公开(公告)号：WO1997023904A1

公开(公告)日：1997-07-03

申请号：PCT/DE1996002412

申请日：1996-12-16

Applicant: SIEMENS MATSUSHITA COMPONENTS GMBH & CO. KG ,  PAHL, Wolfgang ,  STELZL, Alois ,  KRÜGER, Hans

Inventor： SIEMENS MATSUSHITA COMPONENTS GMBH & CO. KG

IPC: H01L21/56

CPC classification number: H03H3/08 ,  H01L23/3171 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2924/00

Abstract: In a process for producing contacts on SW components suitable for a flip-chip assembly, in which electrically conductive structures (3) on a substrate (1) are encapsulated by a cover (2), after the cover (2) has been produced, solderable layers (4) in contact with pads of the electrically conductive structures (3) are applied.

Abstract translation: 被封装在一个方法用于为倒装片安装的SAW器件的接触，其中在基材上制备合适的（1）提供导电结构（3）由一个盖（2），（制造盖后 2）在与所述导电结构的焊盘相接触（3）焊接的层（4）应用。

公开(公告)号：WO2009156308A1

公开(公告)日：2009-12-30

申请号：PCT/EP2009/057479

申请日：2009-06-16

Applicant: EPCOS AG ,  FEIERTAG, Gregor ,  KRÜGER, Hans ,  LEIDL, Anton ,  STELZL, Alois

Inventor： FEIERTAG, Gregor ,  KRÜGER, Hans ,  LEIDL, Anton ,  STELZL, Alois

IPC: G01L9/00

CPC classification number: G01L19/141 ,  H01L25/165 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2924/09701 ,  H01L2924/00

Abstract: Auf einem Träger (1) werden übereinander eine Haftschicht (4), ein ASIC-Chip (2) und ein Sensorchip (3) angeordnet. Eine Interchipverbindung (5) ist für einen elektrischen Anschluss der Chips untereinander vorgesehen und ein ASIC-Anschluss (6) für einen elektrischen Anschluss der in dem ASIC-Chip integrierten Schaltung nach außen.

Abstract translation: 粘接层（4），ASIC芯片（2）和一个传感器芯片（3）被布置在支撑一个在另一个之上（1）。 对于彼此的芯片间连接（5）被设置用于（6），用于在集成电路中的ASIC芯片到外部的电连接的芯片的电连接和一个ASIC端口。

公开(公告)号：WO2007054070A1

公开(公告)日：2007-05-18

申请号：PCT/DE2006/001945

申请日：2006-11-06

Applicant: EPCOS AG ,  PAHL, Wolfgang ,  LEIDL, Anton ,  SEITZ, Stefan ,  KRÜGER, Hans ,  STELZL, Alois

Inventor： PAHL, Wolfgang ,  LEIDL, Anton ,  SEITZ, Stefan ,  KRÜGER, Hans ,  STELZL, Alois

IPC: B31B7/00 ,  H04R19/04

CPC classification number: B81B7/0064 ,  B81B2201/0257 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/07811 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/3025 ,  H04R1/04 ,  H04R19/005 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: Das erfindungsgemäße MEMS-Package ist auf einem mechanisch stabilen Trägersubstrat (TS) aufgebaut. Auf dessen Oberseite ist ein MEMS-Chip (MC) montiert. Ebenfalls auf oder über der Oberseite des Trägersubstrats ist zumindest ein Chipbauelement (CB) angeordnet. Eine metallische Schirmungsschicht (SL) überdeckt den MEMS-Chip und das Chipbauelement und schließt mit der Oberseite des Trägersubstrats ab.

Abstract translation: 本发明的MEMS封装构造的机械稳定的载体衬底上（TS）。 在其顶部的MEMS芯片安装（MC）。 同样在以上所述载体基片的顶部，芯片部件（CB）至少被设置。 覆盖MEMS芯片和芯片部件和金属屏蔽层（SL）是与所述支撑基板的上表面齐平。

公开(公告)号：WO2005102910A1

公开(公告)日：2005-11-03

申请号：PCT/EP2005/004309

申请日：2005-04-21

Applicant: EPCOS AG ,  BAUER, Christian ,  KRUEGER, Hans ,  STELZL, Alois

Inventor： BAUER, Christian ,  KRUEGER, Hans ,  STELZL, Alois

IPC: B81B7/00

CPC classification number: H01L21/44 ,  B81C1/0023 ,  H01L2224/16225 ,  H03H3/0072 ,  H03H9/1057

Abstract: Es wird ein MEMS-Bauelement vorgeschlagen, welches als Chipbauelement auf einem Panel angeordnet ist. Jeder Einbauplatz für einen Chip ist eng von einer Rahmenstruktur, die auf dem Panel aufsitzt umschlossen. Die Trennfuge zwischen Rahmenstruktur und Chip ist mit einer Jetdruckstruktur verschlossen.

