公开(公告)号：WO2012062512A1

公开(公告)日：2012-05-18

申请号：PCT/EP2011/066743

申请日：2011-09-27

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH ,  SABATHIL, Matthias ,  LINKOV, Alexander ,  KÖLPER, Christopher

Inventor： SABATHIL, Matthias ,  LINKOV, Alexander ,  KÖLPER, Christopher

IPC: H01L33/00 ,  H01L33/50 ,  H01L33/20 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L33/50 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/02647 ,  H01L33/007 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/20 ,  H01L2933/0041 ,  H01L2933/0083

Abstract: Es ist ein optoelektronischer Halbleiterchip (10) angegeben, der einen Halbleiterschichtenstapel (2) umfasst. Der Halbleiterschichtenstapel (2) weist eine zur Strahlungserzeugung vorgesehene aktive Schicht und eine Strahlungsaustrittsseite (21) auf. Der Halbleiterchip (10) weist weiter eine Konversionsschicht (3) auf, die mit einer Befestigungsseite (31) auf der Strahlungsaustrittsseite (21) des Halbleiterschichtenstapels (2) angeordnet ist. Die Konversionsschicht (3) ist geeignet, zumindest einen Teil der von der aktiven Schicht emittierten Strahlung in Strahlung einer anderen Wellenlänge umzuwandeln. Die Befestigungsseite (31) der Konversionsschicht (3) weist eine erste Nanostrukturierung (4) auf. Die Strahlungsaustrittsseite (21) des Halbleiterschichtenstapels (2) weist eine zweite Nanostrukturierung (5) auf. Weiter ist ein Verfahren zur Herstellung eines derartigen Halbleiterchips (10) angegeben.

Abstract translation: 它被指示时，光电子半导体芯片（10），其包括半导体层堆叠（2）。 半导体层堆叠（2）具有用于产生辐射有源层和辐射出射侧（21）的开口。 半导体芯片（10），还包括被布置成与上半导体层堆叠（2）的辐射出射侧（21）连接侧（31）的转换层（3）。 转换层（3）被适配为至少从所述有源层发射到不同的波长的辐射的光的一部分转换。 转换层（3）的紧固侧（31）具有第一纳米结构体（4）。 半导体层堆叠（2）的辐射出射侧（21）包括第二纳米结构化（5）。 此外，被指定用于制造这样的半导体芯片（10）的方法。

公开(公告)号：WO2010149539A1

公开(公告)日：2010-12-29

申请号：PCT/EP2010/058393

申请日：2010-06-15

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH ,  GRÖTSCH, Stefan ,  KOCUR, Simon ,  SABATHIL, Matthias

Inventor： GRÖTSCH, Stefan ,  KOCUR, Simon ,  SABATHIL, Matthias

IPC: G03B21/20 ,  G03B33/08 ,  G03B21/14 ,  H04N9/31 ,  H01L33/50

CPC classification number: H04N9/3111 ,  G03B21/2013 ,  G03B21/204 ,  G03B33/08 ,  H01L25/0756 ,  H01L27/15 ,  H01L33/22 ,  H01L33/382 ,  H01L2924/0002 ,  H04N9/3164 ,  H01L2924/00

Abstract: Es wird ein optisches Projektionsgerät angegeben, mit - einer ersten Lichtquelle (1), - einer zweiten Lichtquelle (2), und - einem bildgebenden Element (8), das im Betrieb von der ersten (1) und der zweiten Lichtquelle (2) ausgeleuchtet wird, wobei - die erste Lichtquelle (1) einen im Betrieb rotes Licht emittierenden Leuchtdiodenchip (11) umfasst, und - die zweite Lichtquelle (2) einen ersten (21), im Betrieb grünes Licht und einen zweiten (22), im Betrieb blaues Licht emittierenden Leuchtdiodenchip umfasst, wobei der zweite Leuchtdiodenchip (22) an einer Strahlungsaustrittsfläche (212) des ersten Leuchtdiodenchips (21) auf dem ersten Leuchtdiodenchip (21) angeordnet ist, so dass im Betrieb im ersten Leuchtdiodenchip (21) erzeugte elektromagnetische Strahlung durch den zweiten Leuchtdiodenchip (22) tritt.

