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    LICHT EMITTIERENDES HALBLEITERBAUTEIL
    1.
    发明申请
    LICHT EMITTIERENDES HALBLEITERBAUTEIL 审中-公开
    半导体发光元件

    公开(公告)号：WO2012126735A1

    公开(公告)日：2012-09-27

    申请号：PCT/EP2012/053914

    申请日：2012-03-07

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH ,  SABATHIL, Matthias ,  PLÖSSL, Andreas ,  LUGAUER, Hans-Jürgen ,  LINKOV, Alexander ,  RODE, Patrick

    Inventor： SABATHIL, Matthias ,  PLÖSSL, Andreas ,  LUGAUER, Hans-Jürgen ,  LINKOV, Alexander ,  RODE, Patrick

    IPC: H01L33/50

    CPC classification number: H01L33/08 ,  H01L33/0075 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/06 ,  H01L33/22 ,  H01L33/26 ,  H01L33/32 ,  H01L33/502 ,  H01L33/504

    Abstract: Es wird ein Licht emittierendes Halbleiterbauteil angegeben, mit - einem ersten Halbleiterkörper (1), der eine aktive Zone (11) umfasst, in der im Betrieb des Licht emittierenden Halbleiterbauteils elektromagnetische Strahlung erzeugt wird, die den ersten Halbleiterkörper (1) zumindest teilweise durch eine Strahlungsaustrittsfläche (1a) hindurch verlässt, und - einem zweiten Halbleiterkörper (2), der zur Konversion der elektromagnetischen Strahlung in konvertierte elektromagnetische Strahlung kleinere Wellenlänge geeignet ist, wobei - der erste Halbleiterkörper (1) und der zweite Halbleiterkörper (2) getrennt voneinander gefertigt sind, - der zweite Halbleiterkörper (2) elektrisch inaktiv ist, und - der zweite Halbleiterkörper (2) sich in direktem Kontakt mit der Strahlungsaustrittfläche (1a) befindet und dort verbindungsmittelfrei am ersten Halbleiterkörper (1) befestigt ist.

    Abstract translation: 本发明公开一种发光半导体器件，包括： - 第一半导体本体（1），它包括一个有源区（11），在光半导体装置的操作期间的发射产生的电磁辐射，所述第一半导体本体（1）至少部分地由一 辐射出射表面（1a）的通过叶，以及 - 第二半导体主体（2），其适合用于将电磁辐射转换成转换后的电磁辐射更短的波长，其特征在于， - 所述第一半导体本体（1）和第二半导体本体（2）彼此分开地制造， - 所述第二半导体本体（2）是电惰性，以及 - 所述第二半导体本体（2）与所述辐射出射表面（1a）的直接接触，并有连接装置自由所述第一半导体本体（1）附接在。

    OPTOELEKTRONISCHER HALBLEITERKÖRPER MIT TUNNELÜBERGANG UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES SOLCHEN
    4.
    发明申请
    OPTOELEKTRONISCHER HALBLEITERKÖRPER MIT TUNNELÜBERGANG UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES SOLCHEN 审中-公开
    与隧道过渡和方法光电子半导体本体，其制造方法

    公开(公告)号：WO2009106070A1

    公开(公告)日：2009-09-03

    申请号：PCT/DE2009/000282

    申请日：2009-02-26

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH ,  STRASSBURG, Martin ,  HÖPPEL, Lutz ,  SABATHIL, Matthias

    Inventor： STRASSBURG, Martin ,  HÖPPEL, Lutz ,  SABATHIL, Matthias

    IPC: H01L33/00

    CPC classification number: H01L33/04 ,  H01L29/88 ,  H01L33/32 ,  H01L2924/0002 ,  H01S5/0421 ,  H01S5/3095 ,  H01S5/32341 ,  H01L2924/00

    Abstract: Es wird ein optoelektronischer Halbleiterkörper mit einer epitaktischen Halbleiterschichtenfolge angegeben, die einen Tunnelübergang (2) und eine zur Emission von elektromagnetischer Strahlung vorgesehene aktive Schicht (4) aufweist. Der Tunnelübergang weist eine Zwischenschicht (23) zwischen einer n-Typ-Tunnelübergangsschicht (21) und einer p-Typ-Tunnelübergangsschicht (22) auf. Bei einer Ausführungsform weist die Zwischenschicht eine der n-Typ-Tunnelübergangsschicht zugewandte n-Barriereschicht (231), eine der p-Typ-Tunnelübergangsschicht zugewandte p-Barriereschicht (233) und eine Mittelschicht (232) auf. Die Materialzusammensetzung der Mittelschicht unterscheidet sich von der Materialzusammensetzung der n-Barriereschicht und der p-Barriereschicht. Bei einer weiteren Ausführungsform ist die Zwischenschicht (23) alternativ oder zusätzlich gezielt mit Störstellen (6) versehen. Weiterhin wird ein Verfahren zum Herstellen eines solchen optoelektronischen Halbleiterkörpers angegeben.