Abstract translation: 本发明公开了被布置为在面板上的芯片部件的MEMS器件。 用于芯片的每个时隙由可容纳在面板上的帧结构紧密包围。 的帧结构和芯片之间的连接由密封Jetdruckstruktur。

公开(公告)号：WO2005048452A1

公开(公告)日：2005-05-26

申请号：PCT/EP2004/011830

申请日：2004-10-19

Applicant: EPCOS AG ,  FÜRBACHER, Bruno ,  KRÜGER, Hans ,  PAHL, Wolfgang ,  STELZL, Alois

Inventor： FÜRBACHER, Bruno ,  KRÜGER, Hans ,  PAHL, Wolfgang ,  STELZL, Alois

IPC: H03H9/10

CPC classification number: H03H9/1071 ,  H03H9/02866

Abstract: Zur Verkapselung eines elektrischen Bauelements wird vorgeschlagen, den Bauelementchip auf einer Trägerplatte aufzukleben und ihn elektrisch leitend mit auf der Oberfläche der Trägerplatte vorgesehenen metallischen Anschlussflächen zu verbinden, die wiederum mit metallischen Anschlusskontakten auf der Unterseite der Trägerplatte verbunden sind. Über dem Chip wird eine eine Ausnehmung aufweisende Kappe auf der Trägerplatte so aufgeklebt, dass im Inneren ein Hohlraum verbleibt. Mit Hilfe einer nachträglich verschliessbaren Ausgleichsöffnung wird eine sichere Verklebung ohne Verrutschen und ohne Beschädigung der Klebestellen ermöglicht.

Abstract translation: 用于电气部件的封装建议胶合在载体板的元件芯片和连接它导电连接设置在支撑板的金属焊盘，它们又连接到承载板的下侧上的金属连接接触的表面上。 具有在承载板的凹部的盖被如此接合，有残留在内部在芯片的空腔。 使用后可密封的补偿打开一个安全的粘接不打滑，不损坏接头成为可能。

公开(公告)号：WO02061833A3

公开(公告)日：2003-06-19

申请号：PCT/DE0200180

申请日：2002-01-21

Applicant: EPCOS AG ,  FEIERTAG GREGOR ,  STELZL ALOIS ,  KRUEGER HANS

Inventor： FEIERTAG GREGOR ,  STELZL ALOIS ,  KRUEGER HANS

IPC: H01L23/12 ,  H01L21/60 ,  H01L23/498 ,  H03H3/08 ,  H03H9/10 ,  H03H9/145 ,  H03H9/25 ,  H05K1/03 ,  H05K1/11 ,  H03H3/00 ,  H03H9/05 ,  H03H9/15

CPC classification number: H03H9/059 ,  H01L23/49816 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/09701 ,  H03H9/1078 ,  H03H9/1092 ,  H05K1/0306 ,  H05K1/114 ,  H05K2201/10674 ,  H01L2224/0401

Abstract: The aim of the invention is to use a slow dissolving ceramic substrate for components mounted according to the Flip-Clip method, particularly surface wave components, whereby multi-layered metallisations are optionally produced thereon by metal deposition. The bumps can also be produced by self-adjusting metal deposition.

Abstract translation: 对于使用倒装芯片技术组件组装而成，特别是表面声波器件中，建议使用一个收缩差陶瓷底物以产生关于由金属沉积这个可能的多层金属化。 而且，凸块可以通过自对准ME-tallabscheidung形成。

公开(公告)号：WO1997045955A1

公开(公告)日：1997-12-04

申请号：PCT/DE1997001055

申请日：1997-05-23

Applicant: SIEMENS MATSUSHITA COMPONENTS GMBH & CO. KG ,  STELZL, Alois ,  KRÜGER, Hans ,  PAHL, Wolfgang

Inventor： SIEMENS MATSUSHITA COMPONENTS GMBH & CO. KG

IPC: H03H09/05

CPC classification number: H03H9/1085 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/01068 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/09701 ,  H01L2924/16152 ,  H01L2924/3025 ,  H03H9/0585 ,  H03H9/059 ,  H03H9/1078 ,  H01L2924/00014

Abstract: An electronic component, in particular a component using surface acoustic waves, with a system of components (1, 2) mounted on a base plate (3) and with electrical contacts made, where a protective layer (8) is provided on the components side, facing away from the connecting zone between the components system (1, 2) and the base plate (3); the protective layer (8) forms a tight seal against environmental influences to the base plate (3) for the components system (1, 2).

