公开(公告)号：WO2017046529A1

公开(公告)日：2017-03-23

申请号：PCT/FR2016/052332

申请日：2016-09-15

Applicant: SOCIÉTÉ FRANÇAISE DE DÉTECTEURS INFRAROUGES - SOFRADIR

Inventor： RUBALDO, Laurent ,  PERE LAPERNE, Nicolas ,  KERLAIN, Alexandre ,  NEDELCU, Alexandru

IPC: H01L31/0352 ,  H01L31/101

CPC classification number: H01L31/1035 ,  H01L31/035209 ,  H01L31/035236 ,  H01L31/101

Abstract: Le photodétecteur comporte une zone absorbante (1) formée par un premier matériau semi-conducteur ayant une première valeur d'énergie de bande interdite. Il comporte également une zone de blocage (3e, 3c) formée par au moins des deuxième et troisième matériaux semi-conducteurs configurés pour s'opposer au passage des porteurs de charge majoritaires entre la zone absorbante (1) et une zone de contact (2e, 2c), le deuxième matériau semi- conducteur présentant une deuxième valeur d'énergie de bande interdite supérieure à la première valeur d'énergie de bande interdite pour former un puits quantique avec le troisième matériau semi-conducteur. La zone de blocage (3e, 3c) est dopée.

Abstract translation: 本发明涉及一种光电检测器，其包括由具有第一带隙能量值的第一半导体材料构成的吸收区域（1）。 它还包括由至少第二和第三半导体材料构成的阻挡区域（3e，3c），其被构造成防止多数载流子在吸收区域（1）和接触区域（2e，2c）之间通过，第二 半导体材料具有比第一带隙能量值高的第二带隙能量值，以便与第三半导体材料形成量子阱。 阻挡区域（3e，3c）被掺杂。

公开(公告)号：WO2013076379A1

公开(公告)日：2013-05-30

申请号：PCT/FR2011/000613

申请日：2011-11-22

Applicant: SOCIÉTÉ FRANÇAISE DE DÉTECTEURS INFRAROUGES - SOFRADIR ,  RUBALDO, Laurent ,  RICARD Nicolas

Inventor： RUBALDO, Laurent ,  RICARD Nicolas

IPC: G01J1/44

CPC classification number: G01J1/44

Abstract: Le circuit de détection comporte un interrupteur (4) connecté entre une photodiode (1) et un intégrateur (3). Il comprend encore des moyens (6) de basculement alternatif des conditions de polarisation de la photodiode (1) entre une polarisation inverse et un autre état. Les pièges électroniques présents dans la photodiode (1) sont passivés régulièrement durant l'autre état.

Abstract translation: 本发明涉及一种包括连接光电二极管（1）和积分器（3）的开关（4）的检测电路。 所述检测电路还包括用于在反极化和另一状态之间交替地切换光电二极管（1）的偏振状态的装置（6）。 存在于光电二极管（1）中的电子陷阱在其他状态下被规律地钝化。

公开(公告)号：WO2018104655A1

公开(公告)日：2018-06-14

申请号：PCT/FR2017/053405

申请日：2017-12-05

Applicant: SOCIETE FRANÇAISE DE DETECTEURS INFRAROUGES - SOFRADIR

Inventor： PERE LAPERNE, Nicolas ,  JENOUVRIER, Pierre ,  REIBEL, Yann

IPC: H01L27/146

Abstract: Le dispositif de détection comporte des premier et deuxième photodétecteurs (1a, 1b) sensibles chacun à deux gammes de longueurs d'onde différentes. Le dispositif de détection comporte un premier filtre (4a) configuré pour laisser passer la première gamme de longueurs d'onde et pour bloquer la deuxième gamme de longueurs d'onde. Le premier filtre recouvre le premier photodétecteur (1a) et laisse découvert le deuxième photodétecteur (1b). Le dispositif de détection comporte un deuxième filtre (4b) disposé à distance du premier et du deuxième photodétecteurs (1a, 1b) et à distance du premier filtre (4a). Le deuxième filtre (4b) est configuré pour laisser passer la première et la deuxième gammes de longueurs d'onde. Un circuit de traitement (5) est configuré pour recevoir des signaux électriques en provenance des premier et deuxième photodétecteurs (1a, 1b) et fournir une information relative au rayonnement de la deuxième gamme de longueurs d'onde par comparaison du premier signal avec le deuxième signal (7a).