Abstract translation: 公开的是一种投影光学设备，包括： - 第一光源（1）， - 第二光源（2），以及 - 成像元件（8），其在所述第一（1）和所述第二光源的操作被照亮（2） 是，其特征在于， - 所述第一光源（1）包括发射操作红色发光二极管芯片（11），以及 - 第二光源（2）包括第一（21），在操作期间绿光和第二（22），在操作蓝色 发光二极管芯片，其中所述第二LED的第一LED芯片（21）上的第一发光二极管芯片（21）的芯片（22）（212）被布置在辐射出射表面上，从而在第一LED芯片运行期间产生的热量（21）由所述电磁辐射的第二 发生的发光二极管芯片（22）。

公开(公告)号：WO2010048921A3

公开(公告)日：2010-05-06

申请号：PCT/DE2009/001436

申请日：2009-10-16

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH ,  BRICK, Peter ,  LUCKNER, Hagen ,  SABATHIL, Matthias

Inventor： BRICK, Peter ,  LUCKNER, Hagen ,  SABATHIL, Matthias

IPC: H01L33/38

Abstract: Es wird ein Lumineszenzdiodenchip angegeben. Dieser umfasst eine Halbleiterschichtenfolge, die eine zur Erzeugung von elektromagnetischer Strahlung geeignete aktive Schicht aufweist, und eine erste elektrische Anschlussschicht, die die Halbleiterschichtenfolge berührt und elektrisch leitend kontaktiert. Die erste elektrische Anschlussschicht berührt und kontaktiert die Halbleiterschichtenfolge insbesondere mit einer Mehrzahl von Kontaktflächen (21). Bei dem Lumineszenzdiodenchip ist gezielt eine inhomogene Stromdichteverteilung oder Stromverteilung in der Halbleiterschichtenfolge durch eine inhomogene Verteilung einer Flächendichte der Kontaktflächen entlang einer Haupterstreckungsebene der Halbleiterschichtenfolge eingestellt.

公开(公告)号：WO2009132641A1

公开(公告)日：2009-11-05

申请号：PCT/DE2009/000629

申请日：2009-04-28

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH ,  SABATHIL, Matthias ,  HÖPPEL, Lutz ,  WEIMAR, Andreas ,  ENGL, Karl ,  BAUR, Johannes

Inventor： SABATHIL, Matthias ,  HÖPPEL, Lutz ,  WEIMAR, Andreas ,  ENGL, Karl ,  BAUR, Johannes

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/387 ,  H01L33/42 ,  H01L33/46 ,  H01L33/641 ,  H01L33/642 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: Es wird ein Leuchtdiodenchip (1) mit einer Halbleiterschichtenfolge (2) beschrieben, die von Kontakten (5) über eine Stromaufweitungsschicht (3) elektrisch kontaktiert wird. Die Kontakte (5) bedecken zirka 1 % - 8 % der Fläche der Halbleiterschichtenfolge (2). Die Kontakte (5) bestehen beispielsweise aus separaten Kontaktpunkten (51), die an den Knotenpunkten eines regelmäßigen Gitters (52) mit einer Gitterkonstante von 12 μm angeordnet sind. Die Stromaufweitungsschicht (3) enthält beispielsweise Indiumzinnoxid, Indiumzinkoxid oder Zinkoxid und weist eine Dicke im Bereich von 15 nm bis 60 nm auf.

