BOSCH GMBH ,  KRAMER, Torsten ,  BOEHRINGER, Matthias ,  ARTMANN, Hans ,  ARMBRUSTER, Simon ,  FEYH, Ando

Inventor： KRAMER, Torsten ,  BOEHRINGER, Matthias ,  ARTMANN, Hans ,  ARMBRUSTER, Simon ,  FEYH, Ando

IPC: H01L21/306

CPC classification number: H01L21/0203

Abstract: Mit der vorliegenden Erfindung werden ein Verfahren und eine Vorrichtung (10) vorgeschlagen, womit die Oberfläche eines schwach p-dotierten Halbleiterträgers (20) unter der Randbedingung eines beidseitigen elektrolytischen Kontakts porös geätzt werden kann, ohne dass die Rückseite dieses Halbleiterträgers (20) mit einem ohmschen Kontakt versehen werden muss.

Abstract translation: 本发明提出一种方法和一种装置（10），由此，弱p型掺杂的半导体衬底（20）的表面可以被蚀刻双面电解接触的边界条件下多孔，如果没有这种半导体衬底（20）的相反侧具有 必须提供欧姆接触。

公开(公告)号：WO2006125691A1

公开(公告)日：2006-11-30

申请号：PCT/EP2006/061290

申请日：2006-04-04

Applicant: ROBERT BOSCH GMBH ,  SCHMOLLNGRUBER, Peter ,  ARTMANN, Hans ,  SCHELLING, Christoph ,  KRAMER, Torsten ,  WAGNER, Thomas

Inventor： SCHMOLLNGRUBER, Peter ,  ARTMANN, Hans ,  SCHELLING, Christoph ,  KRAMER, Torsten ,  WAGNER, Thomas

IPC: B81B3/00

CPC classification number: B81B3/007 ,  B81B3/0081 ,  B81B2203/0127 ,  B81C2201/014

Abstract: Die Erfindung betrifft ein mikromechanisches Bauelement mit einem Schichtaufbau auf einem Halbleitersubstrat (8), wobei der Schichtaufbau wenigstens eine dielektrische Membran- schicht (30, 34) umfasst, die oberhalb einer im Halbleiter- substrat (8) befindlichen Stützstruktur (28) angeordnet ist. Es ist vorgesehen, dass die Stützstruktur (28) durch eine oder mehrere Hohlsäulen (26), bestehend im Wesentlichen aus Siliziumoxid, gebildet ist. Die Erfindung betrifft weiterhin ein Verfahren zur Herstellung eines derartigen mikromechanischen Bauelements. Es ist jeweils vorgesehen, dass die Stützstruktur (28) durch eine oder mehrere Hohlsäulen (26), bestehend im Wesentlichen aus Siliziumoxid, gebildet ist bzw. wird.

Abstract translation: 本发明涉及具有在半导体衬底（8）上的层结构，其中该层结构层至少包括一电介质膜（30，34）的微机械部件，所述支撑结构位于一个在上面所说的半导体衬底（8）（28）被布置。 可以设想，所述支撑结构（28）由一个或基本上由氧化硅构成的多个中空柱（26）形成。 本发明还涉及一种用于制造这种微型机械装置的方法。 在每种情况下，条件是所述支撑结构（28）由一个或基本上由氧化硅构成的多个中空柱（26）中，形成或为。

公开(公告)号：WO2010006849A2

公开(公告)日：2010-01-21

申请号：PCT/EP2009/057106

申请日：2009-06-09

Applicant: ROBERT BOSCH GMBH ,  KRAMER, Torsten ,  PINTER, Stefan ,  BENZEL, Hubert ,  ILLING, Matthias ,  HAAG, Frieder ,  ARMBRUSTER, Simon

Inventor： KRAMER, Torsten ,  PINTER, Stefan ,  BENZEL, Hubert ,  ILLING, Matthias ,  HAAG, Frieder ,  ARMBRUSTER, Simon

