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    METHOD FOR PRODUCING A MICROMECHANICAL MEMBRANE STRUCTURE WITH ACCESS FROM THE REAR OF THE SUBSTRATE
    2.
    发明申请
    METHOD FOR PRODUCING A MICROMECHANICAL MEMBRANE STRUCTURE WITH ACCESS FROM THE REAR OF THE SUBSTRATE 审中-公开
    一种用于生产微机械膜片结构，访问从基底BACK

    公开(公告)号：WO2009149980A4

    公开(公告)日：2010-06-10

    申请号：PCT/EP2009054698

    申请日：2009-04-21

    Applicant: BOSCH GMBH ROBERT ,  KRAMER TORSTEN ,  AHLES MARCUS ,  GRUNDMANN ARMIN ,  KNESE KATHRIN ,  BENZEL HUBERT ,  SCHUERMANN GREGOR ,  ARMBRUSTER SIMON

    Inventor： KRAMER TORSTEN ,  AHLES MARCUS ,  GRUNDMANN ARMIN ,  KNESE KATHRIN ,  BENZEL HUBERT ,  SCHUERMANN GREGOR ,  ARMBRUSTER SIMON

    IPC: B81C1/00

    CPC classification number: B81C1/00158 ,  B81B2201/0257 ,  B81B2201/0264 ,  B81C2201/0115 ,  B81C2201/0136 ,  G01L9/0042

    Abstract: The invention proposes a particularly simple, cost-effective method for producing a micromechanical membrane structure with access from the rear of the substrate. Said method is based on a p-doped Si substrate (1) and comprises the following process steps: n-doping of at least one continuous lattice-type region (2) of the substrate surface; porous etching of a substrate region (5) below the n-doped lattice structure (2); creation of a cavity (7) in said substrate region (5) below the n-doped lattice structure (2); growing of a first monocrystalline silicon epitaxial layer (8) on the n-doped lattice structure (2). The invention is characterised in that at least one opening (6) in the n-doped lattice structure (2) is dimensioned in such a way that it is not closed by the growing first epitaxial layer (8) and instead forms an access opening (9) to the cavity (7); an oxide layer (10) is created on the cavity wall; A rear face access (13) to the cavity (7) is created, the oxide layer (10) acting as an etch stop layer; and the oxide layer (10) is removed in the region of the cavity (7) producing a rear face access (13) to the membrane structure (14) lying above the cavity (7).

    Abstract translation: 本发明提供了，提出了一种特别简单和廉价的用于产生具有从所述基材的背面访问的微机械的膜结构的方法。 该方法从p掺杂的Si基板（1）开始延伸，并且包括以下工艺步骤：至少一个连续的网格区域的n型掺杂（2）基片表面的，多孔刻蚀衬底部分（5）的n型掺杂的晶格结构的下面（2 ），在制造空腔（7）的所述衬底区（5）的n型掺杂的晶格结构下方（2）; 在n型掺杂的晶格结构生长第一单晶硅外延层（8）（2）。 它的特征在于，至少一个开口（6）设置在所述n型掺杂的晶格结构的尺寸（2），以便它不被生长第一外延层（8）封闭，但进入开口（9）到所述腔（7）的形式 ; 即在Kavernenw​​andung产生的氧化物层（10）; 所产生的后入口（13）到所述腔（7），其中，所述氧化物层（10）作为在Kavernenw​​andung蚀刻停止; 并且，氧化物层（10）在所述腔（7）的区域中去除，使得形成在膜结构的背面访问（13）到所述洞穴上述（7）（14）形成。

    VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINER MIKROMECHANISCHEN MEMBRANSTRUKTUR MIT ZUGANG VON DER SUBSTRATRÜCKSEITE
    3.
    发明申请
    VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINER MIKROMECHANISCHEN MEMBRANSTRUKTUR MIT ZUGANG VON DER SUBSTRATRÜCKSEITE 审中-公开
    一种用于生产微机械膜片结构，访问从基底BACK

    公开(公告)号：WO2009149980A2

    公开(公告)日：2009-12-17

    申请号：PCT/EP2009/054698

    申请日：2009-04-21

    Applicant: ROBERT BOSCH GMBH ,  KRAMER, Torsten ,  AHLES, Marcus ,  GRUNDMANN, Armin ,  KNESE, Kathrin ,  BENZEL, Hubert ,  SCHUERMANN, Gregor ,  ARMBRUSTER, Simon