    Abstract translation: 它与外延半导体层序列指定，具有隧道结的光电子半导体主体（2）和用于电磁辐射活性层的发射（4）。 隧道结包括一个n型隧道结层（21）和p型隧道结层（22）之间的中间层（23）。 在一个实施例中，中间层具有面对正势垒层（231），面向对 - 阻挡层（233）和中间层（232）在p型隧道结层中的一个的n型隧道结层中的一个。 中间层的材料组合物，是从n势垒层和p型势垒层的材料组成不同。 在另一个实施例中，中间层（23）被替代地或额外地提供有特定杂质（6）。 此外，提供了一种用于制造这样的光电子半导体本体的方法。

    STRAHLUNGSEMITTIERENDE VORRICHTUNG
    5.
    发明申请
    STRAHLUNGSEMITTIERENDE VORRICHTUNG 审中-公开
    发射辐射的装置

    公开(公告)号：WO2009095007A1

    公开(公告)日：2009-08-06

    申请号：PCT/DE2009/000135

    申请日：2009-01-29

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH ,  SABATHIL, Matthias

    Inventor： SABATHIL, Matthias

    IPC: H01L33/00

    CPC classification number: H01L33/10 ,  H01L33/22 ,  H01L33/382 ,  H01L33/508 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

    Abstract: Es wird eine strahlungsemittierende Vorrichtung mit einer epitaktischen Halbleiterschichtenfolge (20) mit einer aktiven Schicht (30) zur Emission einer Primärstrahlung, einer Strahlungsauskoppelfläche (10) auf einer Oberfläche der epitaktischen Halbleiterschichtenfolge (20) zur Auskopplung der Primärstrahlung, einer Spiegelschicht (50) auf einer von der Strahlungsauskoppelfläche (10) abgewandten Oberfläche der Halbleiterschichtenfolge (20), und einer Wellenlängenkonversionsschicht (100) zwischen der aktiven Schicht (30) und der Spiegelschicht (50), wobei die Wellenlängenkonversionsschicht (100) zumindest einen Leuchtstoff (70) zur Wellenlängenkonversion der Primärstrahlung in eine Sekundärstrahlung aufweist, wobei die Wellenlängenkonversionsschicht (100) zumindest eine Öffnung aufweist, in der ein elektrisches Kontaktelement (90) zur elektrischen Kontaktierung der Halbleiterschichtenfolge (20) angeordnet ist, angegeben.

    Abstract translation: 它是具有用于对上的耦合初级辐射，反射镜层（50）的外延半导体层序列（20）的表面上发射初级辐射，辐射输出（10）的有源层（30）的外延半导体层序列（20）发射辐射的装置 从半导体层序列（20）的表面背对所述辐射（10），以及在有源层（30）和镜面层（50）之间的波长转换层（100）的，所述用于初级辐射的波长转换的波长转换层（100）的至少一个磷光体（70） 包括成次级辐射，其中，所述波长转换层（100）具有至少一个开口，其中布置指定半导体层序列（20）电接触的电接触元件（90）。

    OPTOELECTRONIC COMPONENT HAVING A LAYER STACK
    6.
    发明申请
    OPTOELECTRONIC COMPONENT HAVING A LAYER STACK 审中-公开
    WITH A栈层OPTO电子元件

    公开(公告)号：WO2009015645A3

    公开(公告)日：2009-04-23

    申请号：PCT/DE2008001225

    申请日：2008-07-24

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH ,  AHLSTEDT MAGNUS ,  BADER STEFAN ,  BAUR JOHANNES ,  SABATHIL MATTHIAS ,  STRASSBURG MARTIN ,  ZEHNDER ULRICH

    Inventor： AHLSTEDT MAGNUS ,  BADER STEFAN ,  BAUR JOHANNES ,  SABATHIL MATTHIAS ,  STRASSBURG MARTIN ,  ZEHNDER ULRICH

    IPC: H01L33/02 ,  H01L33/04 ,  H01L33/32 ,  H01L33/40 ,  H01L33/42 ,  H01L33/46

    CPC classification number: H01L33/02 ,  H01L33/04 ,  H01L33/32 ,  H01L33/40 ,  H01L33/42 ,  H01L33/46