Abstract translation: 公开的是具有半导体层序列的发光二极管芯片（1）（2）触头（5）通过电流扩散层（3）电接触。 触头（5），其覆盖约1％ - 半导体层序列（2）的表面的8％。 例如触头（5）包括被布置在具有12微米的晶格常数的规则栅格（52）的结点分离的接触点（51）。 电流扩散层（3）包括，例如氧化铟锡，氧化铟锌或氧化锌，其厚度在15纳米至60纳米的范围内。

公开(公告)号：WO2009121319A1

公开(公告)日：2009-10-08

申请号：PCT/DE2009/000354

申请日：2009-03-13

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH ,  ENGL, Karl ,  HÖPPEL, Lutz ,  RODE, Patrick ,  SABATHIL, Matthias

Inventor： ENGL, Karl ,  HÖPPEL, Lutz ,  RODE, Patrick ,  SABATHIL, Matthias

IPC: H01L33/00 ,  H01L29/45 ,  H01L21/225

CPC classification number: H01L33/382 ,  H01L33/10 ,  H01L33/40 ,  H01L33/46 ,  H01L33/62 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: Es wird ein optoelektronischer Halbleiterchip angegeben. Der Halbleiterchip weist eine Halbleiterschichtenfolge (2) mit einer zur Strahlungserzeugung vorgesehenen aktiven Schicht (23) zwischen einer Schicht eines ersten Leitfähigkeitstyps (21) und einer Schicht eines zweiten Leitfähigkeitstyps (22) auf. Die Schicht des ersten Leitfähigkeitstyps (21) ist einer Vorderseite (110) der Halbleiterschichtenfolge (2) benachbart. Die Halbleiterschichtenfolge (2) enthält mindestens eine Ausnehmung (3), die sich von einer der Vorderseite (110) gegenüberliegenden Rückseite (120) der Halbleiterschichtenfolge (2) durch die aktive Schicht (23) hindurch zur Schicht des ersten Leitfähigkeitstyps (21) erstreckt. Die Schicht des ersten Leitfähigkeitstyps (21) ist mittels einer ersten elektrischen Anschlussschicht (5), welche die Rückseite (120) der Halbleiterschichtenfolge (2) zumindest stellenweise bedeckt, durch die Ausnehmung (3) hindurch elektrisch angeschlossen. Der Halbleiterchip enthält im Bereich der Ausnehmung (3) eine Übergangsschicht (20), die eine Materialzusammensetzung aus Material der Schicht des ersten Leitfähigkeitstyps (21) und aus Material der ersten elektrischen Anschlussschicht (5) aufweist. Weiter wird ein Verfahren zur Herstellung eines solchen Halbleiterchips angegeben.

Abstract translation: 提供了一种光电子半导体芯片。 半导体芯片具有预期用于第一导电类型（21）和第二导电类型（22）的层构成的层之间产生辐射活性层（23）的半导体层序列（2）。 第一导电类型（21）的层是相邻的半导体层序列（2）的前侧（110）。 半导体层序列（2）包含通过对第一导电类型（21）的层（3）从通过有源层（23）的半导体层序列（2）的前侧（110）相对的后侧（120）中的一个延伸的至少一个凹部。 由（5）覆盖所述半导体层序列（2）中的至少在通过电连接由凹部（3）所覆盖的地方的背面（120）的第一电连接层的装置中的第一导电类型（21）的层。 该半导体芯片包括具有在所述凹部的区域中的第一导电类型（21）的材料层的材料组成的过渡层（20），（3）和从所述第一电连接层的材料（5）。 此外，被指定用于制造这样的半导体芯片的方法。

公开(公告)号：WO2009039812A1

公开(公告)日：2009-04-02

申请号：PCT/DE2008/001424

申请日：2008-08-27

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH ,  RODE, Patrick ,  ENGL, Karl ,  STRASSBURG, Martin ,  HÖPPEL, Lutz ,  SABATHIL, Matthias

Inventor： RODE, Patrick ,  ENGL, Karl ,  STRASSBURG, Martin ,  HÖPPEL, Lutz ,  SABATHIL, Matthias

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/405 ,  H01L33/007 ,  H01L33/40 ,  H01L33/58 ,  H01L2933/0091

Abstract: Ein optoelektronischer Halbleiterkörper (10) umfasst ein Substrat (11) mit einer Vorderseite (12) zur Emission von elektromagnetischer Strahlung (S). Der optoelektronischer Halbleiterkörper (10) weist eine Halbleiterschichtenfolge (14) auf, die an einer Rückseite (13) des Substrats (11) angeordnet ist und eine zur Erzeugung der elektromagnetischen Strahlung (S) geeignete aktive Schicht (19) aufweist. Weiter umfasst der optoelektronischer Halbleiterkörper (10) eine erste und eine zweite elektrische Anschlussschicht (15, 16), die an einer vom Substrat (11) abgewandten ersten Fläche (17) der Halbleiterschichtenfolge (14) angeordnet sind.

