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公开(公告)号：CN105358474A
公开(公告)日：2016-02-24
申请号：CN201480036456.1
申请日：2014-06-17
Applicant: SOITEC公司
IPC: B81C1/00
CPC classification number: H01L21/76254 , H01L21/02236 , H01L21/30604 , B81C1/00349 , B81C1/00373
Abstract: 本发明涉及复合结构的制造工艺，其包括下列步骤：a)提供包括第一表面(20)的施主衬底(10)以及支撑衬底(30)；b)在施主衬底(10)中形成断开区(40)，所述断开区(40)与施主衬底(10)的第一表面(20)共同界定了有用层(50)；c)组装支撑衬底(30)与施主衬底(10)；d)使施主衬底在断开区断裂；e)减薄有用层(50)从而形成减薄了的有用层(51)。步骤b)的进行使得有用层(50)具有被设计为补偿在步骤e)期间的有用层(50)的消耗的非均匀性的厚度分布。
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公开(公告)号：CN113228248B
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN201980085606.0
申请日：2019-12-23
Applicant: SOITEC公司
IPC: H01L21/762 , H01L21/322 , H01L21/265
Abstract: 本发明涉及一种制造用于正面图像传感器的衬底的方法，所述方法包括：‑提供包括待转移的半导体层(3a)的供体衬底(30)，‑提供半导体载体衬底(1)，‑使供体衬底(30)与载体衬底(1)结合，电绝缘层(2)位于结合界面处，‑将半导体层(3a)转移至载体衬底(1)，‑将气体离子(40)经由经转移的半导体层(3a)和电绝缘层(2)注入到载体衬底(1)中，‑在注入之后，在经转移的半导体层(3a)上外延生长附加半导体层(3b)。
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公开(公告)号：CN105870048A
公开(公告)日：2016-08-17
申请号：CN201610076558.7
申请日：2016-02-03
Applicant: SOITEC公司
IPC: H01L21/762
Abstract: 本发明涉及一种用于转移有用层的方法，用于将有用层转移至承载体的方法包括下列步骤：通过将轻粒子注入到第一衬底中，形成脆化平面，从而在该平面与第一衬底的表面之间限定有用层的边界；将承载体安装到第一衬底的表面上，从而形成待断裂组件；沿着脆化平面对第一衬底进行热断裂处理，从而将有用层转移至支撑体上。根据本发明，该方法包括，在热断裂处理步骤期间的用于降低在承载体与第一衬底之间的界面处的外围附着度的加工步骤。
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公开(公告)号：CN113228248A
公开(公告)日：2021-08-06
申请号：CN201980085606.0
申请日：2019-12-23
Applicant: SOITEC公司
IPC: H01L21/762 , H01L21/322 , H01L21/265
Abstract: 本发明涉及一种制造用于正面图像传感器的衬底的方法，所述方法包括：‑提供包括待转移的半导体层(3a)的供体衬底(30)，‑提供半导体载体衬底(1)，‑使供体衬底(30)与载体衬底(1)结合，电绝缘层(2)位于结合界面处，‑将半导体层(3a)转移至载体衬底(1)，‑将气体离子(40)经由经转移的半导体层(3a)和电绝缘层(2)注入到载体衬底(1)中，‑在注入之后，在经转移的半导体层(3a)上外延生长附加半导体层(3b)。
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公开(公告)号：CN105870048B
公开(公告)日：2020-09-04
申请号：CN201610076558.7
申请日：2016-02-03
Applicant: SOITEC公司
IPC: H01L21/762
Abstract: 本发明涉及一种用于转移有用层的方法，用于将有用层转移至承载体的方法包括下列步骤：通过将轻粒子注入到第一衬底中，形成脆化平面，从而在该平面与第一衬底的表面之间限定有用层的边界；将承载体安装到第一衬底的表面上，从而形成待断裂组件；沿着脆化平面对第一衬底进行热断裂处理，从而将有用层转移至支撑体上。根据本发明，该方法包括，在热断裂处理步骤期间的用于降低在承载体与第一衬底之间的界面处的外围附着度的加工步骤。
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