    Abstract: Optoelectronic component (20) having a layer stack (10), comprising at least the following: a layer sequence constituting a semiconductor light emitting diode (5) and comprising at least a first light emitting diode layer (2), a second light emitting diode layer (4) and an optically active zone (3) between the first (2) and the second light emitting diode layer (4), wherein the two light emitting diode layers (2, 4) are in each case formed from a III-V semiconductor material containing in each case at least one of the elements aluminium, gallium and indium and in each case at least one of the elements nitrogen, phosphorus and arsenic, and wherein the first light emitting diode layer (2) is an n-doped layer and the second light emitting diode layer (4) is a p-doped layer, a silver-containing metallic layer (9) and an interlayer (8) composed of a transparent conductive oxide, which is arranged between the semiconductor light emitting diode (15) and the metallic layer (9), characterized in that the metallic layer (9) and the interlayer (8) are arranged on that side of the semiconductor light emitting diode (15) which the p-doped second light emitting diode layer (4) faces, and in that at least one highly doped first semiconductor layer (7), the dopant concentration of which is greater than the dopant concentration of the second light emitting diode layer (4), is arranged between the second light emitting diode layer (4) and the interlayer (8).

    Abstract translation: 光电子器件（20），包括一个叠层（10），至少包括：一个层序列，其是一种半导体发光二极管（5）和至少一个第一发光二极管（2），第二发光层（4）和光学活性区域（3） 第一（2）和第二发光层（4），其中所述两个发光层（2,4）分别由III-V族半导体材料，元素铝，镓和铟的至少一种形成，并且在每种情况下之间 包含的元素氮，磷和砷的至少一种，并且其中，所述第一发光层（2）的n型掺杂层和第二发光层（4）p型掺杂的层，含银金属层（9）和一个中间层（8 ），其特征在于透明导电氧化物，其被设置在半导体发光二极管（15）和所述金属层（9）之间的，所述金属 金属层（9）和所述中间层（8）上的半导体发光二极管的那侧（15）被布置成面对所述p型第二发光层（4），并且所述第二发光层（4）和中间层（8）之间 （7）被布置在至少一个高度掺杂的第一半导体层，掺杂剂浓度比所述第二发光层（4）的掺杂剂浓度。

    DÜNNFILM-LED MIT EINER SPIEGELSCHICHT UND VERFAHREN ZU DEREN HERSTELLUNG
    7.
    发明申请
    DÜNNFILM-LED MIT EINER SPIEGELSCHICHT UND VERFAHREN ZU DEREN HERSTELLUNG 审中-公开
    薄膜换镜层和方法及其LED

    公开(公告)号：WO2009039820A1

    公开(公告)日：2009-04-02

    申请号：PCT/DE2008/001495

    申请日：2008-09-04

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH ,  HAHN, Berthold ,  WEIMAR, Andreas ,  BAUR, Johannes ,  SABATHIL, Matthias ,  PLAINE, Glenn-Ives

    Inventor： HAHN, Berthold ,  WEIMAR, Andreas ,  BAUR, Johannes ,  SABATHIL, Matthias ,  PLAINE, Glenn-Ives

    IPC: H01L33/00

    CPC classification number: H01L33/38 ,  H01L33/10 ,  H01L33/145 ,  H01L33/405 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

    Abstract: Die Erfindung betrifft eine Dünnfilm-LED, die eine Barriereschicht (3), eine der Barriereschicht (3) nachfolgende erste Spiegelschicht (2), einen der ersten Spiegelschicht (2) nachfolgenden Schichtstapel (5), und mindestens eine dem Schichtstapel (5) nachfolgende Kontaktstruktur (6) umfasst. Der Schichtstapel (5) weist mindestens eine aktive Schicht (5a) auf, die elektromagnetische Strahlung emittiert. Die Kontaktstruktur (6) ist auf einer Strahlungsaustrittsfläche (4) angeordnet und weist eine Kontaktfläche (7) auf. Die erste Spiegelschicht (2) weist in einem der Kontaktfläche der Kontaktstruktur (6) gegenüberliegenden Bereich eine Aussparung auf, die größer als die Kontaktfläche (7) der Kontaktstruktur (6) ist. Dadurch erhöht sich die Effizienz der Dünnfilm-LED.

    Abstract translation: 本发明涉及到一个薄膜LED，一个阻挡层（3），所述阻隔层（3）随后的第一反射镜层（2），所述第一反射层中的一个（2）随后的下列层堆（5），和所述层堆叠中的至少一个（5） 接触结构（6）。 层堆叠（5）具有至少发射电磁辐射的有源层（5a）中。 接触结构（6）被布置在辐射出射表面（4），并且具有接触表面（7）。 所述第一反光镜层（2）具有在所述接触结构（6）区的凹部相对的比所述接触表面较大的接触表面中的一个（7）的接触结构（6）。 薄膜的效率的LED增加。

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