Abstract translation: 的光电子半导体本体（10）包括具有用于发射电磁辐射（S）的前表面（12）的基板（11）。 所述光电子半导体本体（10）具有的半导体层序列（14），其在所述基板的后侧（13）（11）被布置和用于产生电磁辐射（S），其具有适当的活性层（19）。 此外，光电子半导体本体（10）包括第一和背离半导体层序列（14）的所述衬底（11）第一表面（17）离开的第二电连接层（15，16）被布置。

公开(公告)号：WO2008089728A2

公开(公告)日：2008-07-31

申请号：PCT/DE2008/000081

申请日：2008-01-17

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH ,  SABATHIL, Matthias ,  HÖPPEL, Lutz ,  EICHLER, Christoph ,  ENGL, Karl ,  PETER, Matthias ,  STRASSBURG, Martin

Inventor： SABATHIL, Matthias ,  HÖPPEL, Lutz ,  EICHLER, Christoph ,  ENGL, Karl ,  PETER, Matthias ,  STRASSBURG, Martin

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/382 ,  H01L33/145 ,  H01L33/22 ,  H01L33/405 ,  H01L33/44 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: Es wird ein Leuchtdiodenchip mit einer Schichtenfolge (10) angegeben, die mindestens eine n-leitende Schicht aufweist. Der Leuchtdiodenchip weist eine leitend mit der n-leitenden Schicht verbundene Spiegelschicht auf. Zwischen der n-leitenden Schicht und der Spiegelschicht ist mindestens eine transparente dielektrische Schicht angeordnet.

Abstract translation: 公开了一种具有层序列（10），其具有至少一个n型层的发光二极管芯片。 LED芯片具有传导地连接到n型层的反射镜层。 n型层和该反射层之间包括至少一个透明介电层。

公开(公告)号：WO2013034486A1

公开(公告)日：2013-03-14

申请号：PCT/EP2012/066901

申请日：2012-08-30

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH ,  KATZ, Simeon ,  GALLER, Bastian ,  STRASSBURG, Martin ,  SABATHIL, Matthias

Inventor： KATZ, Simeon ,  GALLER, Bastian ,  STRASSBURG, Martin ,  SABATHIL, Matthias

IPC: H01L33/06

CPC classification number: H01L33/06 ,  H01L33/32

Abstract: Es wird ein optoelektronisches Bauelement (11) angegeben, das eine aktive Schicht mit einer Quantentopfstruktur (5) aufweist, wobei die Quantentopfstruktur (5) mindestens eine Barriereschicht (2) aus In y Ga 1-y N mit 0 ≤ y z Ga 1-z N mit 0 y umfasst, wobei in der Quantentopfstruktur (5) mindestens eine Zwischenschicht (3) aus Al 1-x In x N mit 0 ≤ x ≤ 0,6 enthalten ist, die eine Dicke von weniger als 1,5 nm aufweist.

Abstract translation: 提供了一种具有一具有一量子阱结构的有源层的光电子器件（11）（5），其特征在于，（2）的量子阱结构（5）的至少一个阻挡层由在In y镓1-Y n，其中0 <= Y <1个至少一个量子阱层（ 1）由INZ GA1-Z N，其中0 y表示，其中（在该量子阱结构5）=至少一个中间层（3）×N个带0