    Inventor： KRAMER, Torsten ,  AHLES, Marcus ,  GRUNDMANN, Armin ,  KNESE, Kathrin ,  BENZEL, Hubert ,  SCHUERMANN, Gregor ,  ARMBRUSTER, Simon

    IPC: B81C1/00

    CPC classification number: B81C1/00158 ,  B81B2201/0257 ,  B81B2201/0264 ,  B81C2201/0115 ,  B81C2201/0136 ,  G01L9/0042

    Abstract: Mit der vorliegenden Erfindung wird ein besonders einfaches und kostengünstiges Verfahren zur Herstellung einer mikromechanischen Membranstruktur mit Zugang von der Substratrückseite vorgeschlagen. Dieses Verfahren geht von einem p-dotierten Si-Substrat (1) ausgeht und umfasst die folgenden Prozessschritte: n-Dotierung mindestens eines zusammenhängenden gitterförmigen Bereichs (2) der Substratoberfläche, porös Ätzen eines Substratbereichs (5) unterhalb der n-dotierten Gitterstruktur (2), Erzeugen einer Kaverne (7) in diesem Substratbereich (5) unterhalb der n-dotierten Gitterstruktur (2); Aufwachsen einer ersten monokristallinen Silizium-Epitaxieschicht (8) auf der n-dotierten Gitterstruktur (2). Es ist dadurch gekennzeichnet, dass mindestens eine Öffnung (6) der n-dotierten Gitterstruktur (2) so dimensioniert wird, dass sie durch die aufwachsende erste Epitaxieschicht (8) nicht verschlossen wird sondern eine Zugangsöffnung (9) zu der Kaverne (7) bildet; dass auf der Kavernenwandung eine Oxidschicht (10) erzeugt wird; dass ein Rückseitenzugang (13) zur Kaverne (7) erzeugt wird, wobei die Oxidschicht (10) auf der Kavernenwandung als Ätzstoppschicht dient; und dass die Oxidschicht (10) im Bereich der Kaverne (7) entfernt wird, so dass ein Rückseitenzugang (13) zu der über der Kaverne (7) ausgebildeten Membranstruktur (14) entsteht.

    Abstract translation: 本发明提供了，提出了一种特别简单和廉价的用于产生具有从所述基材的背面访问的微机械的膜结构的方法。 该方法从p掺杂的Si基板（1）开始延伸，并且包括以下工艺步骤：至少一个连续的网格区域的n型掺杂（2）基片表面的，多孔刻蚀衬底部分（5）的n型掺杂的晶格结构的下面（2 ），在制造空腔（7）的所述衬底区（5）的n型掺杂的晶格结构下方（2）; 在n型掺杂的晶格结构生长第一单晶硅外延层（8）（2）。 它的特征在于，至少一个开口（6）设置在所述n型掺杂的晶格结构的尺寸（2），以便它不被生长第一外延层（8）封闭，但进入开口（9）到所述腔（7）的形式 ; 即在Kavernenw​​andung产生的氧化物层（10）; 所产生的后入口（13）到所述腔（7），其中，所述氧化物层（10）作为在Kavernenw​​andung蚀刻停止; 并且，氧化物层（10）在所述腔（7）的区域中去除，使得形成在膜结构的背面访问（13）到所述洞穴上述（7）（14）形成。

    VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES BAUTEILS UND SENSORELEMENT
    4.
    发明申请
    VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES BAUTEILS UND SENSORELEMENT 审中-公开
    方法用于制造部件和传感器元件

    公开(公告)号：WO2008086907A1

    公开(公告)日：2008-07-24

    申请号：PCT/EP2007/062452

    申请日：2007-11-16

    Applicant: ROBERT BOSCH GMBH ,  KRAMER, Torsten ,  KNESE, Kathrin ,  BENZEL, Hubert ,  SCHUERMANN, Gregor ,  ARMBRUSTER, Simon ,  SCHELLING, Christoph

    Inventor： KRAMER, Torsten ,  KNESE, Kathrin ,  BENZEL, Hubert ,  SCHUERMANN, Gregor ,  ARMBRUSTER, Simon ,  SCHELLING, Christoph