Abstract translation: 具有在基板上SAW装置（3）被电由组装的部件的系统（1，2），其中，在所述元件侧的保护层（8）被提供，其从部件系统（1，2）和座板之间的连接部背向接触（3） 并且其中形成所述保护层（8）包括用于将所述组件系统免受环境影响闭合的密封件（1，2）向所述底板（3）。

公开(公告)号：WO1997023951A1

公开(公告)日：1997-07-03

申请号：PCT/DE1996002410

申请日：1996-12-16

Applicant: SIEMENS MATSUSHITA COMPONENTS GMBH & CO. KG ,  PAHL, Wolfgang ,  STELZL, Alois ,  KRÜGER, Hans ,  MACHUI, Jürgen

Inventor： SIEMENS MATSUSHITA COMPONENTS GMBH & CO. KG

IPC: H03H09/05

CPC classification number: H03H9/1092 ,  H03H9/02929 ,  H03H9/02937 ,  Y10T29/42

Abstract: In an electronic component, especially an SW component with a conductive structure (2) on a substrate (1) and and encapsulation (4) enclosing them on the substrate (1), at least the conductive structures (2) are covered by a gas-diffusion-preventing or inert protective layer (3).

Abstract translation: 位于电子部件，特别是具有在基片上的SAW器件（1）的导电结构（2）和该衬底上封闭该封装（4）（1）的至少所述导电结构（2）与气体扩散抑制或惰性 保护层（3）覆盖。

公开(公告)号：WO2012136544A1

公开(公告)日：2012-10-11

申请号：PCT/EP2012/055559

申请日：2012-03-28

Applicant: EPCOS AG ,  BAUER, Christian ,  KRÜGER, Hans ,  PORTMANN, Jürgen ,  STELZL, Alois ,  PAHL, Wolfgang ,  KOCH, Robert

Inventor： BAUER, Christian ,  KRÜGER, Hans ,  PORTMANN, Jürgen ,  STELZL, Alois ,  PAHL, Wolfgang ,  KOCH, Robert

IPC: B81C1/00

CPC classification number: H01L41/053 ,  B81B2207/095 ,  B81C1/00301 ,  H01L24/11 ,  H01L41/25 ,  H01L2224/1134 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/1461 ,  H03H9/1071 ,  Y10T29/42 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00014

Abstract: Es wird ein hermetisches Waferlevelpackage aus zwei vorzugsweise materialgleichen piezoelektrischen Wafern und ein Herstellungsverfahren dafür vorgestellt. Die elektrisch und mechanische Verbindung zwischen den beiden Wafern gelingt mit Rahmenstrukturen und Pillars, deren auf zwei Wafer verteilte Teilstrukturen mit Hilfe von Verbindungsschichten wafergebondet werden.

Abstract translation: 它呈现两个材料优选相同的压电晶片的一个密闭的晶片级封装，以及它们的制造方法。 两个晶片之间的电气和机械连接与框架结构和支柱，其分布在两个晶片局部结构通过接合层的手段晶圆接合来实现的。

公开(公告)号：WO2012089408A1

公开(公告)日：2012-07-05

申请号：PCT/EP2011/070470

申请日：2011-11-18

Applicant: EPCOS AG ,  BAUER, Christian ,  KRÜGER, Hans ,  PORTMANN, Jürgen ,  STELZL, Alois

Inventor： BAUER, Christian ,  KRÜGER, Hans ,  PORTMANN, Jürgen ,  STELZL, Alois

IPC: B81B7/00 ,  H01L23/31 ,  H03H9/10

CPC classification number: B81B7/0064 ,  B81C1/00333 ,  H01L21/561 ,  H01L23/29 ,  H01L23/3121 ,  H01L23/3142 ,  H01L23/552 ,  H01L25/0655 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2924/1461 ,  H03H3/02 ,  H03H9/10 ,  H01L2924/00

Abstract: Die Erfindung betrifft ein Bauelement und ein Verfahren zu dessen Herstellung. Das Bauelement umfasst ein Substrat (S), einen Chip (CH), einen Rahmen (MF), der mit dem Substrat (S) verbunden ist und auf dem der Chip (CH) aufliegt. Eine metallische Verschlussschicht (ML), umfasst den Rahmen (MF), das Substrat (S) und den Chip (CH) so, dass ein von dem Substrat (S), dem Chip (CH) und dem Rahmen (MF) umschlossenes Volumen hermetisch abgedichtet ist.

Abstract translation: 本发明涉及一种装置和用于其生产的方法。 该装置包括基体（S），芯片（CH），帧（MF），其被连接到所述基板（S）和搁置在芯片（CH）上。 的金属密封层（ML），其包括框架（MF），在基板（S）和芯片（CH），使得从基板（S），该​​芯片（CH）和帧（MF）封闭的容积气密地 是密封的。