IPC: B81C1/00

CPC classification number: B81C99/008 ,  B81B7/0006 ,  B81B2207/093

Abstract: Es wird ein Verfahren zur Herstellung eines Bauelements vorgeschlagen, wobei in einem ersten Herstellungsschritt eine Grundstruktur mit einem Substrat, einer Membran und einem Kavernenbereich bereitgestellt wird, wobei die Membran im Wesentlichen parallel zu einer Haupterstreckungsebene des Substrats angeordnet ist, wobei zwischen dem Substrat und der Membran der Kavernenbereich angeordnet ist, wobei der Kavernenbereich eine Zugangsöffnung aufweist und wobei in einem zweiten Herstellungsschritt im Kavernenbereich und insbesondere auf einer dem Substrat senkrecht zur Haupterstreckungsebene zugewandten zweiten Seite der Membran eine erste Leitschicht zumindest teilweise angeordnet wird.

Abstract translation: 它提出了一种方法，用于制造装置，其特征在于，提供了一种基本结构，其包括一基板，一隔膜和在第一制造工序的腔体区域，其中所述膜基本上平行于所述衬底的主平面设置，所述基板和所述隔膜之间 被布置在腔体区域，所述具有接入开口，并且其中的第一导电层被布置在至少部分地在腔区域中的第二制造工序，特别是垂直地朝向所述膜的第二侧的主延伸面的衬底上腔区域。

公开(公告)号：WO2008089862A1

公开(公告)日：2008-07-31

申请号：PCT/EP2007/062952

申请日：2007-11-28

Applicant: ROBERT BOSCH GMBH ,  KRAMER, Torsten ,  KNESE, Kathrin ,  BENZEL, Hubert ,  SCHUERMANN, Gregor ,  ARMBRUSTER, Simon ,  SCHELLING, Christoph

Inventor： KRAMER, Torsten ,  KNESE, Kathrin ,  BENZEL, Hubert ,  SCHUERMANN, Gregor ,  ARMBRUSTER, Simon ,  SCHELLING, Christoph

IPC: B81C1/00 ,  G01L9/00

CPC classification number: B81C1/00182 ,  B81B2201/0264 ,  B81B2207/015 ,  B81C2201/0115 ,  G01L19/0038

Abstract: Mit der vorliegenden Erfindung wird ein Verfahren zur Herstellung eines Bauteils (10) vorgeschlagen, mit mindestens einer in der Bauteiloberfläche ausgebildeten Membran (11), die eine Kaverne (12) überspannt, und mit mindestens einer von der Bauteilrückseite ausgehenden Zugangsöffnung (14) zu der Kaverne (12), wobei zumindest eine erste Membranschicht (2) und die Kaverne (12) von der Bauteiloberfläche ausgehend in einem monolithischen Halbleitersubstrat (1) erzeugt werden und wobei die Zugangsöffnung (14) von der Substratrückseite ausgehend in einem zeitlich begrenzten Ätzprozess erzeugt wird. Dazu wird die Zugangsöffnung (14) erfindungsgemäß in einem Bereich angeordnet, in dem das Substratmaterial an die erste Membranschicht (2) heranreicht. Außerdem umfasst der Ätzprozess zum Erzeugen der Zugangsöffnung (14) mindestens einen anisotropen Ätzschritt und mindestens einen isotropen Ätzschritt, wobei in dem anisotropen Ätzschritt ein von der Substratrückseite ausgehender Ätzkanal (15) erzeugt wird, der unterhalb der ersten Membranschicht (2) in der Umgebung der Kaverne (12) endet, und wobei zumindest der Endbereich (16) dieses Ätzkanals (15) in dem isotropen Ätzschritt aufgeweitet wird, bis der Ätzkanal (15) an die Kaverne angeschlossen ist.