    IPC: G01L9/00 ,  B81C1/00

    CPC classification number: G01L9/0042 ,  B81B2203/0127 ,  B81B2203/0315 ,  B81B2203/0353 ,  B81C1/00801 ,  B81C2201/014

    Abstract: Mit der vorliegenden Erfindung werden einfache Maßnahmen vorgeschlagen, die eine nachträgliche Rückseitenprozessierung von Bauteilen mit einer Membranstruktur in der Bauteiloberfläche ermöglichen, um Zugangsöffnungen zu der Kaverne unterhalb der Membran zu erzeugen. Nachdem eine erste Membranschicht (111) und eine Kaverne (12) unter der ersten Membranschicht (111) von der Bauteiloberfläche ausgehend in einem Substratmaterial erzeugt worden sind, soll erfindungsgemäß über der ersten Membranschicht (111) zumindest im Bereich der mindestens einen zu erzeugenden Zugangsöffnung (13) eine Ätzstoppschicht (3) aufgebracht werden. Diese Zugangsöffnung (13) soll dann in einem Ätzschritt erzeugt werden, der von der Bauteilrückseite ausgeht und durch die Ätzstoppschicht (3) über der ersten Membranschicht (111) begrenzt wird.

    Abstract translation: 本发明提出了简单的措施其能够在部件表面具有膜结构的组件的后续Rückseitenprozessierung以形成进入开口至膜下方的空腔。 一个第一薄膜层（111）和所述第一薄膜层的空腔（12）后（111）已经从部件表面产生，在衬底材料开始，应根据本发明在所述第一薄膜层（111）（在至少一个的区域中至少要生成的访问开口 13）的蚀刻停止层（3）被应用。 此访问开口（13）是在蚀刻步骤中，从所述后侧部件和通过在所述第一薄膜层（111）的蚀刻停止层（3）开始被限制为产生。

    MICROMECHANICAL COMPONENT COMPRISING A MEMBRANE LATTICE
    5.
    发明申请
    MICROMECHANICAL COMPONENT COMPRISING A MEMBRANE LATTICE 审中-公开
    微型机械结构元件与MEMBRANGITTER

    公开(公告)号：WO2009059857A3

    公开(公告)日：2009-07-16

    申请号：PCT/EP2008063306

    申请日：2008-10-06

    Applicant: BOSCH GMBH ROBERT ,  KRAMER TORSTEN ,  BENZEL HUBERT ,  ILLING MATTHIAS ,  ARMBRUSTER SIMON ,  BRASAS JOERG

    Inventor： KRAMER TORSTEN ,  BENZEL HUBERT ,  ILLING MATTHIAS ,  ARMBRUSTER SIMON ,  BRASAS JOERG

    IPC: B81B3/00

    CPC classification number: B81B3/007 ,  B81B2203/0127 ,  B81B2203/0315 ,  B81C1/00476

    Abstract: The invention relates to a micromechanical component comprising a substrate, a stabilisation element provided with openings, and a cavity located between the stabilisation element and the substrate. According to the invention, the minimum depth of the cavity can be deduced from the distribution of the openings in the stabilisation element. Essentially, the distance between the openings is to be taken into account for the determination of the required depth of the cavity. These distances are advantageously obtained by determining the distances between the centroids of the individual openings.

    Abstract translation: 本发明描述了一种具有基板，有开口的稳定元件和位于所述稳定元件和所述衬底之间的空腔中的微机械部件。 根据本发明，可以从稳定元件中的开口的分布推断出洞穴的最小深度。 基本上，它提供了在确定必要的洞穴深度时考虑开口彼此之间的距离。 这有利地通过确定各个开口的表面中心之间彼此之间的距离来实现。

    MIKROMECHANISCHES BAUELEMENT MIT EINEM MEMBRANGITTER
    6.
    发明申请
    MIKROMECHANISCHES BAUELEMENT MIT EINEM MEMBRANGITTER 审中-公开
    与膜GRID微机械部件

    公开(公告)号：WO2009059857A2

    公开(公告)日：2009-05-14

    申请号：PCT/EP2008/063306

    申请日：2008-10-06

    Applicant: ROBERT BOSCH GMBH ,  KRAMER, Torsten ,  BENZEL, Hubert ,  ILLING, Matthias ,  ARMBRUSTER, Simon ,  BRASAS, Joerg

