公开(公告)号：CN105358474B

公开(公告)日：2018-02-13

申请号：CN201480036456.1

申请日：2014-06-17

Applicant: SOITEC公司

Inventor： N·本 ,  穆罕默德 ,  E·梅兹

IPC: B81C1/00

CPC classification number: H01L21/76254 ,  H01L21/02236 ,  H01L21/30604

Abstract: 本发明涉及复合结构的制造工艺，其包括下列步骤：a)提供包括第一表面(20)的施主衬底(10)以及支撑衬底(30)；b)在施主衬底(10)中形成断开区(40)，所述断开区(40)与施主衬底(10)的第一表面(20)共同界定了有用层(50)；c)组装支撑衬底(30)与施主衬底(10)；d)使施主衬底在断开区断裂；e)减薄有用层(50)从而形成减薄了的有用层(51)。步骤b)的进行使得有用层(50)具有被设计为补偿在步骤e)期间的有用层(50)的消耗的非均匀性的厚度分布。

公开(公告)号：CN107634124A

公开(公告)日：2018-01-26

申请号：CN201710611684.2

申请日：2012-02-01

Applicant: SOITEC公司

Inventor： C·J·维尔霍文 ,  C·阿雷纳

IPC: H01L33/00 ,  H01L33/20 ,  H01S5/02 ,  H01S5/323 ,  H01S5/183

Abstract: 本发明涉及用于层转移的金属载体以及用于形成所述金属载体的方法。本发明的实施例涉及半导体结构以及形成所述半导体结构的方法。在一些实施例中，所述方法可以用于制造半导体衬底，通过以预定深度在施主结构中形成弱化地带，以限定连附表面和所述弱化地带之间的转移层以及所述弱化地带和与所述连附表面相对的表面之间的剩余施主结构。金属层形成在所述连附表面上，并且在所述金属层和所述转移层之间提供欧姆接触，为金属层提供匹配的热膨胀系数，其与所述转移层的热膨胀系数紧密匹配，并且提供足够的刚度以提供对于所述转移层的结构支撑。所述转移层在所述弱化地带处与所述施主结构分离，从而形成包括所述转移层和所述金属层的复合衬底。

公开(公告)号：CN107004572A

公开(公告)日：2017-08-01

申请号：CN201580065277.5

申请日：2015-09-17

Applicant: SOITEC公司

Inventor： O·科农丘克 ,  D·朗德吕 ,  C·菲盖

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/762

Abstract: 本发明涉及一种用于射频应用的结构(1)，其包括：半导体支撑衬底(2)；捕获层(3)，其布置在支撑衬底(2)上；捕获层(3)的特点在于其包括比预定缺陷密度更高的缺陷密度；所述预定缺陷密度为这样的缺陷密度：超过该缺陷密度，捕获层(3)的电阻率在[‑20℃；+120℃]的温度范围内不低于10Kohm.cm。

公开(公告)号：CN104603567B

公开(公告)日：2017-07-04

申请号：CN201380046873.X

申请日：2013-08-20

Applicant: SOITEC公司

Inventor： C·古德尔 ,  A·巴泰勒米

IPC: F27D5/00

CPC classification number: F27D5/0037

Abstract: 该支撑设备具有中心轴并且包括：‑三个支柱(130，131，132)，其基本上平行于所述中心轴延伸，‑多个成列支撑构件，其沿着所述中心轴间隔开，每个成列支撑构件包括三个支撑构件(140，141，142)，其适应于支撑多个晶片中的一个晶片(W)并且在垂直于所述中心轴的不同的基本上纵向的方向上延伸，支撑构件(140，141，142)的每一个直接安装在单独支柱上，该支撑设备的显著性在于，每个成列支撑构件的三个支撑构件(140，141，142)的方向与在所述中心轴上的点处相交。

公开(公告)号：CN104781911B

公开(公告)日：2017-06-09

申请号：CN201380057203.8

申请日：2013-10-11

Applicant: SOITEC公司

Inventor： Y-M·勒瓦扬 ,  E·纳瓦罗

IPC: H01L21/20

CPC classification number: H01L21/76251 ,  H01L21/2007 ,  H01L23/5387 ,  H01L29/0657 ,  H01L29/0692 ,  H01L41/053 ,  H01L41/098 ,  H01L41/187 ,  H01L41/33 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/3511 ,  H01L2924/00

Abstract: 该方法包括如下步骤：a)提供第一衬底(1)，第一衬底(1)包括有源层(10)，有源层(10)由具有杨氏模量E1和厚度h1的第一材料制成；b)提供第二衬底(2)，第二衬底(2)由具有杨氏模量E2和厚度h2的第二材料制成；c)弯曲第一衬底(1)和第二衬底(2)，以使第一衬底(1)和第二衬底(2)的每个具有曲率半径为R的弓形形状；d)将第二衬底(2)接合到有源层(10)上，以使第二衬底(2)符合第一衬底(1)的形状；e)重建第二衬底(2)的静态初始形状，所述方法值得注意之处在于，第二衬底(2)的第二材料为满足关系E2/E1＜10‑2的柔性材料，所述方法值得注意之处在于第二衬底(2)的厚度满足关系h2/h1≥104，并且所述方法值得注意之处在于所述曲率半径满足关系

公开(公告)号：CN104620368B

公开(公告)日：2016-12-07

申请号：CN201380046291.1

申请日：2013-09-04

Applicant: SOITEC公司

Inventor： D·朗德吕 ,  C·菲盖

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/20 ,  H01L21/683 ,  H01L21/762