Abstract translation: 利用本发明，用于制造部件的方法（10）设有与形成在部件表面的膜的至少一个开口（11）跨越的空腔（12），和传出与该组件后部进出开口（14）中的至少一个的 腔体（12），其中至少一个第一隔膜层（2）和从所述部件表面的腔体（12），在单片半导体衬底开始（1）的生产，并且其中所述进入开口（14）由在基板背面侧从有限的刻蚀工艺中产生的 ， 为了这个目的，所述进入开口（14）是根据设置在区域中的第一薄膜层的衬底材料（2）的变焦范围本发明。 另外，用于形成所述进入开口（14）的蚀刻工艺包括至少一个各向异性的蚀刻步骤和至少一个各向同性蚀刻步骤中，在位于第一隔膜层（2）下方的附近的基板背面侧出射的蚀刻通道（15）的各向异性蚀刻步骤而产生 腔（12）结束，并且其中至少该蚀刻通道的端部（16）（15）被加宽各向同性蚀刻直到蚀刻通道（15）连接到所述洞穴。

公开(公告)号：WO2004111857A3

公开(公告)日：2006-09-08

申请号：PCT/IB2004050842

申请日：2004-06-04

Applicant: PHILIPS INTELLECTUAL PROPERTY ,  KONINKL PHILIPS ELECTRONICS NV ,  KRAMER TORSTEN ,  FEUSER MARKUS

Inventor： KRAMER TORSTEN ,  FEUSER MARKUS

IPC: G06F12/06 ,  G06F9/318 ,  G06F9/355

CPC classification number: G06F9/342 ,  G06F12/0623

Abstract: In order to provide a microcontroller and an addressing method which are distinguished by a lower storage requirement and a higher execution speed than previously known when addressing N-bit address spaces, the address length N of the N-bit address word being greater than the address length of a standard set of instruction or of equivalents of other sets of instructions of the microcontroller, it is provided that the microcontroller (10) has at least one status bit (12) by means of which a writing and/or reading of N-bit address words by at least one standard instruction of the microcontroller (10) can be forced, and the at least one status bit (12) of a microcontroller (10) is set and as a result a writing and/or reading of N-bit address words by means of at least one standard instruction of the microcontroller (10) is forced.

Abstract translation: 为了提供一个微控制器和寻址方法，它们通过比寻址N位地址空间时先前已知的更低的存储要求和更高的执行速度来区分，N位地址字的地址长度N大于地址 微控制器的标准指令集或其他指令集的等效指令的长度，微控制器（10）具有至少一个状态位（12），通过该状态位的写入和/或读取， 可以强制微控制器（10）的至少一个标准指令的位地址字，并且设置微控制器（10）的至少一个状态位（12），并且因此写入和/或读取N- 通过微控制器（10）的至少一个标准指令来强制位地址字。

公开(公告)号：WO2004111857A2

公开(公告)日：2004-12-23

申请号：PCT/IB2004/050842

申请日：2004-06-04

Applicant: PHILIPS INTELLECTUAL PROPERTY & STANDARDS GMBH ,  KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V. ,  KRAMER, Torsten ,  FEUSER, Markus

Inventor： KRAMER, Torsten ,  FEUSER, Markus

IPC: G06F12/06

CPC classification number: G06F9/342 ,  G06F12/0623

Abstract: In order to provide a microcontroller and an addressing method which are distinguished by a lower storage requirement and a higher execution speed than previously known when addressing N-bit address spaces, the address length N of the N-bit address word being greater than the address length of a standard set of instruction or of equivalents of other sets of instructions of the microcontroller, it is provided that the microcontroller (10) has at least one status bit (12) by means of which a writing and/or reading of N-bit address words by at least one standard instruction of the microcontroller (10) can be forced, and the at least one status bit (12) of a microcontroller (10) is set and as a result a writing and/or reading of N-bit address words by means of at least one standard instruction of the microcontroller (10) is forced.

Abstract translation: 为了提供一个微控制器和寻址方法，它们通过比寻址N位地址空间时先前已知的更低的存储要求和更高的执行速度来区分，N位地址字的地址长度N大于地址 微控制器的标准指令集或其他指令集的等效指令的长度，微控制器（10）具有至少一个状态位（12），通过该状态位的写入和/或读取， 可以强制微控制器（10）的至少一个标准指令的位地址字，并且设置微控制器（10）的至少一个状态位（12），并且因此写入和/或读取N- 通过微控制器（10）的至少一个标准指令来强制位地址字。