公开(公告)号：WO1997008758A1

公开(公告)日：1997-03-06

申请号：PCT/FR1996001313

申请日：1996-08-23

Applicant: COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ,  SOCIETE SOFRADIR ,  VERGER, Loïck ,  GLASSER, Francis ,  MIGUET, Thierry

Inventor： COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ,  SOCIETE SOFRADIR

IPC: H01L31/115

CPC classification number: H01L31/115

Abstract: The invention provides an X ray detector comprising at least one high resistivity, type II-VI semiconductor material on which are arranged two or more electrical contacts, at least one of which is selected from the group of blocking contacts.

Abstract translation: 本发明提供了一种X射线检测器，其包括至少一个高电阻率II-VI族半导体材料，其上布置有两个或更多个电触点，其中至少一个电极选自一组阻塞触点。

公开(公告)号：WO2015049448A1

公开(公告)日：2015-04-09

申请号：PCT/FR2014/052448

申请日：2014-09-29

Applicant: SOCIETE FRANCAISE DE DETECTEURS INFRAROUGES- SOFRADIR

Inventor： ROBERT, David ,  ROYER, Yves

IPC: G01J5/06 ,  H05K1/18

CPC classification number: H05K1/0201 ,  G01J5/06 ,  G01J5/061 ,  G01J5/10 ,  H01R12/77 ,  H05K1/0209 ,  H05K1/0218 ,  H05K1/028 ,  H05K1/0296 ,  H05K1/11 ,  H05K1/147 ,  H05K2201/06 ,  H05K2201/066 ,  H05K2201/0715

Abstract: Le circuit imprimé flexible à faible émissivité comprend des premier et second extrémités (48a, 48b), et une partie centrale flexible (50) s'étendant entre les première et seconde extrémités et comportant des pistes électriquement conductrices (52), enrobées dans un matériau polymère, pour relier électriquement les première et seconde extrémités. La partie centrale flexible est couverte au moins en partie par un écran thermique (54) formé dans un matériau ayant une émissivité inférieure à celles du matériau polymère et des pistes électriquement conductrices.

Abstract translation: 本发明涉及具有低发射率的柔性印刷电路，其包括第一和第二端（48a，48b）和在第一和第二端之间延伸的柔性中心部分（50），并且包括嵌入聚合物材料中的导电轨道（52） 以便电连接第一端和第二端。 柔性中心部分至少部分地覆盖有由具有比聚合物材料和电导体的发射率低的材料制成的热屏蔽（54）。

公开(公告)号：WO2014041262A2

公开(公告)日：2014-03-20

申请号：PCT/FR2013/000245

申请日：2013-09-17

Applicant: SOCIÉTÉ FRANÇAISE DE DÉTECTEURS INFRAROUGES - SOFRADIR

Inventor： CHABUEL, Fabien ,  RUBALDO, Laurent

CPC classification number: H01L31/1013 ,  H01L31/1032

Abstract: Le substrat (3) comporte successivement une première couche semiconductrice (5) ayant une première énergie de bande interdite, une couche semiconductrice tampon (6), une deuxième couche semiconductrice (7) ayant une deuxième énergie de bande interdite différente de la première énergie de bande interdite. Deux photodétecteurs (1, 2) sensibles à deux couleurs différentes sont formés respectivement au moyen de la première et de la deuxième couches semiconductrices (5, 7). La première couche semiconductrice (5) comporte deux faces principales opposées. La première face principale est recouverte par la deuxième couche semiconductrice (7). La deuxième face principale est découverte ou recouverte par un film de passivation (4) ayant une épaisseur inférieure ou égale à 3μm.

Abstract translation: 根据本发明，衬底（3）依次包括具有第一带隙能量的第一半导体层（5），缓冲半导体层（6），第二半导体层（7），其具有与第一带隙能量不同的第二带隙能量 带隙能量。 通过第一和第二半导体层（5,7）分别形成对两种不同颜色敏感的两个光电检测器（1,2）。 第一半导体层（5）包括两个主相对表面。 第一主表面被第二半导体层（7）覆盖。 第二主表面由厚度等于或小于3μm的钝化膜（4）覆盖或不被覆盖。

公开(公告)号：WO2013182763A1

公开(公告)日：2013-12-12

申请号：PCT/FR2013/000144

申请日：2013-06-07

Applicant: SOCIÉTÉ FRANÇAISE DE DÉTECTEURS INFRAROUGES - SOFRADIR

Inventor： ZÉCRI Michel

IPC: H01L31/024 ,  G01J5/06

CPC classification number: G01J5/061 ,  G01J5/06 ,  H01L31/02325 ,  H01L31/024

Abstract: Le dispositif de détection comporte un circuit de lecture (2) formé dans un premier substrat semi-conducteur. Un circuit de détection (1) est associé au circuit de lecture (2). Un écran froid (4) est solidaire du circuit de détection (1) et du circuit de lecture (2). L'écran froid (4) est électriquement conducteur et est fixé au premier substrat de manière à définir un espace fermé contenant le circuit de détection (1).