    Inventor： KRAMER, Torsten ,  BENZEL, Hubert ,  ILLING, Matthias ,  ARMBRUSTER, Simon ,  BRASAS, Joerg

    IPC: B81B3/00

    CPC classification number: B81B3/007 ,  B81B2203/0127 ,  B81B2203/0315 ,  B81C1/00476

    Abstract: Die vorliegende Erfindung beschreibt ein mikromechanisches Bauelement mit einem Substrat, einem Stabilisierungselement mit Öffnungen und einer zwischen dem Stabilisierungselement und dem Substrat befindlichen Kaverne. Erfindungsgemäß lässt sich aus der Verteilung der Öffnungen in dem Stabilisierungselement auf eine Mindesttiefe der Kaverne schließen. Im wesentlichen ist vorgesehen, den Abstand der Öffnungen zueinander bei der Ermittlung der notwendigen Kavernentiefe zu berücksichtigen. Dies wird vorteilhafterweise durch eine Ermittlung der Abstände der Flächenmittelpunkte der einzelnen Öffnungen zueinander erreicht.

    Abstract translation: 本发明描述了一种具有基板，有开口的稳定元件和位于所述稳定元件和所述衬底之间的空腔中的微机械部件。 根据本发明，它可以在从开口在稳定元件的分布的洞穴的最小深度结束。 从本质上说，提供了一种确定必要的洞穴深度时要考虑到开口的距离彼此连接。 这有利地通过确定所述各个开口彼此的质心的距离来实现的。

    METHOD FOR PRODUCING A MICROMECHANICAL MEMBRANE STRUCTURE WITH ACCESS FROM THE REAR OF THE SUBSTRATE
    7.
    发明申请
    METHOD FOR PRODUCING A MICROMECHANICAL MEMBRANE STRUCTURE WITH ACCESS FROM THE REAR OF THE SUBSTRATE 审中-公开
    用于从基板背面获得微机械膜结构的方法

    公开(公告)号：WO2009149980A3

    公开(公告)日：2010-04-22

    申请号：PCT/EP2009054698

    申请日：2009-04-21

    Applicant: BOSCH GMBH ROBERT ,  KRAMER TORSTEN ,  AHLES MARCUS ,  GRUNDMANN ARMIN ,  KNESE KATHRIN ,  BENZEL HUBERT ,  SCHUERMANN GREGOR ,  ARMBRUSTER SIMON

    Inventor： KRAMER TORSTEN ,  AHLES MARCUS ,  GRUNDMANN ARMIN ,  KNESE KATHRIN ,  BENZEL HUBERT ,  SCHUERMANN GREGOR ,  ARMBRUSTER SIMON

    IPC: B81C1/00

    CPC classification number: B81C1/00158 ,  B81B2201/0257 ,  B81B2201/0264 ,  B81C2201/0115 ,  B81C2201/0136 ,  G01L9/0042

    Abstract: The invention proposes a particularly simple, cost-effective method for producing a micromechanical membrane structure with access from the rear of the substrate. Said method is based on a p-doped Si substrate (1) and comprises the following process steps: n-doping of at least one continuous lattice-type region (2) of the substrate surface; porous etching of a substrate region (5) below the n-doped lattice structure (2); creation of a cavity (7) in said substrate region (5) below the n-doped lattice structure (2); growing of a first monocrystalline silicon epitaxial layer (8) on the n-doped lattice structure (2). The invention is characterised in that at least one opening (6) in the n-doped lattice structure (2) is dimensioned in such a way that it is not closed by the growing first epitaxial layer (8) and instead forms an access opening (9) to the cavity (7); an oxide layer (10) is created on the cavity wall; A rear face access (13) to the cavity (7) is created, the oxide layer (10) acting as an etch stop layer; and the oxide layer (10) is removed in the region of the cavity (7) producing a rear face access (13) to the membrane structure (14) lying above the cavity (7).