CPC classification number: B32B43/006 ,  H01L21/2007 ,  H01L21/67092 ,  H01L21/6835 ,  H01L21/76251 ,  H01L2221/6834 ,  H01L2221/68381

Abstract: 施加在所述分开的衬底(S1，S2)之间的空间中，本发明涉及一种用于分离形成部分结构(S) 同时所述刃保持插入，从而通过应力腐蚀减小选的至少两个衬底(S1，S2)的工艺，所述结构(S)包 择的界面(I1)的断裂能。含至少两个分离界面(I1，I2)与所述结构的主要的面平行延伸，所述分离沿着从所述界面中选择的一个界面(I1)，所述两个衬底中至少一个意在用于电子、光学、光电、及/或光伏应用，通过在所述衬底(S1，S2)之间插入刃(B)并且通过所述刃施加用于分开两个衬底的分离力，所述分离实施。本方法的特征在于其包含以下步骤，包括：界面(I1)被选择用于分离，其对应力腐蚀敏感，也就是说对所述分离力和能够破坏存在于所述界面(I1)处的硅氧烷(Si-O-Si)键的液体的共同作用敏感；在插入所述刃之前，包含刃(B)的插入区域的选择的界面(I1)的至少一部分外围区域(R1)被损坏，使得在所述外围区域(R1)的断裂能

公开(公告)号：CN105870048A

公开(公告)日：2016-08-17

申请号：CN201610076558.7

申请日：2016-02-03

Applicant: SOITEC公司

Inventor： D·朗德吕 ,  O·科农丘克 ,  N·本穆罕默德

IPC: H01L21/762

Abstract: 本发明涉及一种用于转移有用层的方法，用于将有用层转移至承载体的方法包括下列步骤：通过将轻粒子注入到第一衬底中，形成脆化平面，从而在该平面与第一衬底的表面之间限定有用层的边界；将承载体安装到第一衬底的表面上，从而形成待断裂组件；沿着脆化平面对第一衬底进行热断裂处理，从而将有用层转移至支撑体上。根据本发明，该方法包括，在热断裂处理步骤期间的用于降低在承载体与第一衬底之间的界面处的外围附着度的加工步骤。

公开(公告)号：CN105679699A

公开(公告)日：2016-06-15

申请号：CN201510870819.8

申请日：2015-12-02

Applicant: SOITEC公司

Inventor： V·雷诺 ,  M·勒孔特

IPC: H01L21/762 ,  H01L21/78

Abstract: 本发明涉及一种层转移工艺。用于转移有用层(40)的工艺包括下列步骤：a)提供施主衬底(10)，所述施主衬底包括中间层(30)、承载衬底(20)和有用层(40)，中间层(30)适于变软；b)提供受主衬底(50)；c)组装受主衬底(50)和施主衬底(10)；以及d)对受主衬底(50)和施主衬底(10)进行热处理，该热处理在高于第一温度的第二温度下进行，所述工艺的特征在于，中间层(30)不含易于放气的物质，而且，形成了附加层(60)，所述附加层(60)包括适于在步骤d)中扩散到中间层(30)中并在中间层中形成弱化区(31)的化学物质。

公开(公告)号：CN102760472B

公开(公告)日：2015-11-25

申请号：CN201210124228.2

申请日：2012-04-25

Applicant: SOITEC公司

Inventor： R·费朗 ,  R·特维斯

IPC: G11C7/06

CPC classification number: G11C7/065 ,  G11C7/12 ,  G11C11/4091 ,  G11C11/4094 ,  G11C2211/4016

Abstract: 本发明涉及一种不具有开关晶体管的差分读出放大器，这种用于感测存储器单元阵列的多个存储器单元(C)中存储的数据的差分读出放大器包括：第一CMOS反相器，其具有连接到第一位线(BL)的输出端和连接到与所述第一位线互补的第二位线(/BL)的输入端；第二CMOS反相器，其具有连接到所述第二位线(/BL)的输出端和连接到所述第一位线(BL)的输入端，每个CMOS反相器包括上拉晶体管(M21，M22)和下拉晶体管(M31，M32)，其中所述上拉晶体管(M21，M22)或者所述下拉晶体管(M31，M32)的源极电耦合并连接到上拉电压源或者下拉电压源，在所述晶体管的源极与所述电压源之间不存在中间晶体管。

公开(公告)号：CN105074895A

公开(公告)日：2015-11-18

申请号：CN201480018752.9

申请日：2014-03-21

Applicant: SOITEC公司

Inventor： S·凯尔迪勒 ,  G·夏巴纳 ,  F·波德特

IPC: H01L21/62

CPC classification number: H01L21/76254 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/0217 ,  H01L27/12 ,  H01L29/0649

Abstract: 本发明涉及用于制造复合结构的方法，所述方法包括下列步骤：a)提供施主衬底(50)和支撑衬底(10)；b)形成介电层(30)；c)形成覆盖层(20)；d)在施主衬底(50)中形成弱化区(60)；e)通过接触表面(70)结合支撑衬底(10)和施主衬底(50)，该接触表面具有轮廓线(Cs)；f)使施主衬底(50)通过弱化区(60)破裂，步骤b)和步骤e)执行为使得轮廓线(Cz)内接于轮廓线(Cs)内，并且步骤c)执行为使得覆盖层(20)覆盖介电层(30)的外周表面。