Abstract translation: 检测装置包括形成在第一半导体衬底中的读取电路（2）。 检测电路（1）与读取电路（2）相关联。 冷屏（4）牢固地固定在检测电路（1）和读电路（2）上。 冷屏（4）是导电的并且被固定到第一基板，以便限定包含检测电路（1）的封闭空间。

公开(公告)号：US10458842B2

公开(公告)日：2019-10-29

申请号：US15818220

申请日：2017-11-20

Applicant: SOCIÉTÉ FRANÇAISE DE DÉTECTEURS INFRAROUGES—SOFRADIR

Inventor： Eric Sanson ,  Sébastien Aufranc

IPC: G01J1/46 ,  H04N5/33 ,  H04N5/361 ,  H04N5/363 ,  H04N5/3745 ,  G01J5/22

Abstract: The detection circuit comprises a detector connected to an integration node. A bias circuit biases the detector between a first bias state and a second floating state. The potential of the integration node is at a target value when the bias circuit biases the detector to the first state and varies when the detector is in floating state. A measurement circuit without charge losses delivers a value representative of the potential present on the integration node N. A transfer circuit of the electric charges performs transfer of the electric charges from a stray capacitor of the photodiode to an integration capacitor. An output terminal delivers a voltage representative of the potential present on the second terminal of the first capacitor.

公开(公告)号：US20160003674A1

公开(公告)日：2016-01-07

申请号：US14770688

申请日：2014-02-26

Applicant: SOCIÉTÉ FRANÇAISE DE DÉTECTEURS INFRAROUGES - SOFRADIR

Inventor： Eric SANSON

IPC: G01J1/46

CPC classification number: G01J1/46 ,  G01J2001/4466

Abstract: An electromagnetic radiation detection circuit includes a photodetector transforming the received electromagnetic radiation into an electric current. A readout circuit is coupled to a first terminal of the photodetector and configured to transform a current signal into a voltage signal. A capacitor has a first terminal electrically coupled to the first terminal of the photodetector and a second terminal electrically coupled to the readout circuit. A resistor has a first terminal electrically coupled to the capacitor and to a first terminal of the photodetector. A bias circuit is electrically coupled to a second terminal of the resistor and configured to bias the photodetector during a first time period by means of the resistor.

Abstract translation: 电磁辐射检测电路包括将所接收的电磁辐射变换为电流的光电检测器。 读出电路耦合到光电检测器的第一端子并且被配置为将电流信号转换成电压信号。 电容器具有电耦合到光电检测器的第一端子的第一端子和电耦合到读出电路的第二端子。 电阻器具有电耦合到电容器和光电检测器的第一端子的第一端子。 偏置电路电耦合到电阻器的第二端子并且被配置为通过电阻器在第一时间段期间偏置光电检测器。

公开(公告)号：US20150170319A1

公开(公告)日：2015-06-18

申请号：US14375646

申请日：2013-01-30

Applicant: SOCIÉTÉ FRANÇAISE DE DÉTECTEURS INFRAROUGES- SOFRADIR

Inventor： Eric Sanson

IPC: G06T1/20

CPC classification number: G06T1/20 ,  G01J1/4228

Abstract: A pixel matrix is arranged in line of pixels. Each pixel is either in a first state or in a second state. The matrix mainly contains pixels in the second state. Each line of pixels is tested in order to determine whether it contains or not a pixel in a first state. The result from this test for each line is sent into a receiver. The lines including at least one pixel in the first state are more accurately analyzed in order to determine the position of this or these pixel in the line.

Abstract translation: 像素矩阵排列成像素的行。 每个像素处于第一状态或第二状态。 矩阵主要包含处于第二状态的像素。 测试每行像素以便确定它是否包含处于第一状态的像素。 每行测试的结果被发送到接收器。 为了确定该行或这些像素在该行中的位置，更精确地分析包括第一状态中的至少一个像素的行。