公开(公告)号：WO2012028460A2

公开(公告)日：2012-03-08

申请号：PCT/EP2011064185

申请日：2011-08-17

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH ,  HOEPPEL LUTZ ,  VON MALM NORWIN ,  SABATHIL MATTHIAS

Inventor： HOEPPEL LUTZ ,  VON MALM NORWIN ,  SABATHIL MATTHIAS

IPC: H01L33/22 ,  H01L25/075 ,  H01L33/00

CPC classification number: H01L33/22 ,  H01L33/0079

Abstract: A light-emitting diode chip is specified, comprising - a semiconductor body (1) comprising a radiation-generating active region (13), - at least two contact locations (2a, 2b) for making electrical contact with the active region, - a carrier (3) and - a connecting means (4), arranged between the carrier (3) and the semiconductor body (1), wherein - the semiconductor body (1) has a roughening (15) at its outer surfaces facing the carrier (3), - the semiconductor body (1) is mechanically connected to the carrier (3) by means of the connecting means (4), - the connecting means (4) is in direct contact with the semiconductor body (1) and the carrier (3) in some locations, and - the at least two contact locations (2a, 2b) are arranged at the top side of the semiconductor body (1) that faces away from the carrier (3).

Abstract translation: 本发明公开了一种发光二极管芯片，包括： - 一个半导体本体（1），其包括产生辐射的有源区（13）， - 至少两个垫（2A，2B），用于电接触所述有源区， - 支承件（3），以及 - 一个 连接装置（4），其被布置在所述支撑件（3）和半导体本体（1）之间， - 具有半导体主体（1）在其面向（3）的面向粗糙化（15）的外表面的支撑侧， - 在半导体本体（1） 通过连接装置的装置（4）机械地连接到所述载体（3）， - 在与所述半导体基体直接接触的地方，所述连接装置（4）（1）与所述支撑件（3），以及 - 所述至少两个接触点（2A，2B ）布置在背对半导体本体（1）的上侧的载体（3）上。

公开(公告)号：WO2011085895A1

公开(公告)日：2011-07-21

申请号：PCT/EP2010/069776

申请日：2010-12-15

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH ,  GMEINWIESER, Nikolaus ,  SABATHIL, Matthias ,  LEBER, Andreas

Inventor： GMEINWIESER, Nikolaus ,  SABATHIL, Matthias ,  LEBER, Andreas

IPC: H01L33/42 ,  H01L33/38 ,  H01L33/22

CPC classification number: H01L33/42 ,  H01L33/02 ,  H01L33/20 ,  H01L33/22 ,  H01L33/382 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2924/00014

Abstract: In mindestens einer Ausführungsform des optoelektronischen Halbleiterchips (1) beinhaltet dieser eine Halbleiterschichtenfolge (2) mit einer aktiven Schicht (3). Weiterhin umfasst der Halbleiterchip (1) eine Lichtauskoppelschicht (4), die mindestens mittelbar auf einer Strahlungsdurchtrittsfläche (20) der Halbleiterschichtenfolge (2) aufgebracht ist. Ein Material der Lichtauskoppelschicht (4) ist von einem Material der Halbleiterschichtenfolge (2) verschieden und Brechungsindices der Materialien der Lichtauskoppelschicht (4) und der Halbleiterschichtenfolge (2) unterscheiden sich um höchstens 20 % voneinander. Durch Ausnehmungen (44) in der Lichtauskoppelschicht (4) sind Facetten (40) gebildet, wobei die Ausnehmungen (44) die Lichtauskoppelschicht (4) nicht vollständig durchdringen. Außerdem weisen die Facetten (40) eine Gesamtfläche auf, die mindestens 25 % eines Flächeninhalts der Strahlungsdurchtrittsfläche (20) entspricht.

Abstract translation: 在半导体层中的序列（2）的光电子半导体芯片（1）的至少一个实施例包括具有有源层（3）。 此外，半导体芯片（1）包括光提取层（4），其被施加至少间接地在所述半导体层序列（2）的辐射穿透面（20）。 光提取层（4）的材料是半导体层序列（2）和光提取层（4）和所述半导体层序列（2）相差超过20％彼此的材料的折射率不同的材料制成。 由（4）面（40）形成在所述光提取层的凹部（44），其特征在于，所述凹部（44）不完全穿透所述光提取层（4）。 此外，小面（40）具有其是辐射穿透面（20）的表面积的至少25％的总面积。