    Abstract translation: 本发明提出了一种特别简单且成本有效的方法，用于制造从基底后部进入的微机械膜结构。 该方法从p掺杂的Si基板（1）开始延伸，并且包括以下工艺步骤：至少一个连续的网格区域的n型掺杂（2）基片表面的，多孔刻蚀衬底部分（5）的n型掺杂的晶格结构的下面（2 ），在n-掺杂晶格结构（2）下方的该衬底区域（5）中产生洞穴（7）; 在n型掺杂的晶格结构（2）上生长第一单晶硅外延层（8）。 它的特征在于，至少一个开口（6）设置在所述n型掺杂的晶格结构的尺寸（2），以便它不被生长第一外延层（8）封闭，但进入开口（9）到所述腔（7）的形式 ; 在洞穴壁上产生氧化层（10）; 产生到洞穴（7）的背部入口（13），其中洞穴壁上的氧化物层（10）用作蚀刻停止层; 并且，氧化物层（10）在所述腔（7）的区域中去除，使得形成在膜结构的背面访问（13）到所述洞穴上述（7）（14）形成。

    VERFAHREN ZUM HERSTELLEN EINER VIELZAHL VON CHIPS UND ENTSPRECHEND HERGESTELLTER CHIP
    10.
    发明申请
    VERFAHREN ZUM HERSTELLEN EINER VIELZAHL VON CHIPS UND ENTSPRECHEND HERGESTELLTER CHIP 审中-公开
    用于生产芯片中的品种，相应地做出CHIP

    公开(公告)号：WO2009033871A1

    公开(公告)日：2009-03-19

    申请号：PCT/EP2008/059688

    申请日：2008-07-24

    Applicant: ROBERT BOSCH GMBH ,  KRAMER, Torsten ,  BOEHRINGER, Matthias ,  PINTER, Stefan ,  BENZEL, Hubert ,  ILLING, Matthias ,  HAAG, Frieder ,  ARMBRUSTER, Simon

    Inventor： KRAMER, Torsten ,  BOEHRINGER, Matthias ,  PINTER, Stefan ,  BENZEL, Hubert ,  ILLING, Matthias ,  HAAG, Frieder ,  ARMBRUSTER, Simon

    IPC: H01L21/78 ,  B81C1/00

    CPC classification number: H01L21/78 ,  B81C1/00896 ,  B81C2201/053

    Abstract: Mit der vorliegenden Erfindung wird ein Herstellungsverfahren für Chips vorgeschlagen, bei dem möglichst viele Verfahrensschritte im Waferverbund, also parallel für eine Vielzahl von auf einem Wafer angeordneten Chips, durchgeführt werden. Es handelt sich dabei um ein Verfahren zum Herstellen einer Vielzahl von Chips, deren Funktionalität ausgehend von der Oberflächenschicht (2) eines Substrats (1) realisiert wird. Bei diesem Verfahren wird die Oberflächenschicht (2) strukturiert und mindestens ein Hohlraum (3) unter der Oberflächenschicht (2) erzeugt, so dass die einzelnen Chipbereiche (5) lediglich über Aufhängestege untereinander und/oder mit dem übrigen Substrat (1) verbunden sind, und/oder so dass die einzelnen Chipbereiche (5) über Stützelemente (7) im Bereich des Hohlraums (3) mit der Substratschicht (4) unterhalb des Hohlraums (3) verbunden sind. Beim Vereinzeln der Chips werden die Aufhängestege und/oder Stützelemente (7) aufgetrennt. Erfindungsgemäß wird die strukturierte und unterhöhlte Oberflächenschicht (2) des Substrats (1) vor dem Vereinzeln der Chips in eine Kunststoffmasse (10) eingebettet.

    Abstract translation: 与本发明的芯片的制造方法，提出了其中在晶片装配尽可能多的工艺步骤，所以并行设置，用于在晶片上的多个芯片中执行。 这是一种用于制造多个芯片，其功能，从（1）实现的衬底的表面层（2）开始的方法。 在该方法中，产生在表面层（2）的结构和至少一个腔（3）的表面层下面（2）中，以使得单独的芯片区域（5）仅经由悬架腹板之间彼此和/或与基板（1）的其余部分相连接， 和/或使得各个芯片区域（5）的支承元件（7）在空腔（3）与腔下方的基板层（4）的区域（3）。 在芯片的分离，悬浮液纤维网和/或支撑元件（7）是分离的。 根据本发明，该芯片在一个塑料的质量（10）在分离前的基板（1）的图案化和底切表面层（2）被嵌入。

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